光纤通信第三章 ppt课件

1、本章内容 光源：半导体激光器和发光二极管。 光电检测器：PIN和APD光电二极管。 无源光器件：光衔接器、光衰减器、光耦合器和光开关等。本章重点 激光器的任务原理。 光源和光电检测器任务原理及其任务特性。 无源光器件的功能及主要性能。本章难点 发光机理。 了解半导体激光器的物理根底。 掌握半导体激光器和发光二极管任务原理及其任务特性。 熟习光源的驱动电路任务原理。 掌握光电检测器的任务原理及特性。 掌握无源光器件的功能及主要性能。 光源器件：光纤通讯设备的中心，其作用是将电信号转换成光信号送入光纤。 光纤通讯中常用的光源器件有半导体激光器和半导体发光二极管两种。 半导体激光器LD：适用于长间隔

2、大容量的光纤通讯系统。尤其是单纵模半导体激光器，在高速率、大容量的数字光纤通讯系统中得到广泛运用。 发光二极管LED：适用于短间隔、低码速的数字光纤通讯系统，或者是模拟光纤通讯系统。其制造工艺简单、本钱低、可靠性好。3.1.1 激光器的任务原理 半导体激光器：是向半导体P-N结注入电流，实现粒子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反响，实现光放大而产生激光振荡输出激光。 1激光器的物理根底 1光子的概念 光量子学说以为，光是由能量为hf 的光量子组成的，其中h=6.6281034 Js焦耳秒，称为普朗克常数，f 是光波频率，人们将这些光量子称为光子。 当光与物质相互作用时，光子的能量作为

3、一个整体被吸收或发射。 2原子能级 物质是由原子组成，而原子是由原子核和核外电子构成。原子有不同稳定形状的能级。 最低的能级E1 称为基态，能量比基态大的一切其他能级E ii=2，3，4，都称为激发态。当电子从较高能级E2跃迁至较低能级E1时，其能级间的能量差为E =E2E1，并以光子的方式释放出来，这个能量差与辐射光的频率f 12之间有以下关系式1212hfEEE 式中，h为普朗克常数，f 12 为吸收或辐射的光子频率。 当处于低能级E1 的电子遭到一个光子能量E =hf12的光照射时，该能量被吸收，使原子中的电子激发到较高的能级E2 上去。 光纤通讯誉的发光元件和光检测元件就是利用这两种景

4、象。 3光与物质的三种作用方式 光与物质的相互作用，可以归结为光与原子的相互作用，将发生受激吸收、自发辐射、受激辐射三种物理过程。如图3-1所示。图3-1 能级和电子跃迁 在正常形状下，电子通常处于低能级即基态E1，在入射光的作用下，电子吸收光子的能量后跃迁到高能级即激发态E2，产生光电流，这种跃迁称为受激吸收光电检测器。 处于高能级E2 上的电子是不稳定的，即使没有外界的作用，也会自发地跃迁到低能级E1 上与空穴复合，释放的能量转换为光子辐射出去，这种跃迁称为自发辐射发光二极管。 在高能级E2上的电子，遭到能量为hf12的外来光子激发时，使电子被迫跃迁到低能级E1 上与空穴复合，同时释放出一

5、个与激光发光同频率、同相位、同方向的光子称为全同光子。由于这个过程是在外来光子的激发下产生的，所以这种跃迁称为受激辐射激光器。 注：受激辐射光为相关光，自发辐射光是非相关光。 4粒子数反转分布与光的放大 受激辐射是产生激光的关键。 如设低能级上的粒子密度为N1，高能级上的粒子密度为N2，在正常形状下， N1 N2，总是受激吸收大于受激辐射。即在热平衡条件下，物质不能够有光的放大作用。 要想物质产生光的放大，就必需使受激辐射大于受激吸收，即使N2 N1 高能级上的电子数多于低能级上的电子数，这种粒子数的反常态分布称为粒子电子数反转分布。 粒子数反转分布形状是使物质产生光放大而发光的首要条件。 2

6、激光器的任务原理 激光器包括以下3个部分： 必需有产生激光的任务物质激活物质； 必需有可以使任务物质处于粒子数反转分布形状的鼓励源泵浦源； 必需有可以完成频率选择及反响作用的光学谐振腔。 1产生激光的任务物质 即处于粒子数反转分布形状的任务物质，称为激活物质或增益物质，它是产生激光的必要条件。 2泵浦源 使任务物质产生粒子数反转分布的外界鼓励源，称为泵浦源。 物质在泵浦源的作用下，使得N2N1，从而受激辐射大于受激吸收，有光的放大作用。这时的任务物质已被激活，成为激活物质或增益物质。 3光学谐振腔 激活物质只能使光放大，只需把激活物质置于光学谐振腔中，以提供必要的反响及对光的频率和方向进展选择

7、，才干获得延续的光放大和激光振荡输出。 激活物质和光学谐振腔是产生激光振荡的必要条件。 图3-2 光学谐振腔的构造 光学谐振腔的构造 在激活物质的两端的适当位置，放置两个反射系数分别为r1和r2的平行反射镜M1和M2，就构成了最简单的光学谐振腔。 假设反射镜是平面镜，称为平面腔；假设反射镜是球面镜，那么称为球面腔，如图3-2所示。对于两个反射镜，要求其中一个能全反射，另一个为部分反射。 谐振腔产生激光振荡过程 如图3-3所示，当任务物质在泵浦源的作用下，已实现粒子数反转分布，即可产生自发辐射。假设自发辐射的方向不与光学谐振腔轴线平行，就被反射出谐振腔。只需与谐振腔轴线平行的自发辐射才干存在，继

8、续前进。 当它遇到一个高能级上的粒子时，将使之感应产生受激跃迁，在从高能级跃迁到低能级中放出一个全同的光子，为受激辐射。 当受激辐射光在谐振腔内来回反射一次，相位的改动量正好是2的整数倍时，那么向同一方向传播的假设干受激辐射光相互加强，产生谐振。到达一定强度后，就从部分反射镜M2透射出来，构成一束笔直的激光。 当到达平衡时，受激辐射光在谐振腔中每往返一次由放大所得的能量，恰好抵消所耗费的能量时，激光器即坚持稳定的输出。图3-3 激光器表示图 光学谐振腔的谐振条件与谐振频率 设谐振腔的长度为L，那么谐振腔的谐振条件为 3-2或 3-3 式中，c为光在真空中的速度，为激光波长，n为激活物质的折射率

9、，L为光学谐振腔的腔长，q=1，2，3称为纵模模数。 谐振腔只对满足式3-2的光波波长或式3-3的光波频率提供正反响，使之在腔中相互加强产生谐振构成激光。qnL2nLqf2cc 起振的阈值条件 激光器能产生激光振荡的最低限制称为激光器的阈值条件。如以G th表示阈值增益系数，那么起振的阈值条件是 3-4 为光学谐振腔内激活物质的损耗系数，L为光学谐振腔的腔长，r1，r2为光学谐振腔两个反射镜的反射系数。21th1ln21rrLG 用半导体资料作为任务物质的激光器，称为半导体激光器LD，对LD的要求如下。 光源的发光波长应符合目前光纤的三个低损耗窗口即0.85m、1.31m和1.55m。 可以在

10、室温下长时间延续任务，并能提供足够的光输出功率。目前LD的尾纤输出功率可达500W2mW；LED的尾纤输出功率可达10W左右。 与光纤耦合效率高。 光源的谱线宽度要窄。较好的LD的谱线宽度可到达0.1nm。 寿命长，任务稳定。 1半导体激光器的根本构造和任务原理 有两种方式构成的激光器：F-P腔激光器和分布反响型DFB激光器。F-P腔激光器从构造上可分为3种，如图3-4所示。图3-4 半导体激光器的构造表示图 1同质结半导体激光器。 其中心部分是一个P-N结，由结区发出激光。 缺陷是阈值电流高，且不能在室温下延续任务，不能适用。 2异质半导体激光器 异质半导体激光器包括单异质和双异质半导体激光

11、器两种。 异质半导体激光器的“结是由不同的半导体资料制成的，目的是降低阈值电流，提高效率。 特点是对电子和光子产生限制造用，减少了注入电流，添加了发光强度。 目前，光纤通讯誉的激光器大多采用如图3-5所示的铟镓砷磷InGaAsP双异质结条形激光器。图3-5 InGaAsP双异质结条形激光器的根本构造 nInGaAsP是发光的作用区，其上、下两层称为限制层，它们和作用区构成光学谐振腔。限制层和作用层之间构成异质结。最下面一层nInP是衬底，顶层P+InGaAsP是接触层，其作用是为了改善和金属电极的接触。 3任务原理 用半导体资料做成的激光器，当激光器的P-N结上外加的正向偏压足够大时，将使得P

12、-N结的结区出现了高能级粒子多、低能级粒子少的分布形状，这即是粒子数反转分布形状，这种形状将出现受激辐射大于受激吸收的情况，可产生光的放大作用。 被放大的光在由P-N构呵斥的F-P光学谐振腔谐振腔的两个反射镜是由半导体资料的天然解理面构成的中来回反射，不断加强，当满足阈值条件后，即可发出激光。 2半导体激光器的任务特性 1发射波长 半导体激光器的发射波长取决于导带的电子跃迁到价带时所释放出的能量，这个能量近似等于禁带宽度Eg(eV)，由式3-1得 hf = Eg 3-5 式中， ，f (Hz)和(m)分别为发射光的频率和波长，c=3108m/s， h=6.6281034 Js，leV=1.60

13、1019 J为电子伏特，代入式3-5得 (m) 3-6 由于能隙与半导体资料的成分及其含量有关，因此根据这个原理可以制成不同发射波长的激光器。cf)eV(24. 1gE 2阈值特性 对于LD，当外加正向电流到达某一数值时，输出光功率急剧添加，这时将产生激光振荡，这个电流称为阈值电流，用Ith 表示。如图3-6所示。阈值电流越小越好。图3-6 典型半导体激光器的输出特性曲线 3光谱特性 LD的光谱随着鼓励电流的变化而变化。当IIth时，发出的是荧光，光谱很宽，如图3-7a所示。当I Ith后，发射光谱忽然变窄，谱线中心强度急剧添加，阐明发出激光，如图3-7b所示。图3-7 GaAlAs-GaAs

14、激光器的光谱 随着驱动电流的添加，纵模模数逐渐减少，谱线宽度变窄。当驱动电流足够大时，多纵模变为单纵模，这种激光器称为静态单纵模激光器。 普通激光器任务在直流或低码速情况下，它具有良好的单纵模谱线，所对应的光谱只需一根谱线，如图3-8a所示。而在高码速调制情况下，其线谱呈现多纵模谱线。如图3-8b所示。 普通，用F-P谐振腔可以得到的是直流驱动的静态单纵模激光器，要得到高速数字调制的动态单纵模激光器，必需改动激光器的构造，例如分布反响半导体激光器DFB-LD。图3-8 GaAlAs-GaAs激光器的输出光谱 4转换效率 半导体激光器的电光功率转换效率常用微分量子效率d表示，其定义为激光器到达阈

15、值后，输出光子数的增量与注入电子数的增量之比，其表达式为 3-7由此得 3-8 式中，P为激光器的输出光功率；I为激光器的输出驱动电流，Pth为激光器的阈值功率；Ith为激光器的阈值电流；hf 为光子能量；e为电子电荷。ththththd/ )(/ )(IIPPeIIhfPPhfe)(thdthIIehfPP 5温度特性 激光器的阈值电流和输出光功率随温度变化的特性为温度特性。阈值电流随温度的升高而加大，其变化情况如图3-9所示。图3-9 激光器阈值电流随温度变化的曲线 3分布反响半导体激光器DFB-LD DFB-LD是一种可以产生动态控制的单纵模激光器称为动态单纵模激光器，即在高速调制下依然

16、能单纵模任务的半导体激光器。它是在异质结激光器具有光放大作用的有源层附近，刻有波纹状的周期光栅而构成的，如图3-10所示。图3-10 DFB-LD构造表示图 4量子阱半导体激光器 量子阱半导体激光器与普通双异质激光器类似，只是有源区的厚度很薄几十埃，如图3-11所示。当有源区的厚度非常小时，在有源区的异质结将产生一个势能阱，因此将产生这种量子效应的激光器称为量子阱半导体激光器。图3-11 量子阱半导体激光器 1LED的任务原理 发光二极管LED是非相关光源，是无阈值器件，它的根本任务原理是自发辐射。 发光二极管与半导体激光器差别是：发光二极管没有光学谐振腔，不能构成激光。仅限于自发辐射，所发出

17、的是荧光，是非相关光。半导体激光器是受激辐射，发出的是相关光。 2LED的构造 LED也多采用双异质结芯片，不同的是LED没有解理面，即没有光学谐振腔。由于不是激光振荡，所以没有阈值。 LED分为两大类：一类是面发光型LED，另一类是边发光型LED，其构造表示图如图3-12所示。图3-12 常用的两类发光二极管LED 3LED的任务特性 1光谱特性 LED谱线宽度比激光器宽得多。图3-13是InGaAsP LED的输出光谱。 图3-13 InGaAsP LED的发光光谱 2输出光功率特性 两种类型的LED输出光功率特性如图3-14所示。驱动电流I 较小时，P I 曲线的线性较好；当I 过大时，

18、由于P-N结发热而产生饱和景象，使P I 曲线的斜率减小。图3-14 发光二极管LED的P I 特性 3温度特性 由于LED是无阈值器件，因此温度特性较好。 4耦合效率 由于LED发射出的光束的发散角较大，因此与光纤的耦合效率较低。普通只适于短间隔传输。 5调制特性 调制频率较低。在普通任务条件下，面发光型LED截止频率为20MHz30MHz，边发光型LED截止频率为100MHz150MHz。 比较： LED与LD相比，LED输出光功率较小，谱线宽度较宽，调制频率较低。但LED性能稳定，寿命长，运用简单，输出光功率线性范围宽，而且制造工艺简单，价钱低廉。 LED通常和多模光纤耦合，用于1.31

19、m或0.85m波长的小容量、短间隔的光通讯系统。 LD通常和单模光纤耦合，用于1.31m或1.55m大容量、长间隔光通讯系统。 分布反响半导体激光器DFB-LD主要也和单模光纤或特殊设计的单模光纤耦合，用于1.55m超大容量的新型光纤系统，这是目前光纤通讯开展的主要趋势。 光电检测器完成光/电信号的转换。对光检测器的根本要求是： 在系统的任务波长上具有足够高的呼应度，即对一定的入射光功率，可以输出尽能够大的光电流； 具有足够快的呼应速度，可以适用于高速或宽带系统； 具有尽能够低的噪声，以降低器件本身对信号的影响； 具有良好的线性关系，以保证信号转换过程中的不失真； 具有较小的体积、较长的任务寿

20、命等。 目前常用的半导体光电检测器有两种，PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管。 光电检测器是利用半导体资料的光电效应实现光电转换的。 光电效应如图3-15a和b所示。 当入射光子能量hf 小于禁带宽度Eg时，不论入射光有多强，光电效应也不会发生，即产生光电效应必需满足以下条件 hf Eg 3-9 即光频fc 的入射光是不能产生光电效应的，将fc 转换为波长，那么 c= 。即只需波长 c 的入射光，才干使这种材料产生光生载流子，故c 为产生光电效应的入射光的最大波长，又称为截至波长，相应的fc 称为截至频率。hEggEhchEggEhc图3-15 半导体资料的光电效应 PIN光电二极管是在掺

21、杂浓度很高的P型、N型半导体之间，加一层轻掺杂的N型资料，称为IIntrinsic，本征的层。由于是轻掺杂，电子浓度很低，经分散后构成一个很宽的耗尽层，如图3-16a所示。这样可以提高其呼应速度和转换效率。构造表示图如图3-16b所示。图3-16 PIN光电二极管 雪崩光电二极管，又称APDAvalanche Photo Diode。它不但具有光/电转换作用，而且具有内部放大作用，其放大作用是靠管子内部的雪崩倍增效应完成的。 1APD的雪崩效应 APD的雪崩倍增效应，是在二极管的P-N结上加高反向电压，在结区构成一个强电场；在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，

22、使价带的电子得到了能量；越过禁带到导带，产生了新的电子空穴对；新产生的电子空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子空穴对如此循环下去，构成雪崩效应，使光电流在管子内部获得了倍增。 APD就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。 2APD的构造 目前APD构外型式，有维护环型和拉通又称通达型。 维护环型在制造时淀积一层环形N型资料，以防止在高反压时使P-N结边缘产生雪崩击穿。 拉通型雪崩光电二极管RAPD的构造表示图和电场分布如图3-17所示。图3-17a所示的是纵向剖面的构造表示图。图3-17b所示的是将纵向剖面顺时针转90的表示图。图3-17c所示的是它的电场强度随位

23、置变化的分布图。 APD随运用的资料不同有几种：Si-APD任务在短波长区；Ge-APD和InGaAs-APD任务在长波长区等。 图3-17 RAPD的构造图和能带表示图 PIN管特性包括呼应度、量子效率、呼应时间和暗电流。 APD管除有上述特性外，还有雪崩倍增特性、温度特性等。 1PIN光电二极管的特性 1呼应度和量子效率 呼应度和量子效率表征了光电二极管的光电转换效率。 呼应度 呼应度定义 A/W3-10 其中，Ip为光电检测器的平均输出电流，Pin为入射到光电二极管上的平均光功率。 inpPIR 量子效率 量子效率表示入射光子转换为光电子的效率。它定义为单位时间内产生的光电子数与入射光子

24、数之比，即 3-11 其中，e为电子电荷，hf 为一个光子的能量， 3-12 式中 m/s为光速， s为普朗克常数。 也就是说，光电二极管的呼应度和量子效率与入射光频率波长有关。图3-18为硅APD雪崩管的量子效率与波长的关系。inpinpPIhfPeI入射光子数目空穴对数目子光电转换产生的有效电Rehfehf 24. 1chehfeR8103cJ10628. 634h图3-18为硅APD雪崩管的量子效率与波长的关系。 2呼应时间 呼应速度是指半导体光电二极管产生的光电流跟随入射光信号变化快慢的形状。普通用呼应时间上升时间和下降时间来表示。显然呼应时间越短越好。 3暗电流 在理想条件下，当没有

25、光照时，光电检测器应无光电流输出。但是实践上由于热鼓励等，在无光情况下，光电检测器仍有电流输出，这种电流称为暗电流。 严厉地说，暗电流还应包括器件外表的漏电流。暗电流会引起接纳机噪声增大。因此，器件的暗电流越小越好。 2APD的特性 APD除了PIN的特性之外还包括雪崩倍增特性、温度特性等。 1倍增因子 倍增因子g实践上是电流增益系数。在忽略暗电流影响的条件下，它定义为 g=I0/Ip 3-13 I0为有雪崩倍增光阴电流平均值，Ip为无倍增效应光阴电流平均值。PIN管由于无雪崩倍增作用，所以g=1。 2温度特性 随着温度的升高，倍增增益将下降。 3噪声特性 PIN管的噪声，主要为量子噪声和暗电

26、流噪声，APD管还有倍增噪声。 无源光器件是除光源器件、光检波器件之外不需求电源的光通路部件。 无源光器件可分为衔接用的部件和功能性部件两大类。 衔接用的部件有各种光衔接器，用做光纤和光纤、部件设备和光纤、或部件设备和部件设备的衔接。 功能性部件有分路器、耦合器、光合波分波器、光衰减器、光开关和光隔离器等，用于光的分路、耦合、复用、衰减等方面。 光纤衔接器，俗称活接头，ITU-T建议将其定义为“用以稳定地，但并不是永久地衔接两根或多根光纤的无源组件。 光纤衔接器主要用于实现系统中设备与设备、设备与仪表、设备与光纤及光纤与光纤的非永久性固定衔接等。 1光纤衔接器的根本构成 由三个部分组成的：两个

27、配合插头和一个耦合管。两个插头装进两根光纤尾端；耦合管起对准套管的作用。如图3-19所示。图3-19 光纤活动衔接器根本构造 2光纤衔接器的分类 光纤衔接器按光纤数量、光耦合系统、机械耦合系统、套管构造和紧固方式进展分类，如表3-1所示。 表3-1光纤衔接器的分类单通道对接套筒/V型槽直套管螺丝多通道透镜锥型锥型套管销钉单/多通道其他其他其他弹簧销 3光纤衔接器的性能 插入损耗介入损耗，该值越小越好。平均损耗值应不大于0.5dB。 回波损耗或称反射损耗、回损、回程损耗，是衡量从衔接器反射回来并沿输入通道前往的输入功率分量的一个度量值，该值越大越好。其典型值应不小于25dB。 互换性，每次互换后

28、，其衔接损耗变化量越小越好。 反复性，即每次插拔时衔接损耗变化量要小。 插拔寿命最大可插拔次数，光纤衔接器的插拔寿命普通由元件的机械磨损情况决议。 4部分常见光纤衔接器 FC型。其接头的对接方式为平面对接。 PC型。是FC型的改良型。其对接面由平面变为拱型凸面。是我国最通用的规格。 SC型。其构造尺寸与FC型一样，端面处置采用拱型凸面或PC研磨方式。 DIN47256型。由德国开发。 双锥型衔接器。由美国贝尔实验室开发研制。 5固定衔接 光纤与光纤的衔接有两种，活动衔接和永久性衔接。以上引见了活动衔接。永久性衔接有粘接法和熔接法，目前多用熔接法。 光衰减器是用来稳定地、准确地减小信号光功率的无

29、源光器件。 光衰减器主要用于调整中继段的线路衰减，丈量光系统的灵敏度及校正光功率计等。 光衰减器分固定衰减器和可变衰减器两种。 1固定衰减器，其呵斥的功率衰减值是固定不变的，普通用于调理传输线路中某一区间的损耗。 2可变衰减器，它所呵斥的功率衰减值可在一定范围内调理。可变衰减器又分为延续可变和分挡可变两种。 光分路耦合器是分路和耦合光信号的器件。 功能是把一个输入的光信号分配给多个输出分路，或把多个输入的光信号组合成一个输出耦合。 1耦合器类型 1T形耦合器 2星形耦合器 3定向耦合器 4波分复用器/解复用器也称合波器/分波器 如图3-20所示。图3-20 常用耦合器的类型 2主要性能目的 表

30、示光纤耦合器性能目的的参数有：隔离度、插入损耗和分光比等。下面以22定向耦合器为例来阐明。 1隔离度A 如图3-20c所示，由端1输入的光功率P1应从端2和端3输出，端4实际上应无光功率输出。但实践上端4还是有少量光功率输出P4，其大小就表示了1、4两个端口的隔离程度。隔离度A表示为 3-14普通情况下，要求 。(dB)log101441PPA、dB20A 2插入损耗L 它表示了定向耦合器损耗的大小。插入损耗等于输出光功率之和与输入光功率之比的分贝值，用L表示为 3-15 普通情况下，要求L 3分光比T 分光比等于两个输出端口的光功率之比，如从端1输入光功率，那么端2和端3分光比 3-16 普

31、通情况下，定向耦合器的分光比为11110。(dB)log10132PPPL23PPT dB5 . 0 1光隔离器 光隔离器是保证光波只能正向传输，防止线路中由于各种要素而产生的反射光再次进入激光器而影响激光器的任务稳定性。 光隔离器主要用在激光器或光放大器的后面。 2光环形器 光环形器与光隔离起任务原理根本一样，只是光隔离器普通为两端口器件，而光环形器那么为多端口器件。如图3-21所示。 光环形器为双向通讯中的重要器件，它可以完成正反向传输光的分别义务。图3-22所示为光环形器用于单纤双向通讯的例子。 图3-21 光环形器表示图图3-22 光环形器用于单纤双向通讯表示图 3光隔离器的性能目的

32、插入损耗和隔离度是光隔离器的两个主要性能参数，另还有回波损耗，偏振相关损耗和偏振模色散。 1插入损耗 插入损耗是指在光隔离器通光方向上传输的光信号由于引入光隔离器而产生的附加损耗。假设输入的光信号功率为Pi，经过光隔离器后的功率为Po，那么插入损耗IL为 3-17 显然，其值越小越好。(dB)log10ioPPIL 2回波损耗 回波损耗是指由于构成光隔离器的各元件、光纤以及空气折射率失配引起的反射呵斥的对入射光信号的衰减。回波损耗RL为 3-18 其中，Pi为正向输入光隔离器的光信号功率，Pr为前往输入端口的光功率。 RL值越大越好。 3隔离度 隔离度是指在逆光隔离器通光方向上传输的光信号由于引入光隔离器而产生的损耗。有 3-19其中， 为反向输入光隔离器的光信号功率， 为反向经过光隔离器的光功率。隔离度越大越好。(dB)log10irPPRL(dB)log10iosoPPIiPoP 4偏振相关损耗PDL 是指输入光偏振态发生变化而其他参数不变时，器件插入损耗的最大变化量。它是衡量器件插入损耗受偏振态影响程度的目的。 5偏振模色散PMD 是指经过器件的信号光不同偏振态之间的相位延迟。 注：普通情况下，光通讯系统对光隔离器的主要技术目的要求为