二极管的特性曲线

1、本文格式为Word版，下载可任意编辑二极管的特性曲线 二极管的单向导电性是二极管的基本特点。二极管还有另外的一些特性，其中有些特性是我们把握电子电路工作而必需了解的学问。 电子器件的特性可以用几种方法来描述，其一：对应几个不同电压值的电流值进行列表。这些值都将在表中很清晰的表示出来。还有更好的方法就是使用图示的方法，它比数据表格更直观。 用得最为频繁的就是伏-安特性曲线。电压为横轴，电流为纵轴。图8-19表示出了100电阻的伏-安特性曲线，原点是两轴线的交点，在这点，电压和电流的值都是零，即通过电阻的电压值和电流值都是零，由欧姆定律有： I=0A 在横轴为5V 处，曲线经过的点对应纵轴为50m

2、A，通过观看曲线，很简单的找到相应电压的电流值。例如在10V处电流为100 mA可以用欧姆定律验证： I=0.1A=100mA 在图8-19中，通过反向延长线，我们可以获得反向电压对应的电流值。反向电压表示为VR而VF就表示正向电压。电压为-5V时，通过电阻的电流为-50mA 负号表示加在电阻两端的电压极性是反向的，因此电流也是反向的。正向电流用IF 表示，而反向电流用IR 表示。 电阻的特性曲线是一条直线，因此，它是一个线性器件。对电阻器特性曲线并不是必需的，我们可以通过欧姆定律很简单的得到任何点的数据。 例8-4 图8-19中若电阻值是50，特性曲线是怎样的？ I=200mA 曲线将是一条

3、过（0，0），（10，200），（-10，-200）的直线。因此50的电阻对应的曲线的斜率将比100的电阻对应的曲线斜率要大。 二极管比电阻简单得多，它特性曲线不能通过简洁的线性方程得到。 数学上可以用下式近似表达成：当UD 100mV时，近似为： 其中IS称反向饱和电流，UD为二极管端电压，T 为肯定温度,，k 是玻尔兹曼常数（8.63×10-5eV/K=1.38×10-23J/K,J为焦耳，式中e电子电荷1.6×1019库仑），q是电子电荷数。 通常二极管的电流也写成，其中，称为热电压（Thermal Voltage）单位为伏。室温即T=300K时，这是一个重

4、要的数值，今后会常常用到它。 图8-20给出了典型PN-结型二极管的特性曲线。留意，它并不是线性的，电压为零时，它不导通，直到有零点几伏的电压才能够开头导通，这个电压是用来抵消耗尽区的。通常锗管导通要0.2V ，硅管导通要0.6V。图8-20中也表明二极管加反向电压时的状况，随着反向电压的增大，将有少量的反向电流产生，它是由少数载流子产生的漏电流，通常状况下是很小的。一般IR 轴以A 作为单位，除非有很大的电压加在二极管两端，否则反向电流就没有什么实际意义了。因此，通常VR轴以10V 或100V作为一个单位。 图8-21比较了硅管和锗管的特性曲线，我们很清晰看到，锗管导通需要比较小的正向电压，

5、这也是它在低压电路时的优点。另外，可以看到，较硅管而言，给定任何电流，它的电压降较小。由于锗是一种较好的导体，所以流过正向电流时有较小的电阻。但是由于硅管的低价格和低漏电流，大多数状况下使用硅管。 图8-21同样也对硅管和锗管在反偏压状况下进行了比较，在合理的VR时，硅管的漏电流特别低，通常小于109A，而锗管表现了较大的漏电流，可以达到微安级，但是若超过VR的临界值，硅管的反向电流会有一个迅猛的变化，这就是反向击穿电压点。也被称为雪崩电压。当载流子被加速并获得足够的能量与价电子碰撞，并使他们释放，使得载流子产生“雪崩”。引起反向电流极大的增加。 硅管的雪崩电压为50V-1000V，取决于制造工艺。假如反向电流在击穿电压下得不到限制，二极管就会毁坏。通过使用一个可承受平安电压的二极管。可以避开产生雪崩。 图8-22给出了利用二极管的V-A特性曲线观看温度对二极管的影响。温度用表示，电路正常工作的温度范围可以是-50到100。在底端水银会凝固，而高端即沸水的温度。军用的电路温度范围是-65到125。由于这个温度范围很大，因此在材料的选择、产品的制作过程和测试都必需非常当心。故军用级的器件比一般的工业和商业产品要贵得多。 通