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文档简介
1、精选优质文档-倾情为你奉上硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法Test method for measuring warp on silicon wafers by automated non-contact scanning(工作组讨论稿)GB/T XXXXX-201X中华人民共和国国家标准ICS 77.040H 17 201X - XX - XX发布 XXXX - XX - XX实施专心-专注-专业前 言本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)提出并归口。本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、上
2、海合晶硅材料有限公司。本标准主要起草人:孙燕、卢立延、徐新华。硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法1 范围本方法适用于在半导体衬底或器件过程中,直径不小于50mm,厚度不小于100um的切割、研磨、腐蚀、抛光、刻蚀、外延或其它表面状态的硅片的翘曲度测试,也可监控因热效应和机械效应引起的晶片翘曲。本方法为非破坏性、无接触的自动扫描测试方法,适用于洁净、干燥硅片的翘曲度测试,不受硅片的厚度、表面加工状态的影响,且与重力引起的变形无关。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注明日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注明日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用
3、于本文件。GB/T 14264 半导体材料术语3 术语和定义 GB/T 14264 界定的术语及定义适用于本文件。4 方法概述将被测硅片放置在平坦、洁净的小吸盘上,吸盘带动硅片沿规定的图形在两个相对的探头之间运动,两个探头同时对硅片的上下表面进行扫描,获得一组上下表面分别到最近的探头间的距离数据。对应扫描的每一点,得到一对X和Y坐标都相同的距离数值。成对的位移数值用于构造一个中位面。得到一对位移数据,构成硅片中位面的数据组(tX,Y)。在中位面上的重力效应的校正是通过从一个典型的硅片测量值(2)或从理论值减去一个重力校正值得到的,也可以是通过翻转晶片扫描进行校正。从合适的中位面构造一个最小二乘
4、法参考平面。参考平面偏离(RPD)是在每对测量点上计算得到的。Warp是在最大的正数(RPD)和最小的负数(RPD)间的代数差。注:虽然硅片的翘曲是由于硅片的上下表面相同的重力造成的,它不可能通过对其中一个面的测量得到,中位面包含了向上、向下或两者都有的区域,在某些情况下,中位面是平的,事实上,翘曲度为零或正数值。5 干扰因素5.1 在测试扫描期间,任何探头间或探头沿探头轴的相对运动都会产生横向位置等效测试数据误差。5.2 样品相对于探针测量轴的振动也会引入误差。为了使该影响被降低到最小,系统提供了特征分析及校正算法。设备内部的监控系统也可以用来纠正非重复和重复系统机械。未能提供这样的修改可能
5、会导致错误。5.3 设备具有一定的厚度测试(结合翘曲度)范围,无需调整即可满足要求。如果校准或测试试样超出测试范围,可能产生错误的结果。操作者可通过设备的超量程信号得知这一情况。5.4 数据点的数量及其间距不同可能影响测试结果。5.5 被测晶片的直径、厚度、表面状态、晶向,可能引起使用的重力补偿结果的差异。对于不同直径和厚度引起的重力补偿错误的预计与信息1相关。如果被测样品的晶体取向不同。使用重力补偿,引入的测量值与实际值偏差达15%。5.6 实行重力补偿方法的不同会有不同的测试结果。不同层次的实行方法的完整性也会得到不同的结果。5.7 系统硅片夹持装置的差异可以引入测量差异。本测试方法允许使
6、用不同的硅片夹持装置(见7.1.4.1)相同的样品在不同的硅片夹持装置中会得到不同的几何形状的结果。5.8 选择基准面不同,得到的翘曲度的值可能不同。SEMI MF657 是使用背表面3点作为基准平面测量翘曲。而背表面基准平面的翘曲结果中包含了厚度差异,测试方法中使用中位面做基准平面消除了这一影响。测试方法中使用最小二乘法参照平面拟合参照平面降低了三点平面计算参考点位置的选择变异。使用(本试验法)特殊的校准或补偿技术,最大限度地减少重力造成的晶片畸变的影响5.9重力可以改变硅片形状,本标准包含了几个消除重力影响的方法,包括方法之一,典型的硅片翻转的方法。注:它涉及由ADE公司提供的专利。5.9
7、 采用硅片翻转的方法消除重力影响时,该硅片本身的翘曲度过大将对测试结果带来影响。6 仪器设备6.1 硅片夹持装置:例如吸盘或硅片边缘夹持装置,该装置的类型和尺寸可由测试双方协商确定。6.2 多轴传输系统,提供了硅片夹持装置或探头在垂直于测试轴的几个方向的可控移动方式。该移动应允许在合格质量区域内以指定的扫描方式收集数据,且可设定采样数据点的间距。6.3 探头部件,带有一对非接触位移传感探头,探头支持装置和指示单元(见图1)。a) 探头应能独立探测晶片的两个表面到距之最近探头的距离a和b。b) 探头将被分别安装在硅片两面,并使两探头相对。c) 两探头同轴,且其共同轴为测试轴。d) 校准和测试时探
8、头距离D应保持不变。e) 位移分辨率应小于或等于100nm。f) 探头传感器尺寸为4mm×4mm,或由测试双方确定。6.4 采用有代表性的晶片翻转方法或样片翻转重力补偿的方法,测量必须在同一位置进行;因此测量设备应在每个方向提供精确的定位。6.5系统控制系统,包括数据处理器及合适的软件。测试设备应具有程序输入选择清单的功能;可以自动按照操作者设定的条件进行测量、数据处理,并根据操作者的设置数值对硅片分类。必要的计算应可在设备系统内部自动完成,并可直接显示测量结果。6.6 数据报告分辨率应小于等于100 nm。6.7 硅片传输系统,包括硅片的自动装载和分类功能。图 1 硅片、探头、设备
9、示意图7 测量步骤7.1 参数设置:根据需要选择测试硅片的翘曲度测量,也包括选择直径、硅片厚度、数据显示和输出方式。7.1.2 选择其中一种重力修正方法:7.1.2.1,翻转参考片方法(见注3);7.1.2.2翻转样品的方法;7.1.2.3理论模型的方法。7.1.4对自动测试设备,可进行基准面的选择:构成基准面的点应位于合格质量区内。(1)最小二乘法拟合的基准平面(L)(2)背表面3点(3p)7.1.5 通过规定边缘去除EE尺寸选择合格质量区域(FQA)。7.2 校准及校准用参考片7.2.1参考片-参考片自身标有翘曲度参数的数据,该参数值是使用测试设备通过大量重复测试获得的平均值,或者是基于设
10、备重复性研究的统计值;用以 确定是否该设备制造商的操作说明中的可重复性性能。如果测量设备是用来测量其他参数,如除翘曲外还测量平整度和厚度变化,参考样片的warp值可以被列入由SEMI MF1530指定的参考片的系列数据中,但如果仅仅测量warp值,就没有必要。7.2.1.1参考片-用于确定由测量设备测得的warp值与参考片值间的一致程度在参考片的warp值和测量warp值得偏差的可接受水平是由当事人双方约定的。参考片的warp值应小于等于20µm。(见9)。7.2.1.2有代表性硅片-如果使用有代表性的硅片翻转方法进行重力修正,要求这有代表性的硅片应与被测片具有完全相同的标称直径、标
11、称厚度、基准结构和结晶取向,这些是被测定的,它的warp不需要知道。7.2.2校准-使用由设备制造商推荐的校准方法对设备进行校准,并使之规范化。7.3 测量73.1将测试样片正面朝上放入测试设备,确定和记录每个测量位置两探头间的距离及每个探头到最近的硅片表面的距离a b。利用(1)使用样片翻转方法得到修正由于重力带来的硅片变形的影响。或者(2)使用有代表性的典型硅片,通过将典型硅片翻转方法获得重力修正(见注3)7.3.2将硅片背表面朝上放入测量设备,重复7.3.27.4 测试结果计算7.4.1 通常由设备内部自动完成下面的计算。以下提供的离线计算是为显示完整的程序。7.4.2 沿扫描路径间距测
12、量两个探头间和每个探头到最近的硅片表面的一对距离数据。 注6从图1.探头A与距之最近的硅片表面的距离值定义为a,探头B与距之最近的硅片表面的距离值定义为b7.4.3 设定Z轴原点在两个探头A和B的中点。7.4.4找出每一点上Z轴的中位面距离Zm.式中:D :探针 A an和 B间的距离;a :探针 A与最近的硅片表面(硅片上表面)的距离;b:探针BA与最近的硅片表面(硅片下表面)的距离;t : 硅片厚度。7.4.5硅片正面朝上时在正方向的测量值称为中位点Znor7.4.6硅片背面朝上时在正方向的测量值称为中位点Znor7.4.7对使用典型硅片或样片翻转方法,确定对中位面重力修正如下:注7有代表
13、性硅片的形状效果记忆抵消了重力的影响7.4.8确定中位面的重力补偿如下:7.4.8.1有代表性的硅片翻转方法-从每个测量点的Znor值减去重力Zgravity。注8:有代表性硅片翻转方法不仅仅与一阶重力影响有关,也和如硅片外围影响,设备的特性等有关,这些可能影响测量值。7.4.8.2 样片翻转方法-从每个测量点的Znor值减去重力Zgravity。注意这相当于每点正常和翻转之间的测量值取差值。7.4.8.3 理论模型方法-应用从理论模型学到的重力修正的研发,虽然严格的模型并不知道,近似的修正已经被计算出来(见附录1)7.4.9 用扫描模式的所有点构建一个参考平面的最小二乘拟合的重力补偿的中位面数据。参考平面的形式:7.4.10从补偿值z-value减去基准面的Zref。在扫描路径中所有点的zcom基准面偏差RPDRPD = zcom zref (10)7.4.11用最大值(最正)与最小值(最负)RPD,计算硅片Warp。warp = RPDmax RPDmin (11)7.4.12记录计算的warp值。7.4.13对仲裁或其他测量,片子被测量次数大于一次时,计算该样品所有测量范围的最大值、最小值、标准偏差、平均值。7.4.13.1记录样品
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