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文档简介
1、一选择填空1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 C ,而少数载流子的浓度则与 A 有很大关系。A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷2P型半导体中空穴是 A ,带 C 电;自由电子是 B ,带 D 电。A.多数载流子 B. 少数载流子 C. 正 D. 负3N型半导体 C ,P型半导体 C 。A.带正电 B.带负电 C.呈中性 4当PN结外加正向电压作用下,内电场 B ;扩散电流 C 漂移电流。A.增强 B.削弱 C.大于 D.小于 5当PN结外加正向电压时,扩散电流 A 漂移电流,耗尽层 E 。A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变6用万用表直流电压档,
2、测得电路中晶体管各电极相对于参考点“地”的电位如右图所示。从而判断出该晶体三 极管工作在 C 状态。A.倒置 B.截止 C.饱和 D.放大7温度升高后,半导体三极管的电流放大系数将 A ,穿透电流ICEO A 。A.变大 B.变小 C.不变8三极管的穿透电流ICEO是集基反向饱和电流ICBO的 C 倍,在选用管子时,一般希望ICEO尽量 D 。A.1/ B. C.(1) D.小 E.大9右图所示电路中,稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和7V,正向压降均为0.7V,且具有理想的稳压特性,则输出电压U0为 D 。A.6V B.7V C.13V D.1V10设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压
3、分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,则右图电路的输出电压U0为 C 。 A.5V B.8V C.13V D.3V11某三极管PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,能正常工作的是 A 。A. UCE=3V,IC=10mA B. UCE=2V,IC=40mA C. UCE=6V,IC=20mA D. UCE=20V,IC=4mA12三极管工作在饱和区时,b-e极间为 A ,b-c极间为 A ;工作在放大区时,b-e极间为 A ,b-c极间为 B ;工作在截止区时,b-e极间为 B ,b-c极间为 B 。A.正向偏置 B. 反向偏置 C.零偏置13.单级放大电路中,若输
4、入为正弦波形,用示波器观察uo和ui的波形。当放大电路为共射电路时,则uo和ui的相位 B ;当为共集电极电路时,则uo和ui的相位 A 。A.同相 B.反相 C.相差900 D.不定14差动放大电路,当ui1300mV, ui2=200mV时,分解为共模输入信号uic C ,一对差模输入信号uid1uid2 D 。A.500mV B.100mV C.250mV D.50 mV15. 如果要求输出电压U0基本稳定,并能减小输入电阻,应引入 B 负反馈。A.串联电压负反馈 B.并联电压负反馈C.串联电流负反馈 D.并联电流负反馈16. 如果要求输出电流I0基本稳定,并能提高输入电阻,应引入 C
5、负反馈。A.串联电压负反馈 B.并联电压负反馈C.串联电流负反馈 D.并联电流负反馈17在图示电路中,若U2=20V,则UO= B 。 A.20V B.18V C.9V D.24V18. 图示整流电路中,由于整流管是串联的,故每管的 最大反向电压URM为 C 。 A. B. C. D.19TTL与非门电路的电源电压值、输出电压的高、低电平值依次为 A 。A.5V, 3.6V, 0.3V B.10V, 3.6V, 0.3V C.5V, 1.4V, 0.3V20. 三态与非门输出端的第三种状态指的是 A 。A.高阻状态 B.饱和状态 C.高电平状态 D. 低电平状态二填空1硅二极管的死区电压约 0
6、.5 V,正向压降约 0.60.8 V,锗二极管的死区电压约 0.1 V,正向压降约 0.20.3 V。2在二极管上加反向电压时,形成很小的反向电流。反向电流有两个特点:一是随温度的上升 增长很快 ;一是当外加反向电压过高时,反向电流 突然增大 ,二极管失去 单向导电 性,这种现象称为 击穿 。3当放大电路静态工作点Q位置偏高,同时输入信号幅度相对较大时,放大电路将产生 饱和 失真;当放大电路静态工作点Q位置偏 低 ,同时输入信号幅度相对较 大 时,放大电路将产生截止失真。4射级输出器的主要特点是:电压放大倍数接近1,输入电阻 高 ,输出电阻 低 。5在多级放大电路中,抑制温度漂移要着重于第
7、一 级,在直接耦合放大电路中抑制温度漂移最有效的电路结构是 差分放大电路 。6(1AF)称为反馈深度 ,其值愈大,负反馈作用愈强,闭环放大倍数Af愈 小 。7半导体直流稳压电源一般包括变压、 整流 、 滤波 和稳压环节。8W7815稳压电源的输出电压 15 V, W7915稳压电源的输出电压为 15 V 。它们是 三端集成稳压器 的型号。9在数字电路中,晶体管一般工作在 饱和 状态或 截止 状态,并非工作在放大状态。10整流的目的是 把交流变换为直流 ,主要是利用 二极 管的 单向导电 特性来实现的。11 基本的逻辑关系有 与 逻辑、 或 逻辑、 非 逻辑三种。12同一个逻辑函数可用不同的逻辑
8、式来表达,但由 最小项 组成的 与或 逻辑式则是唯一的。13n个变量的逻辑函数有 2n种 组合,最小项有 2n 个,卡诺图有2n种个方格。三判断1.对者在括号中打“” ,错者打“×” 。(1).在半导体中,同时存在电子导电和空穴导电。( )(2).有两个晶体管,A管的,B管的。如果其他参数一样,则选用A管较好一些。( )(3)晶体管的发射极和集电极可以调换使用。( × )(4)通常希望放大电路的输入电阻低一些好,而输出电阻高一些好。( × )(5)在电子电路中引入负反馈,是利用失真的波形来改善波形的失真。( )(6)在电子电路中引入负反馈,可以提高放大电路的放大倍
9、数。( × )(7)在数字电路中晶体管工作在放大状态。( × )(8)数字电路中的晶体管一般工作在饱和状态或截止状态。( )(9)某逻辑门电路的输入A,B和输出Y的波形如下左图所示,则可知该逻辑门的逻辑功能是 。( )(10)图示逻辑图(右图)的逻辑表达式为 。( )2二极管电路如下图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压UO 。设二极管的导通压降为0.7V 。3在三极管放大电路中,测得三只三极管各个电极的电位如下图所示,试判断各三极管的类型、材料、电极。4. 测得工作在放大电路中的两个晶体管的两个电极电流的大小和方向如下图所示,试:(1)判断它们是NP
10、N还是PNP型管,并标出e、b、c电极;(2)求另一个电极电流,并在图中标出实际方向;(3)估算它们的值。5根据放大电路的组成原则,判断下列各电路能否正常放大?为什么?应如何改进?四、问答1有两只稳压二极管DZ1和DZ2,其稳定电压分别为5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V。试问:欲0.5V,3V,6V,9V和14V几种稳定电压,这两只二极管应如何联结?画出各电路图。2什么是放大电路的静态分析?分析依据什么电路?如何得到该电路?3什么是放大电路的动态分析?分析依据什么电路?如何得到该电路?4差分放大电路在结构上有什么特点?什么是共模信号和差模信号?差分放大电路是如何区别对待这两种信号的?5
11、对功率放大电路的基本要求是什么?6何谓最小项?它有什么特点?7逻辑代数和普通代数有什么区别?8简述组合逻辑电路的一般分析步骤和设计步骤。五、静态分析1.试画出图示各电路的直流通路。2.已知图示电路三极管为锗管,50,试求该电路的Q点。3图示放大电路,晶体管是PNP型锗管,UBE-0.2V(可忽略)已知: 。(1)画出直流通路;(2)估算静态值IB,IC,UCE 。4晶体管放大电路如图所示,已知: 。(1)画出直流通路;(2)估算静态值IB,IC,UCE 。 第3题图第4题图第2题图六、动态分析1试画出图示各放大电路的简化微变等效电路。2图示电路,UCC=12V,RC=2K,RE=2K,RB=2
12、80K,晶体管的=50,rbe=1.07 K,电路有两个输出端。试求:(1)电压放大倍数和;(2)输出电压和的相位关系如何?3图示电路属于何种组态,若已知三极管的=50,试求:(1)静态工作点Q;(2)电压放大倍数Au;(3)输入电阻ri和输出电阻ro 。4放大电路如图所示,已知:100,rbe=2k。若电容Ce虚焊(没接好)。(1)画出微变等效电路;(2)计算电路的Au,ri,ro 。 第4题图第3题图第2题图七、运算放大器电路的分析(计算与反馈类型的判断)1.试分析图中Rf1,Rf2,Rf各引入什么类型的反馈?是交流反馈还是直流反馈?(写出分析过程) 第1题图第1题图2试判别图示电路的反馈类型,并推导iL与uf的关系式。3电路如图所示,已知输入电压为ui10V,求输出电压uo。第2题图第3题图4如图A1和A2均为理想运算放大器,求该电路的电压放大倍数 5如图所示A1和A2均为理想运算放大器,求该电路的输出电压uo? 第5题图第4题图
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