集成电路制造相关术语

1、1.a c c e p t a n c e t e s t i n g(W A T:w a f e r a c c e p t a n c e t e s t i n g3.A C C E S S:一个E D A(E n g i n e e r i n g D a t a A n a l y s i s系统6.A l i g n m a r k(k e y:对位标记9.A m m o n i a氨10.A m m o n i u m f l u o r i d e氟化铵11.A m m o n i u m h y d r o x i d e氢氧化铵12.A m o r p h o u s s

2、i l i c o n:-S i,非晶硅(不是多晶硅13.A n a l o g:模拟的14.A n g s t r o m15.A n i s o t r o p i c:各向异性(如P O L Y E T C H16.A Q L(A c c e p t a n c e Q u a l i t y L e v e l:接受质量标准,在一定采样下,可以95%臵信度通过质量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率17.A R C(A n t i r e f l e c t i v e c o a t i n g:抗反射层(用于M E T A L等层的光刻18.A n t i m o n

3、y(S b锑22.A r s i n e24.A s p e c t r a t i o n:形貌比(E T C H中的深度、宽度比25.A u t o d o p i n g:自搀杂(外延时S U B的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层28.B e n c h m a r k:基准30.B o a t:扩散用(石英舟32.C h a r a c t e r w i n d o w:特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。36.C I M:c o m p u t e r-i n t e g r a t e d m a n u f a c t u r i n g

4、的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。39.C o m p e n s a t i o n d o p i n g:补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。40.C M O S:c o m p l e m e n t a r y m e t a l o x i d e s e m i c o n d u c t o r的缩写。一种将P M O S和N M O S 在同一个硅衬底上混合制造的工艺。41.C o m p u t e r-a i d e d d e s i g n(C A D:计算机辅助设计。42.C o n d u c t i v i t y t y p

5、 e:传导类型,由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子,在P型材料中多数载流子是空穴。43.C o n t a c t:孔。在工艺中通常指孔1,即连接铝和硅的孔。44.C o n t r o l c h a r t:控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。45.C o r r e l a t i o n:相关性。46.C p:工艺能力,详见p r o c e s s c a p a b i l i t y。47.C p k:工艺能力指数,详见p r o c e s s c a p a b i l i t y i n d e x。48.C y c l e t i m

6、e:圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。49.D a m a g e:损伤。50.D e f e c t d e n s i t y:缺陷密度。单位面积内的缺陷数。51.D e p l e t i o n i m p l a n t:耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。(耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。52.D e p l e t i o n l a y e r:耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。53.D e p l e t i o n w i d t h:耗尽宽度。55.D e p t h o f f o c u s(D

7、O F:焦深。56.d e s i g n o f e x p e r i m e n t s(D O E:为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的,所设计的初始工程批试验计划。58.d e v e l o p e r:显影设备;显影液59.d i b o r a n e(B2H6:乙硼烷,60.d i c h l o r o m e t h a n e(C H2C L2:二氯甲,一种无色,不可燃,不可爆的液体。61.d i c h l o r o s i l a n e(D S C:二氯甲硅烷,一种可燃,有腐蚀性,无色,在潮湿环境下易水解的物质,常用于硅外延或多晶

8、硅的成长,以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。62.d i e:硅片中一个很小的单位,包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。63.d i e l e c t r i c:介质,一种绝缘材料;64.d i f f u s e d l a y e r:扩散层,即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中,在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。65.d i s i l a n e(S i2H6:乙硅烷,一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体,燃烧时能产生高火焰,暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时,乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。66.d r i v e-i n68.

9、e f f e c t i v e l a y e r t h i c k n e s s:有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。69.E M:e l e c t r o m i g r a t i o n,电子迁移,指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。70.e p i t a x i a l l a y e r:外延层。75.f e a t u r e s i z e:特征尺寸,指单个图形的最小物理尺寸。76.f i e l d-e f f e c t t r a n s i s t o r(F E T:场效应管。包含源、漏、栅、衬四端。78.

10、f l a t:平边79.f l a t b a n d c a p a c i t a n s e:平带电容80.f l a t b a n d v o l t a g e:平带电压81.f l o w c o e f f i c i c e n t:流动系数82.f l o w v e l o c i t y:流速计83.f l o w v o l u m e:流量计84.f l u x:单位时间内流过给定面积的颗粒数85.f o r b i d d e n e n e r g y g a p:禁带86.f o u r-p o i n t p r o b e:四点探针台87.f u n c

11、 t i o n a l a r e a:功能区89.g l a s s t r a n s i t i o n t e m p e r a t u r e:玻璃态转换温度90.g o w n i n g:净化服91.g r a y a r e a:灰区92.g r a z i n g i n c i d e n c e i n t e r f e r o m e t e r:切线入射干涉仪93.h a r d b a k e:后烘94.h e t e r o e p i t a x y:单晶长在不同材料的衬底上的外延方法95.h i g h-c u r r e n t i m p l a n

12、 t e r:束电流大于3m a的注入方式,用于批量生产96.h i g n-e f f i c i e n c y p a r t i c u l a t e a i r(H E P Af i l t e r:高效率空气颗粒过滤器,去掉99.97%的大于0.3u m的颗粒97.h o s t:主机98.h o t c a r r i e r s:热载流子99.h y d r o p h i l i c:亲水性100.h y d r o p h o b i c:疏水性102.i n d u c t i v e c o u p l e d p l a s m a(I C P:感应等离子体103.

13、i n e r t g a s:惰性气体104.i n i t i a l o x i d e:一氧105.i n s u l a t o r:绝缘106.i s o l a t e d l i n e:隔离线109.j u n c t i o n:结110.j u n c t i o n s p i k i n g n:铝穿刺111.k e r f:划片槽113.l i t h o g r a p h y n制版114.m a i n t a i n a b i l i t y,e q u i p m e n t:设备产能116.m a j o r i t y c a r r i e r n

14、:多数载流子117.m a s k s,d e v i c e s e r i e s o f n:一成套光刻版118.m a t e r i a l n:原料119.m a t r i x n1:矩阵120.m e a n n:平均值122.m e d i a n n:中间值123.m e m o r y n:记忆体125.n a n o m e t e r(n mn:纳米126.n a n o s e c o n d(n sn:纳秒127.n i t r i d e e t c h n:氮化物刻蚀130.o h m s p e r s q u a r e n:欧姆每平方:方块电阻131.o

15、 r i e n t a t i o n n:晶向,一组晶列所指的方向132.o v e r l a p n:交迭区134.p h o s p h o r u s(Pn:磷,一种有毒的非金属元素135.p h o t o m a s k n:光刻版,用于光刻的版136.p h o t o m a s k,n e g a t i v e n:反刻137.i m a g e s:去掉图形区域的版138.p h o t o m a s k,p o s i t i v e n:正刻139.p i l o t n:先行批,用以验证该工艺是否符合规格的片子142.p l a s m a-e n h a n

16、 c e d T E O S o x i d e d e p o s i t i o n n:T E O S淀积,淀积T E O S的一种工艺143.p n j u n c t i o n n:p n结144.p o c k e d b e a d n:麻点,在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠145.p o l a r i z a t i o n n:偏振,描述电磁波下电场矢量方向的术语146.p o l y c i d e n:多晶硅/金属硅化物,解决高阻的复合栅结构147.p o l y c r y s t a l l i n e s i l i c o n(p o l yn:多晶硅,

17、高浓度掺杂(>5E19的硅,能导电。148.p o l y m o r p h i s m n:多态现象,多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象149.p r o b e r n:探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备,用以连接圆片和检测设备。150.p r o c e s s c o n t r o l n:过程控制。半导体制造过程中,对设备或产品规范的控制能力。151.p r o x i m i t y X-r a y n:近X射线:一种光刻技术,用X射线照射臵于光刻胶上方的掩膜版,从而使对应的光刻胶暴光。152.p u r e w a t e r n:纯水。半导体生产

18、中所用之水。153.q u a n t u m d e v i c e n:量子设备。一种电子设备结构,其特性源于电子的波动性。154.q u a r t z c a r r i e r n:石英舟。155.r a n d o m a c c e s s m e m o r y(R A Mn:随机存储器。156.r a n d o m l o g i c d e v i c e n:随机逻辑器件。157.r a p i d t h e r m a l p r o c e s s i n g(R T Pn:快速热处理(R T P。159.r e a c t o r n:反应腔。反应进行的密封隔离

19、腔。162.s c a n n i n g e l e c t r o n m i c r o s c o p e(S E Mn:电子显微镜(S E M。163.s c h e d u l e d d o w n t i m e n:(设备预定停工时间。164.S c h o t t k y b a r r i e r d i o d e s n:肖特基二极管。165.s c r i b e l i n e n:划片槽。166.s a c r i f i c i a l e t c h b a c k n:牺牲腐蚀。168.s h e e t r e s i s t a n c e(R s(o

20、 r p e r s q u a r en:薄层电阻。用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。169.s i d e l o a d:边缘载荷,被弯曲后产生的应力。170.s i l i c o n o n s a p p h i r e(S O Se p i t a x i a l w a f e r:外延是蓝宝石衬底硅的原片171.s m a l l s c a l e i n t e g r a t i o n(S S I:小规模综合,在单一模块上由2到10个图案的布局。172.s o u r c e c o d e:原代码173.s p e c t r a l l i n e:光谱线,光谱镊制

21、机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。174.s p i n w e b b i n g:旋转带,在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。176.s t a c k i n g f a u l t:堆垛层错,原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。177.s t e a m b a t h:蒸汽浴,一个大气压下,流动蒸汽或其他温度热源的暴光。178.s t e p r e s p o n s e t i m e:瞬态特性时间,大多数流量控制器实验中,普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。179.s t e p p e r:步进光刻机(按B L O C K来曝光180.s

22、 t r e s s t e s t:应力测试,包括特定的电压、温度、湿度条件。181.s u r f a c e p r o f i l e:表面轮廓,指与原片表面垂直的平面的轮廓(没有特指的情况下。182.s y m p t o m:征兆,人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。183.t a c k w e l d:间断焊,通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊(用于连接盖子。184.T a y l o r t r a y:泰勒盘,褐拈土组成的高膨胀物质。185.t e m p e r a t u r e c y c l i n g:温度周期变化,测量出的重复出现相类似的高低温循

23、环。186.t e s t a b i l i t y:易测性,对于一个已给电路来说,哪些测试是适用它的。187.t h e r m a l d e p o s i t i o n:热沉积,在超过950度的高温下,硅片引入化学掺杂物的过程。189.t i t a n i u m(T i:钛。190.t o l u e n e(C6H5C H3:甲苯。有毒、无色易燃的液体,它不溶于水但溶于酒精和大气。191.1,1,1-t r i c h l o r o e t h a n e(T C A(C L3C C H3:有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。193.t

24、 u n g s t e n h e x a f l u o r i d e(W F6:氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在C V D中W F6用于淀积硅化物,也可用于钨传导的薄膜。194.t i n n i n g:金属性表面覆盖焊点的薄层。195.t o t a l f i x e d c h a r g e d e n s i t y(N t h:下列是硅表面不可动电荷密度的总和:氧化层固定电荷密度(N f、氧化层俘获的电荷的密度(N o t、界面负获得电荷密度(N i t。196.w a t t(W:瓦。能量单位。197.w a f e r f l a t:从晶片的一面直接切下去

25、,用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向,也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。203.w i n d o w:在隔离晶片中,允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。205.v a p o r p r e s s u r e:当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。207.t r a n s i t i o n m e t a l s:过渡金属P A C感光化合物A S I C特殊应用集成电路S o l v e n t溶剂C a r b i d e碳R e f r a c t i v e折射E x p a n s i o n膨胀T M:t o p

26、 m e n t a l顶层金属层W E E周边曝光P O D装晶舟和晶片的盒子R e t i c l e光罩S p i n旋转A/D军A n a l o g.D i g i t a l,模拟/数字A C M a g n i t u d e交流幅度A C P h a s e交流相位A c c u r a c y精度"A c t i v i t y M o d e lA c t i v i t y M o d e l"活动模型A d d i t i v e P r o c e s s加成工艺A d h e s i o n附着力A g g r e s s o r干扰源A n a

27、 l o g S o u r c e模拟源A O I,A u t o m a t e d O p t i c a l I n s p e c t i o n自动光学检查A s s e m b l y V a r i a n t不同的装配版本输出A t t r i b u t e s属性A X I,A u t o m a t e d X-r a y I n s p e c t i o n自动X光检查B I S T,B u i l t-i n S e l f T e s t内建的自测试B u s R o u t e总线布线C i r c u i t电路基准c i r c u i td i a g

28、r a m电路图C l e m e n t i n e专用共形开线设计C l u s t e r P l a c e m e n t簇布局C M合约制造商C o m m o n I m p e d a n c e共模阻抗C o n c u r r e n t并行设计C o n s t a n t S o u r c e恒压源C o o p e r P o u r智能覆铜C r o s s t a l k串扰C V T,C o m p o n e n t V e r i f i c a t i o n a n d T r a c k i n g元件确认与跟踪D C M a g n i t u d

29、 e直流幅度D e l a y s延时D e s i g n f o r T e s t i n g可测试性设计D e s i g n a t o r标识D F C,D e s i g n f o r C o s t面向成本的设计D F M,D e s i g n f o r M a n u f a c t u r i n g面向制造过程的设计D F R,D e s i g n f o r R e l i a b i l i t y面向可靠性的设计D F T,D e s i g n f o r T e s t面向测试的设计D F X,D e s i g n f o r X面向产品的整个生命周期

30、或某个环节的设计D S M,D y n a m i c S e t u p M a n a g e m e n t动态设定管理D y n a m i c R o u t e动态布线E D I F,T h e E l e c t r o n i c D e s i g n I n t e r c h a n g eF o r m a t电子设计交互格式E I A,E l e c t r o n i c I n d u s t r i e s A s s o c i a t i o n电子工业协会E l e c t r o D y n a m i c C h e c k动态电性能分析E l e c

31、 t r o m a g n e t i c D i s t u r b a n c e电磁干扰E l e c t r o m a g n e t i c N o i s e电磁噪声E M C,E l c t r o m a g n e t i c C o m p a t i b i l t电磁兼容E M I,E l e c t r o m a g n e t i c I n t e r f e r e n c e电磁干扰E m u l a t i o n硬件仿真E n g i n e e r i n g C h a n g e O r d e r原理图与P C B版图的自动对应修改E n s

32、 e m b l e多层平面电磁场仿真E S D静电释放F a l l T i m e下降时间F a l s e C l o c k i n g假时钟F E P氟化乙丙烯F F T,F a s t F o u r i e r T r a n s f o r m快速傅里叶变换F l o a t L i c e n s e网络浮动F r e q u e n c y D o m a i n频域G a u s s i a n D i s t r i b u t i o n高斯分布G l o b a l f l d u c i a l板基准G r o u n d B o u n c e地弹反射G U I

33、,G r a p h i c a l U s e r I n t e r f a c e图形用户界面H a r m o n i c a射频微波电路仿真H F S S三维高频结构电磁场仿真I B I S,I n p u t/O u t p u t B u f f e r I n f o r m a t i o n S p e c i f i c a t i o n模型I C A M,I n t e g r a t e d C o m p u t e r A i d e d M a n u f a c t u r i n g在E C C E项目里就是指制作P C B I E E E,T h e I

34、 n s t i t u t e o f E l e c t r i c a l a n d E l e c t r o n i c E n g i n e e r s国际电气和电子工程师协会I G E S,I n i t i a l G r a p h i c s E x c h a n g e S p e c i f i c a t i o n三维立体几何模型和工程描述的标准I m a g e F i d u c i a l电路基准I m p e d a n c e阻抗!I n-C i r c u i t-T e s t在线测试I n i t i a l V o l t a g e初始电压

35、I n p u t R i s e T i m e输入跃升时间I P C,T h e I n s t i t u t e f o r P a c k a g i n g a n d I n t e r c o n n e c t封装与互连协会I P O,I n t e r a c t i v e P r o c e s s O p t i m i z a t o n交互过程优化I S O,T h e I n t e r n a t i o n a l S t a n d a r d s O r g a n i z a t i o n国际标准化组织J u m p e r跳线L i n e a r

36、 D e s i g n S u i t线性设计软件包L o c a l F i d u c i a l个别基准m a n u f a c t u r i n g制造业M C M s,M u l t i-C h i p M o d u l e s多芯片组件M D E,M a x w e l l D e s i g n E n v i r o n m e n tN o n l i n e a r D e s i g n S u i t非线性设计软件包O D B+O p e n D a t a B a s e公开数据库O E M原设备制造商O L E A u t o m a t i o n目标连接

37、与嵌入O n-l i n e D R C在线设计规则检查O p t i m e t r i c s优化和参数扫描O v e r s h o o t过冲P a n e l f i d u c i a l板基准P C B P C B o a r d L a y o u t T o o l s电路板布局布线P C B,P r i n t e d C i r c u i t B o a r d印制电路板P e r i o d周期P e r i o d i c P u l s e S o u r c e周期脉冲源P h y s i c a l D e s i g n R e u s e物理设计可重复P

38、I,P o w e r I n t e g r i t y电源完整性P i e c e-W i s e-l i n e a r S o u r c e分段线性源P r e v i e w输出预览P u l s e W i d t h脉冲宽度P u l s e d V o l t a g e脉冲电压Q u i e s c e n t L i n e静态线R a d i a l A r r a y P l a c e m e n t极坐标方式的元件布局R e f l e c t i o n反射R e u s e实现设计重用R i s e T i m e上升时间R n g i n g振荡,信号的振铃

39、R o u n d i n g环绕振荡R u l e s D r i v e n规则驱动设计S a x B a s i c E n g i n e设计系统中嵌入S D E,S e r e n a d e D e s i g n E n v i r o n m e n tS D T,S c h e m a t i c D e s i g n T o o l s电路原理设计工具S e t t l i n g T i m e建立时间S h a p e B a s e以外形为基础的无网格布线S h o v e元器件的推挤布局S I,S i g n a l I n t e g r i t y信号完整性S

40、 i m u l a t i o n软件仿真S k e t c h草图法布线S k e w偏移S l e w R a t e斜率S P C,S t a t i c t i c a l P r o c e s s C o n t r o l统计过程控制S P I,S i g n a l-P o w e r I n t e g r i t y将信号完整性和电源完整性集成于一体的分析工具S P I C E,S i m u l a t i o n P r o g r a m w i t h I n t e g r a t e d C i r c u i t E m p h a s i s集成电路模拟的

41、仿真程序S p l i t/M i x e d L a y e r多电源/地线的自动分隔S S O同步交换S T E P,S t a n d a r d f o r t h e E x c h a n g e o f P r o d u c t M o d e l D a t aS y m p h o n y系统仿真T i m e d o m a i n时域T i m e s t e p S e t t i n g步进时间设臵U H D L,V H S I C H a r d w a r e D e s c r i p t i o n L a n g u a g e硬件描述语言U n d e

42、r s h o o t下冲U n i f o r m D i s t r i b u t i o n均匀分布V a r i a n t派生V I A-V e n d o r I n t e g r a t i o n A l l i a n c e程序框架联盟V i c t i m被干扰对象V i r t u a l S y s t e m P r o t o t y p e虚拟系统原型V S T,V e r f i c a t i o n a n d S i m u l a t i o n T o o l s验证和仿真工具W i z a r d智能建库工具,向导术语英文意义中文解释L C D

43、 L i q u i d C r y s t a l D i s p l a y液晶显示L C M L i q u i d C r y s t a l M o d u l e液晶模块T N T w i s t e d N e m a t i c扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏转90度S T N S u p e r T w i s t e d N e m a t i c超级扭曲向列。约180270度扭曲向列F S T N F o r m u l a t e d S u p e r T w i s t e d N e m a t i c格式化超级扭曲向列。一层光程补偿偏甲于S T N,用于单色显示T

44、 F T T h i n F i l m T r a n s i s t o r薄膜晶体管B a c k l i g h t-背光I n v e r t e r-逆变器O S D O n S c r e e n D i s p l a y在屏上显示D V I D i g i t a l V i s u a l I n t e r f a c e(V G A数字接口T M D S T r a n s i t i o n M i n i m i z e d D i f f e r e n t i a l S i n g n a l i n gL V D S L o w V o l t a g e

45、D i f f e r e n t i a l S i g n a l i n g低压差分信号P a n e l i n k-T C P T a p e C a r r i e r P a c k a g e柔性线路板C O B C h i p O n B o a r d通过绑定将I C裸偏固定于印刷线路板上C O F C h i p O n F P C将I C固定于柔性线路板上C O G C h i p O n G l a s s将芯偏固定于玻璃上D u t y-占空比,高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率E L E l e x t r o L u m i n e s c e n

46、c e电致发光。E L层由高分子量薄片构成C C F L(C C F TC o l d C a t h o d e F l u o r e s c e n t L i g h t/T u d e冷阴极荧光灯P D P P l a s m a D i s p l a y P a n e l等离子显示屏C R T C a t h o d e R a d i a l T u d e阴极射线管V G A V i d e o G r a p h i c A n a y视频图形陈列P C B P r i n t e d C i r c u i t B o a r d印刷电路板C o m p o s i t

47、 e v i d e o-复合视频c o m p o n e n t v ide o-分量视频S-v i d e o-S端子,与复合视频信号比,将对比和颜色分离传输N T S C N a t i o n a l T e l e v i s i o n S y s t e m s C o m m i t t e e N T S C制式。全国电视系统委员会制式P h a s e A l r e r n a t i n g L i n e P A L制式(逐行倒相制式S E q u e n t i a l C o u l e u r A v e c M e m o i r e S E C A M制式

48、(顺序与存储彩色电视系统V i d e o O n D e m a n d视频点播D P I D o t P e r I n c h点每英寸4.A D I A f t e r d e v e l o p i n s p e c t i o n显影后检视6.A l i g n m e n t排成一直线,对平7.A l l o y融合:电压与电流成线性关系,降低接触的阻值8.A R C:a n t i-r e f l e c t c o a t i n g防反射层10.A S I光阻去除后检查13.B e a m-C u r r e n t电子束电流15.B r e a k中断,s t e p p e r机台内中途停止键20.C h i l d l o t子批21.C h i p(d i e晶粒23.C o a t e r光阻覆盖(机台25.C o n t a c t H o l e接触窗26.C o n t r o l W a f e r控片27.C r i t i c a l l a y e r重要层29.C y c l e t i m e生产周期32.D e s c u m预处理35.D G:d u a l g a t e双门38.D o p i n g掺杂39.D o s e剂量40