各类内存条DDR2和DDR3的区别

1、各类内存条DDR2和DDR3的区别电脑内存条的作用、类型以及内存插槽。内存条的作用内存是电脑中的主要部件,它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序,如WindowsXP系统、打字软件、游戏软件等,一般都是安装在硬盘等外存上的,但仅此是不能使用其功能的,必须把它们调入内存中运行,才能真正使用其功能,我们平时输入一段文字,或玩一个游戏,其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上,而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。其是连接CPU 和其他设备的通道,起到缓冲和数据交换作用。当CPU在工作时,需要从硬盘等外部存储器上读取数据,但由于硬盘这个“仓库”太大,加上离CPU

2、也很“远”,运输“原料”数据的速度就比较慢,导致CPU 的生产效率大打折扣!为了解决这个问题,人们便在CPU与外部存储器之间,建了一个“小仓库”内存。内存条类型和接口一、DIMM(双inline记忆模块,双列直插内存模块SDRAM接口;SDRAM dimm 为168Pin DIMM结构,如下图。金手指没面为84Pin,金手指上有两个卡口,用来避免插入接口时,错误将内存反方向插入导致烧毁。不可否认的是,SDRAM 内存由早期的66MHz,发展后来的100MHz、133MHz,尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题,但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题,所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存

3、超频到133MHz使用以获得CPU超频成功,值得一提的是,为了方便一些超频用户需求,市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S,加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划,所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求,此时,Intel为了达到独占市场的目的,与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存(称为RDRAM内存。与SDRAM不同的是,其采用了新一代高速简单内存架构,基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing,精简指令集计算机理论,这个理

4、论可以减少数据的复杂性,使得整个系统性能得到提高。二、DDR内存,DIMM DDRAM内存接口采用184pin DIMM结构,金手指每面有92pin,如下图所示(DDR内存金手指上只有一个卡口有184针的DDR内存(DDR SDRAMSDRAM 内存条/caption芯片和模块标准名称 I/O 总线时脉周期内存时脉数据速率传输方式模组名称极限传输率DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million 并列传输 PC-16001600 MB/sDDR-266 133 MHz 7.5 ns 133 MHz 266 Million 并列传输 PC-2100 2100 M

5、B/sDDR-333 166 MHz 6 ns 166 MHz 333 Million 并列传输 PC-2700 2700 MB/sDDR-400 200 MHz 5 ns 200 MHz 400 Million 并列传输 PC-3200 3200 MB/s利用下列公式,就可以计算出DDR SDRAM时脉。DDR I/II内存运作时脉:实际时脉*2。(由于两笔资料同时传输,200MHz内存的时脉会以400MHz运作。内存带宽=内存速度*8 Byte标准公式:内存除频系数=时脉/200*速算法:外频*(除频频率/同步频率(使用此公式将会导致4%的误差三、DDR2内存,DDR2接口为240pin

6、DIMM结构,如下图。金手指每面有120pin,与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口。但是卡口的位置与DDR内存不同,因此DDR内存条是插不进DDR2内存条的插槽里面的。因此不用担心插错的问题。一款装有散热片的DDR2 1G内存条DDR内存插槽DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽,而且其接口将运行于1.8V 电压上,从而进一步降低发热量,以便提高频率。此外,DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令,提升内存带宽的利用率。从JEDEC 组织者阐述的DDR2标准来看,针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667

7、MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺,内存颗粒的电压为1.8V,容量密度为512MB。各类DDR2内存条的技术参数标准名称 I/O 总线时钟频率周期存储器时钟频率数据速率传输方式模块名称极限传输率位宽DDR2-400 100 MHz 10ns 200 MHz 400 MT/s 并行传输 PC2-3200 3200MB/s 64位DDR2-533 133 MHz 7.5 ns 266 MHz 533 MT/s 并行传输 PC2-420

8、0 PC2-4300 4266 MB/s 64 位DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 MT/s 并行传输 PC2-5300 PC2-5400 5333 MB/s 64 位DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 MT/s 并行传输 PC2-6400 6400 MB/s 64 位DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 MT/s 并行传输PC2-8500PC2-8600 8533 MB/s 64 位现时有售的DDR2-SDRAM已能达到DDR2-1200,但必须在高电压下运作,以维持其稳定性。四、DDR

9、3内存条第三代双倍资料率同步动态随机存取内存(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory,一般称为DDR3 SDRAM,是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品,提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR2 SDRAM(四倍资料率同步动态随机存取内存的后继者(增加至八倍,也是现时流行的内存产品。DDR3相比起DDR2有更低的工作电压,从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度,由于目

10、前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。A-DATA出品的DDR3内存条(DDR SDRAM/caption各类DDR2内存条的技术参数标准名称 I/O 总线时脉周期内存时脉数据速率传输方式模组名称极限传输率位元宽DDR3-800 400 MHz 10 ns 400 MHz 800 MT/s 并列传输 PC3-6400 6.4 GiB/s 64 位元DDR3-1066 533 MHz 712 ns 533 MHz 1066 MT/s

11、并列传输 PC3-8500 8.5 GiB/s 64 位元 DDR3-1333 667 MHz 6 ns 667 MHz 1333 MT/s 并列传输 PC3-10 600 10.6 GiB/s 64 位元 DDR3-1600 667 MHz 5 ns 800 MHz 1600 MT/s 并列传输 PC3-12800 12.8 GiB/s 64 位元 DDR3-1866 800 MHz 42/7 933 MHz 1800 MT/s 并列传输 PC3-14900 14.4 GiB/s 64 位元 DDR3-2133 1066 MHz 33/4 1066 MHz 2133 MT/s 并列传输 PC

12、3-17000 64 位元 DDR2 和 DDR3 的区别 逻辑 Bank 数量，DDR2 SDRAM 中有 4Bank 和 8Bank 的设计，目的 就是为了应对未来大容量芯片的需求。而 DDR3 很可能将从 2GB 容量起步，因此起始的逻辑 Bank 就是 8 个，另外还为未来的 16 个逻辑 Bank 做好了准备。 封装（Packages），DDR3 由于新增了一些功能，所以在引脚方 面会有所增加，8bit 芯片采用 78 球 FBGA 封装，16bit 芯片采用 96 球 FBGA 封装，而 DDR2 则有 60/68/84 球 FBGA 封装三种规格。 并且 DDR3 必须是绿色封装

13、，不能含有任何有害物质。 突发长度（BL，Burst Length），由于 DDR3 的预取为 8bit，所 以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为 8，而对于 DDR2 和早期的 DDR 架构的系统，BL=4 也是常用的，DDR3 为此增加了 一个 4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个 BL=4 的读 取操作加上一个 BL=4 的写入操作来合成一个 BL=8 的数据突发传 输，届时可透过 A12 位址线来控制这一突发模式。而且需要指出 的是，任何突发中断操作都将在 DDR3 内存中予以禁止，且不予 支持， 取而代之的是更灵活的突发传输控制 （如 4bi

14、t 顺序突发） 。 寻址时序（Timing），就像 DDR2 从 DDR 转变而来后延迟周期数 增加一样，DDR3 的 CL 周期也将比 DDR2 有所提升。DDR2 的 CL 范 围一般在 2 至 5 之间， DDR3 则在 5 至 11 之间， 而 且附加延迟 （AL） 的设计也有所变化。DDR2 时 AL 的范围是 0 至 4，而 DDR3 时 AL 有三种选项，分别是 0、CL-1 和 CL-2。另外，DDR3 还新增加了 一个时序参数写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工 作频率而定。 新增功能重置 （Reset） 重置是 DDR3 新增的一项重要功能， ， 并为此专门准备了一个引脚。DRAM 业界已经很早以前就要求增 这一功能，如今终于在 DDR3 身上实现。这一引脚将使 DDR3 的初 始化处理变得简单。当 Reset 命令有效时，DDR3 内存将停止所 有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在 Reset 期间，DDR3 内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与 发送器都将关闭。所有内部的程式装置将复位，DLL（延迟锁相 环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动 静。这样一来，将使 DDR3 达到最节省电力的目的。 新增功能ZQ 校准，ZQ 也是一个新增的脚，在这个引