电力电子技术及答案1

1、模拟题（1）填空题（每小空1分，共13分）1. 正弦脉宽调制（SPWM技术运用于电压型逆变电路中， 当改变_ 调制比可改变逆变器输出电压幅值；改变_调制波频率可改变逆变器输出电压频率；改 变载波频率可改变开关管的工作频率。2将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路 称为有源逆变器。3. 晶闸管变流器主电路要求角发电路的触发脉冲应具有一定的宽度，且前沿尽可能 陡。4. 电流型逆变器中间直流环节以 电感贮能。5. 在PWM斩波器中，电压比较器两个输入端信号分别是三角波信号和直流信号6 .三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位 按相序依次互差 120°。7. 在实际应用

2、中，双向晶闸管常采用_I +和 皿-两种触发方式。8. 控制角a与逆变角B之间的关系为B二刀-a<二、单项选择题（每小题2分，共30分。从每小题的四个备选选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码填在题干后 面的括号内。）1 .在型号为KP10-12G中，数字10表示（B ）。A. 额定电压10VB.额定电流10AC.额定电压1000VD.额定电流1000A2.下列电路中，不可以实现有源逆变的有（B ）。A.三相半波可控整流电路B.三相桥式半控整流电路C.单相桥式可控整流电路D.单相全波可控整 流 电 路 外 接 续 流 二 极 管3. 整流变压器漏抗对电路的影响有（A ）。A.整流装

3、置的功率因数降低B.输出电压脉动减小C.电流变化缓和D.引起相间短路4. 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称 为（B ）一次击穿二次击穿临界饱和反向截止5 .逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成（B ）大功率三极管逆阻型晶闸管双向晶闸管可关断晶闸管6. 已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（A ）减小至维持电流I h以下减小至擎住电流II以下减小至门极触发电流I g以下减小至5A以下7. 单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（B ） U2 '2U2 2.2U26U28. 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联

4、一个续流二极 管的目的是（D ）增加晶闸管的导电能力抑制温漂增加输出电压稳定性防止失控现象的产生9. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值 Ud的表达式是（A ）Ud=- 2.34U 2cos BU=1.17U2COSBUb= 2.34U 2cos BU=-0.9U2COS 310. 若减小SPW逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是 （C ）减小三角波频率减小三角波幅度减小输入正弦控制电压幅值减小输入正弦控制电压频率11. 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电 压，管子都将工作在（ B ）A.导通状态 B.关断状态C.饱和状态 D.不定12. 单相半波可

5、控整流电阻性负载电路中，控制角a的最大移相 范围是（D）A.90 °B.120 °C.150°D.180°13. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角a的移相范围 是（A ）A.0 °90°B.0180°C.90 °180°D.18036014. 在大电感负载三相全控桥中，当a =90°时，整流电路的输出 是 （ B ）A.U2B.02D.1.732U215. 单结晶体管同步振荡触发电路中，改变Re能实现（A ）A.移相B.同步C.增大脉冲宽度D.增大脉冲幅值模拟题2电力电子技术试卷答案一、

6、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体 管MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管IGBT _; IGBT 是 MOSFE1和GTR 的复合管。2、 晶闸管对触发脉冲的要求是 要有足够的驱动功率 _、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多个晶闸管相并联时必须考虑 _均流_的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。4、在电流型逆变器中，输出电压波形为 正弦波 输出电流波形为方波?。5、 型号为KS100-8的元件表示 双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为 800 伏、额定有效电流为100 。6、180&#

7、176;导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在 同一桥 臂上的上、下二个元件之间进行；而 120。导电型三相桥式逆变 电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 增加_、正反向漏电流会下降当温度升高时，晶闸管的触发电流会 下降正反向漏电流会 增加_。&在有环流逆变系统中，环流指的是只流经 _?逆变电源 、 逆变桥 而不流经 负载 的电流。环流可在电路中加 电抗器 来限制。为了减小环流一 般米控用控制角a 大于 B的工作方式。9、 常用的过电流保护措施有 快速熔断器？、串进线电抗器、 接入直流快速开关_、控制快速移相使输出电压下降。 （写出四种

8、即可）10、 双向晶闸管的触发方式有 I +、_1 -、皿+、_ 皿- 四种。二、判断题，（每题1分，10分）（对"、错X）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。（ V ）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在 逆变状态。（ X ）3、 晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（ X ）4、 逆变角太大会造成逆变失败。（ X ）5、 并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（ V ）6、 给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（ X ）7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送

9、给负载。 （ X8 在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（ X ）9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为 300Hn （ X10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。？（ V三、选择题（每题3分，15分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 _ A 度。A 180°,B、60°, c、360°,D、120°2、 a为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A, 0 度， B , 60 度， C , 30 度， D, 120 度，3、

10、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。A、同步电压， B、控制电压，C、脉冲变压器变比。4、 可实现有源逆变的电路为A 。A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。5、在一般可逆电路中，最小逆变角B min选在下面那一种范围合理A 。A、30o-35o,B、10o-15o,C、Oo-lOo,Oo。模拟题3一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管_GT _;可关断晶闸管GTQ;功率场效应晶体管_MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 _IGBT _； I

11、GBT是MOSFE>GTR_的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是_要有足够的驱动功率 _、触发脉冲前沿要陡幅值要高和_触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是 _ 串专用 均流电抗器。4、在电流型逆变器中，输出电压波形为 _正弦波 _，输出电流波形为 方波。5、 型号为KS100-8的元件表示 双向晶闸管_晶闸管、它的额定电压为 800 _伏、额定有效电流为 _100A_。& 180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在 _同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元

12、件之间进行的。7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 增加、正反向漏电流会 下降当温度升高时，晶闸管的触发电流会 下降_、正反向漏电流会增加_。8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经 _逆变电源 、 逆变桥而不流经_ 负载 _的电流。环流可在电路中加_ 电抗器 来限制。为了减小环流一般采控用控制角a大于B的工作方式。9、常用的过电流保护措施有 快速熔断器_、串进线电抗器、接入直流快速开关_、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可）10、 双向晶闸管的触发方式有 I +、_i -、川+、_ m-四种。二、判断题,（每题1分，10分）（对V、错X）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路

13、中，电路出故障时会出现失控现象。（V ）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其 中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（ X ）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。(X )4、逆变角太大会造成逆变失败。（X)5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。(V )6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。(X )7、 有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（ X ）8、 在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2（ X ）9、 在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz, （ X ）10、变频调速实际上是改变电动机

14、内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。（ V ）三、选择题（每题3分，15分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A度。A 180°, B、60°， c、360°, D、120°2、 a为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A, 0 度,B，60 度, C，30 度, D，120 度,3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。A、同步电压，B、控制电压，C、脉冲变压器变比。4、 可实现有源逆变的电路为 A 。A、三相半波可控整流电路，B、三相半

15、控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。5、在一般可逆电路中，最小逆变角Bmin选在下面那一种范围合理A 。A、30o -35 o ， B、10o -15 o ，C、Oo -10 o ，D、0o。模拟题4一、填空题（每小题1分，共12分）1. 电流源型逆变器的输出电流波形为 矩形波 。2. 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°。3将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为 有源逆变器。4. 电流型逆变器中间直流环节以 电感贮能。5. 同一晶闸管，维持电流Ih与擎住电流IL在数值大小上有II =（24）Ih6

16、. 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值 下降_。7. 晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是静态均压昔施。8. 三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有三角形和星形二种方式。9. 抑制过电压的方法之一是用储能元件吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。10. 控制角a与逆变角B之间的关系为=孔-a_。11.SPWM有两种调制方式：单极性和双极性 调制。12.逆变器可分为无源逆变器和有源逆变器两大类。二、单项选择题（每小题1.5分，共27分。从每小题的四个备选选答案， 选出一个正确答案，并将正确答案的号码填在题干后面的括号内。）

17、级班）系（院1 . 在型号为 KP10-12G中，数字 12 表示 （C ）。A.额定电压 12VB.额定电流 12AC.额定电压 1200VD.额定电流 1200A2 .下列电路中，不可以实现有源逆变的有（B ）。A.三相半波可控整流电路 B.三相桥式半控整流电路 C.单相桥式可控整流电路D.单相全波可控整流电路外接续流二极管3. 整流变压器漏抗对电路的影响有 （B ）。A.整流装置的功率因数降低 B.输出电压脉动减小C.电流变化缓和D.引起相间短路4功率晶体管GTF从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（B）一次击穿二次击穿临界饱和反向截止5 逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在

18、一个管芯上而成（B ）大功率三极管逆阻型晶闸管双向晶闸管可关断晶闸管6. 已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）减小至维持电流1 H以下减小至擎住电流Il以下减小至门极触发电流Ig以下 减小至5A以下7. 单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（）U22U22 '刀26U 28. 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（ ）增加晶闸管的导电能力抑制温漂增加输出电压稳定性防止失控现象的产生9. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值Ud的表达式是（.）Ud=- 2.34U 2C0SBU=1.17U2COS BUd=

19、 2.34U 2COS B Ud=-0.9U 2COS B10. 若减小SPWI逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（）减小三角波频率减小三角波幅度减小输入正弦控制电压幅值减小输入正弦控制电压频率11. 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a的最大移相范围是（D ）A.90 °B.120 °C.150 °D.180 °12. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角a的移相范围是 （ A ）A.0。90°B.0。180°C.90。180°D.180。360°13. 当晶闸管串联时，为实现动态均压，可在各个

20、晶闸管两端并联（D ）A. RB. LC. CD. RC14. 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（B ）A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定15. 三相半波可控整流电路的自然换相点是（B ）A. 交流相电压的过零点B. 本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C. 比三相不控整流电路的自然换相点超前 30°D. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后 60°16. 单结晶体管同步振荡触发电路中，改变 R能实现（A ）。A.移相B同步C.增大脉冲宽度D.增大脉冲幅值17. 在大电感负载三相全控桥中，当a =90°时，整流电路的输

21、出是（ B ）A.U2B.02D.1.732U218. 降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V,负载电压Ub=12V,斩波周期T=4ms则开通时间Tab=（）1ms2ms3ms4ms模拟5电力电子技术试题（第一章）一、 填空题1、普通晶闸管内部有N 结，外部有三个电极，分别是 极极和极。1、两个、阳极A、阴极K门极G2、 晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时，门极上加上 电压，晶闸管就导通。2、正向、触发。3、 、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向状态和反向状态。3、阻断、导通、阻断。4、某半导体器件的型号为 KP50-7的，其中KP表示该器件的名称为，50表示， 7表示。4、普通晶闸管

22、、额定电流 50A、额定电压100V。5、只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。5、维持电流。6当增大晶闸管可控整流的控制角a,负载上得到的直流电压平均值会。6、减小。7、 按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为 性负载，性负载和负载三大类。7、电阻、电感、反电动势。8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。& 减小、并接、续流二极管。9、 工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角 、电流波形不连续、呈 状、电流的平均值 。要求管子的额定电流值要些。9、小、脉冲、小、大。10、 单结晶体管的内

23、部一共有 个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是极、极和极。10、一个、发射极E、第一基极Bi、第二基极B2。11、当单结晶体管的发射极电压高于 电压时就导通；低于电压时就截止。11、峰点、谷点。12、 触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压 ，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的 被触发，才能得到稳定的直流电压。12、同步、时刻。13、 晶体管触发电路的同步电压一般有 同步电压和电压。13、正弦波、锯齿波。14、 正弦波触发电路的同步移相一般都是采用 与一个或几个的叠加，利用改变 的大小，来实现移相控制。14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。15、 在晶闸管两端并联的 RC回

24、路是用来防止 损坏晶闸管的。15、关断过电压。16、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。16、硒堆、压敏电阻。16、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫。16、快速熔断器。二、 判断题 对的用V表示、错的用X表示（每小题 1分、共10分）1、普通晶闸管内部有两个 PN结。（X）2、 普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。（X）3、型号为KP50-7的半导体器件，是一个额定电流为 50A的普通晶闸管。（）4、 只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。（X）5、 只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（X）6、晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触

25、发电压，晶闸管也会导通(V)7、 加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100乂(X)8、单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。(X)9、 晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。(X)10、增大晶闸管整流装置的控制角a,输出直流电压的平均值会增大。(X)11 、 在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。(V)12、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。(X)13、 雷击过电压可以用 RC吸收回路来抑制。(X)14、 硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。(X)15、晶 闸 管 串 联 使 用 须 采 取 “ 均 压 措 施 ” 。(V)1

26、6、 为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。(X)17、 快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。(V)18、晶 闸 管 并 联 使 用 须 采 取 “ 均 压 措 施 ” 。(X)22、在电路中接入单结晶体管时，若把 b1、 b2 接反了，就会烧坏管子。X)23、单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。V)24、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。25、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的 要求。(V)三、 单项选择题 把正确答案的番号填在括号内(每小题 1 分，共 10 分)1、晶闸管内部有(C ) PN结。A 一个，B二个，C三

27、个，D四个2、单结晶体管内部有(A)个PN结。A 一个，B二个，C三个，D四个3、晶闸管可控整流电路中的控制角a减小，则输出的电压平均值会( B)。A 不变， B 增大， C 减小。4、单相半波可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的( )倍。A 1 ， B 0.5， C 0.45， D 0.9.5、单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压 的( )倍。A 1 ， B 0.5， C 0.45， D 0.9.7、为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入 ( B)。A 三极管， B 续流二极管， C 保险丝。8、 晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直

28、流电动机应该属于(C)负 载。A 电阻性， B 电感性， C 反电动势。9、直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较，其机械特性( C)。A 一样， B 要硬一些， C 要软一些。10、带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于( A)负载。A 大电流， B 高电压， C 电动机。11、晶闸管在电路中的门极正向偏压（B）愈好。A愈大，B 愈小， C 不变12、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C ）。A分流，B降压，C过电压保护，D过电流保护。13、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C ）。A分流，B降压，C过电压保护，D过电流保护。14、 变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（

29、C）对晶闸管的损坏'A关断过电压， B 交流侧操作过电压，C 交流侧浪涌。15、晶闸管变流装置的功率因数比较（B ）。A高， B 低， C 好。16、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下， 电枢电流较小时，变流器输出电流是（B）的。A连续，B断续，C 不变。18、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ C）来表示的。A有效值 B最大赛值 C 平均值20、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（ A）晶闸管。A 一只， B 二只， C 三只， D 四只。模拟六电力电子技术试题（第二章）一、 填空题1、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压 ，保证在管子阳

30、极电压每个正半周内以相同的 被触发，才能得到稳定的直流电压。1、同步、时刻。2、晶体管触发电路的同步电压一般有 同步电压和电压2、正弦波、锯齿波。3、 正弦波触发电路的同步移相一般都是采用 与一个或几个的叠加，利用改变 的大小，来实现移相控制。3、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。4、 在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止 损坏晶闸管的。4、关断过电压。5、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。5、硒堆、压敏电阻。6、 用来保护晶闸管过电流的熔断器叫 。6快速熔断器。7、 晶闸管整流装置的功率因数定义为 侧与之比。7、交流、有功功率、视在功率&晶闸管装置

31、的容量愈大，则高次谐波 ，对电网的影响 。&愈大，愈大。9、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有 补偿，最常用的方法是在负载侧 。9、无功功率；并联电容。二、 判断题 对的用V表示、错的用X表示(每小题 1分、共10分)1、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。(V)2、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。(X)3、 雷击过电压可以用 RC吸收回路来抑制。(X)4、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。(X)5、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。(V)6、为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。7、快速熔断器必须与其它过电流保护措

32、施同时使用(V)8、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。(x)9、在电路中接入单结晶体管时，若把 b1、b2 接反了，就会烧坏管子。(x)10、 单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。(V)11、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的要 求。(V)12、 采用正弦波移相触发电路的可控整流电路工作稳定性较差。(V)13、 正弦波移相触发电路不会受电网电压的影响。(x)14、对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。(V)15、晶闸管触发电路与主电路的同步，主要是通过同步变压器的不同结线方 式来实现的(V)16、晶闸管装置的容量愈大，对电网的影响就

33、愈小。(x)三、单项选择题 把正确答案的番号填在括号内(每小题 1分，共 10分)1、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数( B)。A 三相的大， B 单相的大， C 一样大。2、为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入(B)。A 三极管， B 续流二极管， C 保险丝。3、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于( C)负载。A 电阻性， B 电感性， C 反电动势。4、 直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较，其机械特性(C)。A 一样， B 要硬一些， C 要软一些。5、带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于( A)负载。A 大

34、电流， B 高电压， C 电动机。6、晶闸管在电路中的门极正向偏压(B)愈好。A 愈大， B 愈小， C 不变7、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是(C )。A 分流， B 降压， C 过电压保护， D 过电流保护。8、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（ C ）。A 分流， B 降压， C 过电压保护， D 过电流保护。9、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（C）对晶闸管的损坏。A 关断过电压， B 交流侧操作过电压， C 交流侧浪涌。10、晶闸管变流装置的功率因数比较（ B ）。A 高， B 低， C 好。11、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电 枢电流

35、较小时，变流器输出电流是（B）的。A 连续， B 断续， C 不变。12、脉冲变压器传递的是（ C ）电压。A 直流， B 正弦波， C 脉冲波。13、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ C）来表示的。A 有效值 B 最大赛值 C 平均值14、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（ A）晶闸管。A 一只， B 二只， C 三只， D 四只。15、三相全控桥整流装置中一共用了（ B）晶闸管。A 三只， B 六只， C 九只。16、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。A 一个， B 两个， C 三个， D 四个。17、若可控整流电路的功率大于 4kW宜采用（C ）整流电路。

36、A 单相半波可控 B 单相全波可控 C 三相可控18、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数 （ B）。A 三相的大， B 单相的大， C 一样大。模拟七电力电子技术试题 （第三章 ）一、填空题1、某半导体器件的型号为 KS50-7的，其中KS表示该器件的名称为，_50表示， 7表示。1、双向晶闸管、额定电流 50A、额定电压100V。2、 某半导体器件的型号为 KN 100 / 50 7,其中KN表示该器件的名 称为100 表示, 50 表示, 7 表示2、逆导晶闸管，晶闸管额定电流为 100A,二极管额定电流为50A, 额定电压100V。3、 双向晶闸管的四种触发方式分别

37、是 、和实际工作时尽量避免使用 方式。3、 I +,I -, H +, H -。川 +5、 晶闸管整流装置的功率因数定义为 侧与之比。3、交流、有功功率、视在功率6、 晶闸管装置的容量愈大，则高次谐波 ，对电网的影响。4、愈大，愈大。7、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有 补偿，最常用的方法是在负载侧 。5、无功功率；并联电容。二、判断题 对的用V表示、错的用X表示（每小题 1分、共10分）19、型号为KS5C 7的半导体器件，是一个额定电流为 50A的普通晶闸管。（）2、 双向晶闸管的额定电流是用有效值来表示的。（V）3、 普通单向晶闸管不能进行交流调压。（X）3、 双向触发二

38、极管中电流也只能单方向流动。（X）4、 单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。（V）5、两只反并联的50A的普通晶闸管可以用一只额定电流为 100A的双向晶 闸管来替代。（X）三、单项选择题 把正确答案的番号填在括号内（每小题 1分，共10 分）1、 双向晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ A）来表示的。A有效值 B 最大值 C 平均值2、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。A 一个， B 两个， C 三个， D 四个。3、双向晶闸管的四种触发方式中，灵敏度最低的是（ C）。A、I +， B 、 I -，C 、川 +， D 、川-o模拟8电力电子技术试题（第四

39、章）三、填空题1、 GTO勺全称是，图形符号为; GTR的全称是，图形符号为; P-MOSFE的全称是，图形符号为 ; IGBT的全称是，图形符号为 o33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘门极晶 体管。2、 GTO的关断是靠门极加 出现门极来实现的。33、负信号、反向电流。3、 大功率晶体管简称 ，通常指耗散功率 以上的晶体管。34、GTR 1W04、 功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是 和o35、电流不够大、耐压不够高。二、判断题 对的用V表示、错的用x表示（每小题 1分、共10分）1、 大功率晶体管的放大倍数B都比较低。（V）2、 工作温度升高，会导致 GTR

40、的寿命减短。（V）3、使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。（V）4、 同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。（X）5、 电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。（V）6、 实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。（V）7、 同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。（X）&电力场效应晶体管属于电流型控制元件。（X）9、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（V）三、单项选择题 把正确答案的番号填在括号内（每小题 1 分，共 10 分）1、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）。A、 GTR B 、 MOSFE

41、T C 、 IGBT2、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最小的是（ ）。A 、 GTR B 、 MOSFET C 、 IGBT3、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（ ）。A、 GTR B 、 MOSFET C 、 IGBT4、能采用快速熔断器作为过电流保护的半导体器件是（ ）。A、 GTO B 、 GTR C 、 IGBT。5、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）、最慢的是（ ）。A、 GTO B 、 GTR C 、 MOSFET6、 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是。（A ）A、 GTR B 、 MOSFET C 、 IGBT。7、下列电力电子器件中属于全控型器

42、件的是（）。A、 KP50-7 B 、 3DD15C C 、 ZP100-10模拟九电力电子技术试题 （第五章 ）一、 填空题1、 整流是把电变换为电的过程；逆变是把电变换为电的过程。1、交流、直流；直流、交流。2、 逆变电路分为 逆变电路和逆变电路两种。2、有源、无源。3、 逆变角B与控制角a之间的关系为 。3、a = n 34、 逆变角B的起算点为对应相邻相 的交点往度量。4、负半周、左。5、 当电源电压发生瞬时与直流侧电源 联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为 或。5、顺极性串、逆变失败、逆变颠覆。6、 为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为 。6、30° 35°7、由两套晶闸管组成的变流可逆装置中，每组晶闸管都有四种工作状态，分别是状态、状态、状态和状态7、待整流、整流、待逆变、逆变。&将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为 器。8、斩波。9、 反并联可逆电路常用的工作方式为 ，以及三种。在工业上得到广泛应用的是 方式。9、逻辑无环流、有环流、错位无环流、逻辑无环流。10、 采用接触器的可逆电路