《非晶硅结构及性质》ppt课件

1、非晶硅薄膜太阳能电池非晶硅薄膜资料的构造特点非晶硅薄膜资料的构造特点 晶体硅通常呈正四面体陈列，每一晶体硅通常呈正四面体陈列，每一个硅原子位于正四面体的顶点，并个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价键严密结与另外四个硅原子以共价键严密结合。这种构造可以延展得非常庞大，合。这种构造可以延展得非常庞大，从而构成稳定的晶格构造从而构成稳定的晶格构造-长程有长程有序性序性 非晶硅薄膜资料的构造特点非晶硅薄膜资料的构造特点 非晶硅中原子的分布不完全是服从非晶硅中原子的分布不完全是服从着正四面体的规律，即非晶硅中原着正四面体的规律，即非晶硅中原子的分布根本上是正四面体的方式，子的分布根本上是

2、正四面体的方式，但是却发生了变形，即产生出了许但是却发生了变形，即产生出了许多缺陷多缺陷出现大量的悬挂键和空洞出现大量的悬挂键和空洞等，如下图。非晶硅的密度约低于等，如下图。非晶硅的密度约低于单晶硅单晶硅短程有序。短程有序。非晶硅薄膜资料的构造特点非晶硅薄膜资料的构造特点 非晶硅中的悬空键可以被氢所填充，非晶硅中的悬空键可以被氢所填充，经氢化之后，非晶硅的悬空键密度经氢化之后，非晶硅的悬空键密度会显著减小。研讨阐明，会显著减小。研讨阐明，H在在a-Si:H中是以中是以SiH键、键、(SiHHSi)n、分、分子氢子氢(H2)等多种键合方式存在，只等多种键合方式存在，只需需SiH才干饱和才干饱和S

3、i悬挂键，减少禁悬挂键，减少禁带中的悬空键密度。带中的悬空键密度。价电子能态也可分为导带、价电子能态也可分为导带、价带和禁带，但导带与价价带和禁带，但导带与价带都带有伸向禁带的带尾带都带有伸向禁带的带尾态。带尾态与键长和键角态。带尾态与键长和键角的随机变化有关，导带底的随机变化有关，导带底和价带顶被模糊的迁移边和价带顶被模糊的迁移边取代，扩展态与局域态在取代，扩展态与局域态在迁移边是延续变化的，高迁移边是延续变化的，高密度的悬挂键在隙带中引密度的悬挂键在隙带中引进高密度的局域态。进高密度的局域态。 通常隙态密度高于通常隙态密度高于1016/cm3，过剩载流子经过隙态进展，过剩载流子经过隙态进展

4、复合，所以通常非晶资料的光电导很低，掺杂对费米能复合，所以通常非晶资料的光电导很低，掺杂对费米能级位置的调理作用也很小，这种级位置的调理作用也很小，这种a-Si资料没有运用价值。资料没有运用价值。氢化非晶硅氢化非晶硅(a-Si:H)资料中大部分的悬挂键被氢原子补资料中大部分的悬挂键被氢原子补偿，构成偿，构成Si-H键，可以使隙态密度降至键，可以使隙态密度降至1016cm3以下，以下，这样的资料才表现出良好的电学性能。这样的资料才表现出良好的电学性能。在在a-Si:Ha-Si:H中氢的键入引起的能带构造变化主要使带隙态密度中氢的键入引起的能带构造变化主要使带隙态密度降低和使价带顶下移，从而使其带

5、隙加宽，由于降低和使价带顶下移，从而使其带隙加宽，由于Si-HSi-H键的键键的键合能要大于合能要大于Si-SiSi-Si键。这些键。这些Si-HxSi-Hxx=1,2x=1,2键在价带中构成键在价带中构成了一些特征构造，已为紫外光电子发射谱观测所证明。而同了一些特征构造，已为紫外光电子发射谱观测所证明。而同时导带底的上移要小得多。实验上发现，时导带底的上移要小得多。实验上发现，a-Si:Ha-Si:H薄膜的光学薄膜的光学带隙带隙Eg(eV)Eg(eV)与其氢含量与其氢含量CHCH之间存在近似线性比例关系：之间存在近似线性比例关系： 1.480.019gHEC非晶硅薄膜资料的优点非晶硅薄膜资料

6、的优点 1 1消费耗能少。非晶硅电池的制造需求消费耗能少。非晶硅电池的制造需求200200左右，耗能少，左右，耗能少，而制造晶体硅太阳能电池普通需求而制造晶体硅太阳能电池普通需求10001000以上的高温。以上的高温。2 2价钱低。非晶硅具有较高的光吸收系数，特别是在价钱低。非晶硅具有较高的光吸收系数，特别是在0.3-0.3-0.75m0.75m的可见光波段，它的吸收系数比晶体硅要高出一个数量的可见光波段，它的吸收系数比晶体硅要高出一个数量级。级。3 3运用灵敏。可以设计成各种方式，利用集成型构造，可获运用灵敏。可以设计成各种方式，利用集成型构造，可获得更高的输出电压和光电转换效率。得更高的输

7、出电压和光电转换效率。4 4适宜工业化消费。非晶硅薄膜太阳能电池制造工艺简单，适宜工业化消费。非晶硅薄膜太阳能电池制造工艺简单，可延续、大面积、自动化大批量消费。可延续、大面积、自动化大批量消费。非晶硅薄膜资料的优点非晶硅薄膜资料的优点 5 5方便建筑一体化。由于薄膜技术固有的灵敏性，可以以多方便建筑一体化。由于薄膜技术固有的灵敏性，可以以多种方式嵌入屋顶和墙壁，将电池集成到建筑资料。种方式嵌入屋顶和墙壁，将电池集成到建筑资料。6 6基片种类不限，可以广泛地运用玻璃、铝、银、不锈钢、基片种类不限，可以广泛地运用玻璃、铝、银、不锈钢、塑料、多晶硅等膨胀系数差别较大的资料，并且便于构成大面积塑料、

8、多晶硅等膨胀系数差别较大的资料，并且便于构成大面积薄膜。薄膜。7 7受温度影响小。晶体硅太阳能电池在高温环境下，其性能受温度影响小。晶体硅太阳能电池在高温环境下，其性能会发生变化，而非晶硅薄膜太阳能电池由于温度系数相对较小，会发生变化，而非晶硅薄膜太阳能电池由于温度系数相对较小，不容易遭到温度的影响。不容易遭到温度的影响。8 8作为弱光电池，非晶硅薄膜太阳能电池还可以运用于计算作为弱光电池，非晶硅薄膜太阳能电池还可以运用于计算器、手表等在荧光下任务的微耗电子产品。器、手表等在荧光下任务的微耗电子产品。非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(光吸收光吸收) n紫外紫外- -可见吸收光谱

9、是物质中分子吸收可见吸收光谱是物质中分子吸收200-800nm200-800nm光谱区内的光而产生的。这种光谱区内的光而产生的。这种分子吸收光谱产生于价电子和分子轨道上的电子在电子能级跃迁分子吸收光谱产生于价电子和分子轨道上的电子在电子能级跃迁( (原子或分子原子或分子中的电子，总是处在某一种运动形状之中。每一种形状都具有一定的能量，属中的电子，总是处在某一种运动形状之中。每一种形状都具有一定的能量，属于一定的能级。这些电子由于各种缘由于一定的能级。这些电子由于各种缘由( (如受光、热、电的激发如受光、热、电的激发) )而从一个能级而从一个能级转到另一个能级，称为跃迁。转到另一个能级，称为跃迁

10、。) )当这些电子吸收了外来辐射的能量就从一个能当这些电子吸收了外来辐射的能量就从一个能量较低的能级跃迁到一个能量较高的能级。因此，每一跃迁都对应着吸收一定量较低的能级跃迁到一个能量较高的能级。因此，每一跃迁都对应着吸收一定的能量辐射。具有不同分子构造的各种物质，有对电磁辐射显示选择吸收的特的能量辐射。具有不同分子构造的各种物质，有对电磁辐射显示选择吸收的特性。吸光光度法就是基于这种物质对电磁辐射的选择性吸收的特性而建立起来性。吸光光度法就是基于这种物质对电磁辐射的选择性吸收的特性而建立起来的，它属于分子吸收光谱。的，它属于分子吸收光谱。n紫外紫外- -可见分光光度计可用于物质的定量分析、构造

11、分析可见分光光度计可用于物质的定量分析、构造分析非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(光吸收光吸收) 非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(光吸收光吸收) 本征吸收区本征吸收区1 1区：由电子吸收能量大于光学带隙的光子从区：由电子吸收能量大于光学带隙的光子从价带内部导游带内部跃迁而产生的吸收。在此区域，价带内部导游带内部跃迁而产生的吸收。在此区域，a-Si:Ha-Si:H的吸收系数较大，通常在的吸收系数较大，通常在104cm-1104cm-1以上，随光子能量的变化具以上，随光子能量的变化具有幂指数特征。在可见光谱范围内，有幂指数特征。在可见光谱范围内，a-Si:Ha-S

12、i:H的吸收系数要比的吸收系数要比晶体硅大得多高晶体硅大得多高1-21-2个数量级，而太阳能电池主要是将可个数量级，而太阳能电池主要是将可见光部分的光能见光部分的光能(1.6eV -3.6eV)(1.6eV -3.6eV)转化成电能，这也是非晶硅转化成电能，这也是非晶硅太阳能电池可取代晶体硅太阳能电池的重要缘由之一。太阳能电池可取代晶体硅太阳能电池的重要缘由之一。 a-Si:Ha-Si:H的吸收系数的吸收系数a a随光子能量随光子能量hvhv的变化关系在吸收边附近的变化关系在吸收边附近遵照遵照TaucTauc规律规律 1 2ghB Eh 非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(光吸收

13、光吸收) 带尾吸收区带尾吸收区2 2区：这个区域的吸收对应电子从价带边扩展区：这个区域的吸收对应电子从价带边扩展态到导带尾态的跃迁，或者电子从价带尾态到导带边扩展态态到导带尾态的跃迁，或者电子从价带尾态到导带边扩展态的跃迁。在此区域，的跃迁。在此区域， cm-1,cm-1,与与 呈指数关系，所呈指数关系，所以也称指数吸收区。以也称指数吸收区。 3110h非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(光吸收光吸收) 次带吸收区次带吸收区3 3区：通常位于近红外区的低能吸收，对应于区：通常位于近红外区的低能吸收，对应于电子从价带到带隙态或从带隙态到导带的跃迁。此区域的吸电子从价带到带隙态或从带

14、隙态到导带的跃迁。此区域的吸收系数收系数a a很小，又称为非本征吸收，其特点是很小，又称为非本征吸收，其特点是a a随光子能量的随光子能量的减小趋于平缓。在减小趋于平缓。在C C区，假设资料的在区，假设资料的在1cm-11cm-1以下，那么表征以下，那么表征该资料具有很高的质量。该资料具有很高的质量。 非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(光吸收光吸收) 非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(光致发光光致发光PL)n光致发光是半导体的一种发光景象，利用光照射到资光致发光是半导体的一种发光景象，利用光照射到资料外表，其电子吸收光子而跃迁到高能级，处于高能料外表，其电子吸收

15、光子而跃迁到高能级，处于高能级的电子不稳定，会回落到低能级，同时伴随着能级级的电子不稳定，会回落到低能级，同时伴随着能级差的能量以光辐射的方式发射出来。这个过程就是光差的能量以光辐射的方式发射出来。这个过程就是光致发光，即致发光，即PLPL。 n主要检测电子构造，能带。主要检测电子构造，能带。 在波长为在波长为488nm和和514.5nm的氩离子激光或其他能量大于带隙的氩离子激光或其他能量大于带隙的光子激发下，的光子激发下，a-Si:H薄膜会发射出较强的荧光，这就是薄膜会发射出较强的荧光，这就是a-Si:H薄膜的光致发光或光荧光薄膜的光致发光或光荧光PL。非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料

16、的光学特性(光致发光光致发光PL) 通常在低温下通常在低温下77K，在未掺杂的，在未掺杂的a-Si:H薄膜的光荧光谱中薄膜的光荧光谱中可观测到一个峰值能量在可观测到一个峰值能量在1.3-1.4eV的发光峰，其半高宽达的发光峰，其半高宽达0.3eV；在掺杂的或缺陷密度高的在掺杂的或缺陷密度高的a-Si:H薄膜中，还可观测到另一个薄膜中，还可观测到另一个发光峰，峰值能量在发光峰，峰值能量在0.8-0.9eV，其强度较弱，大约为前者的，其强度较弱，大约为前者的1%。非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(光致发光光致发光PL) 非晶硅光致发光过程中存在着辐射跃迁和非辐射跃迁的竞争非晶硅光致

17、发光过程中存在着辐射跃迁和非辐射跃迁的竞争1.3eV附近的发光带是带边发光，来自热弛豫到导带带尾态和附近的发光带是带边发光，来自热弛豫到导带带尾态和价带带尾态的光生载流子之间的辐射复合；价带带尾态的光生载流子之间的辐射复合；0.9 eV附近的发光带是由于俘获到悬键上的光生电子和弛豫附近的发光带是由于俘获到悬键上的光生电子和弛豫到价带尾态的光生空穴之间的辐射复合。到价带尾态的光生空穴之间的辐射复合。非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(光致发光光致发光PL) 假设改动激光波长，在某一个特定的固定波长下探测光假设改动激光波长，在某一个特定的固定波长下探测光荧光强度随激发波长的变化，就得

18、到非晶硅薄膜光荧光的激荧光强度随激发波长的变化，就得到非晶硅薄膜光荧光的激发发PLEPLE谱。光荧光的激发谱主要反响了资料的吸收特性。谱。光荧光的激发谱主要反响了资料的吸收特性。 值得一提的是，在值得一提的是，在a-Si:Ha-Si:H薄膜光致发光峰与激发谱测定薄膜光致发光峰与激发谱测定的光吸收峰之间存在的光吸收峰之间存在0.4-0.5eV0.4-0.5eV的能量差，即存在明显的斯托的能量差，即存在明显的斯托克斯位移。这是由于在光的吸收和发射的电子跃迁过程中分克斯位移。这是由于在光的吸收和发射的电子跃迁过程中分别吸收和发射了声子的缘故。别吸收和发射了声子的缘故。 非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅

19、薄膜资料的光学特性(激发谱激发谱PLE) 氢在缓和氢在缓和a-Si:Ha-Si:H薄膜网络构造和内应力，以及薄膜网络构造和内应力，以及饱和或钝化硅悬键方面起着重要的作用。在饱和或钝化硅悬键方面起着重要的作用。在a-a-Si:HSi:H薄膜网络构造中薄膜网络构造中SiSi原子是四配位的，它的最原子是四配位的，它的最近邻原子可以是近邻原子可以是SiSi原子，也可以是原子，也可以是H H原子，能够构原子，能够构成成SiH1SiH1薄膜键、薄膜键、SiH2SiH2键和键和SiH3SiH3键。键。SiSi原子与原子与H H原子原子的键合组态和键合氢的总含量，可以用红外吸收的键合组态和键合氢的总含量，可以

20、用红外吸收谱来测定。谱来测定。非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(红外吸收谱红外吸收谱) 红外吸收谱所提示的固体原子局域振动方式可分成两类：红外吸收谱所提示的固体原子局域振动方式可分成两类： 一类是成键原子之间相对位移的振动方式，包括键长有变化的一类是成键原子之间相对位移的振动方式，包括键长有变化的伸缩模和键角有变化的弯曲模。伸缩模和键角有变化的弯曲模。 另一类是成键原子之间没有相对位移的转动方式，如摆动模、另一类是成键原子之间没有相对位移的转动方式，如摆动模、滚动模和扭动模，这三者的区别仅在于转轴的不同。滚动模和扭动模，这三者的区别仅在于转轴的不同。非晶硅薄膜资料的光学特性非晶

21、硅薄膜资料的光学特性(红外吸收谱红外吸收谱) a-Si:Ha-Si:H薄膜红外吸收谱光谱范围为薄膜红外吸收谱光谱范围为400-4000cm-1400-4000cm-1，属于中红外谱范围。，属于中红外谱范围。其中其中SiH1SiH1键的伸缩模在键的伸缩模在2000cm-12000cm-1处，弯曲模在处，弯曲模在640 cm-1640 cm-1处；处；SiH2SiH2键和键和SiH3SiH3键的伸缩模分别蓝移到键的伸缩模分别蓝移到2090cm-12090cm-1和和2140cm-12140cm-1处，但其弯曲模仍在处，但其弯曲模仍在640cm-1640cm-1处。处。 基团基团(SiH)n(SiH

22、)n、(SiH2)n(SiH2)n以及硅晶粒外表的伸缩模吸收峰也在以及硅晶粒外表的伸缩模吸收峰也在2100cm-12100cm-1附近，因此附近，因此不易与前两者相区分。不易与前两者相区分。此外，在此外，在830-920cm-1830-920cm-1还有还有SiH2SiH2和和SiH3SiH3的摆动模和滚动模等。的摆动模和滚动模等。a-Si:Ha-Si:H薄膜红外吸收谱除了研讨薄膜红外吸收谱除了研讨Si-HSi-H键外，还可以用来表征键外，还可以用来表征SiSi与其他杂质，如与其他杂质，如P P、B B、O O、N N等的键合特征。等的键合特征。非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性

23、(红外吸收谱红外吸收谱) Raman Raman光谱用散射光能随拉曼散射位移的变化表示，光谱用散射光能随拉曼散射位移的变化表示，经过峰的位置、强度和外形，反映功能团或化学键的特征经过峰的位置、强度和外形，反映功能团或化学键的特征振动频率，提供散射分子的构造信息。振动频率，提供散射分子的构造信息。 非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(拉曼拉曼Raman光谱光谱) 拉曼光谱通常用激光作为光源，这主要是由于激光光源的单色拉曼光谱通常用激光作为光源，这主要是由于激光光源的单色性很强，所激发的拉曼谱线是相关光源，强度高，光束截面积小，性很强，所激发的拉曼谱线是相关光源，强度高，光束截面积小

24、，任何尺寸、外形、透明度的样品，只需能被激光照射到，就可以直任何尺寸、外形、透明度的样品，只需能被激光照射到，就可以直接用来丈量，样品的需求量少，可以获得拉曼谱线宽度和精细构造接用来丈量，样品的需求量少，可以获得拉曼谱线宽度和精细构造的准确数值。的准确数值。 固体的形状非晶态或晶态和构造立方、四方等有亲密固体的形状非晶态或晶态和构造立方、四方等有亲密的关系，不同构造的固体有不同的晶格振动能量谱，其中包括一定的关系，不同构造的固体有不同的晶格振动能量谱，其中包括一定的峰状构造，因此，拉曼光谱可以提供分子振动频率的信息，对资的峰状构造，因此，拉曼光谱可以提供分子振动频率的信息，对资料的拉曼光谱进展

25、分析是了解资料分子构造的主要手段。料的拉曼光谱进展分析是了解资料分子构造的主要手段。非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(拉曼拉曼Raman光谱光谱) 各种资料都有本人的特征谱线，经过拉曼散射谱可以得到各种资料都有本人的特征谱线，经过拉曼散射谱可以得到a-Si:Ha-Si:H网格构造的相关信网格构造的相关信息。息。 a-Si:Ha-Si:H的一级拉曼散射谱主要在的一级拉曼散射谱主要在100-600cm-1100-600cm-1，属远红外谱区，在研讨非晶硅原子振，属远红外谱区，在研讨非晶硅原子振动性质方面，与红外吸收谱互为补充。动性质方面，与红外吸收谱互为补充。 非晶硅的一级拉曼散射

26、谱中包含有多种被激活的振动方式，如横光学非晶硅的一级拉曼散射谱中包含有多种被激活的振动方式，如横光学TOTO模，峰模，峰位约在位约在480cm-1480cm-1；纵光学；纵光学LOLO模，峰位约在模，峰位约在410cm-1410cm-1；纵声学；纵声学LALA模，峰位约在模，峰位约在310cm-1310cm-1；横声学；横声学TATA模，峰位约在模，峰位约在170cm-1.170cm-1.非晶硅薄膜资料的光学特性非晶硅薄膜资料的光学特性(拉曼拉曼Raman光谱光谱) 1977 1977年，美国年，美国RCARCA实验室的实验室的D DL LStaeblerStaebler和和C CR RWro

27、nskiWronski研讨发现：研讨发现：a-Si:Ha-Si:H薄膜，经薄膜，经长时间光照后，其光电导与暗电导随时间继续长时间光照后，其光电导与暗电导随时间继续减小，并趋向于饱和，但经过减小，并趋向于饱和，但经过150150以上温度以上温度退火处置退火处置1-31-3小时后，光暗电导又恢复到光照小时后，光暗电导又恢复到光照前的形状，这种可逆的光致亚稳变化效应称为前的形状，这种可逆的光致亚稳变化效应称为Staebler-WronskiStaebler-Wronski效应，简称效应，简称S-WS-W效应。效应。非晶硅薄膜资料的光致亚稳特性非晶硅薄膜资料的光致亚稳特性 S-W S-W效应是效应是a

28、-Si:Ha-Si:H薄膜的一种本征的体效应。光照在薄膜的一种本征的体效应。光照在a-a-Si:HSi:H薄膜资料中产生了亚稳悬键缺陷态，这些缺陷态主要起复薄膜资料中产生了亚稳悬键缺陷态，这些缺陷态主要起复合中心的作用，从而导致了合中心的作用，从而导致了a-Si:Ha-Si:H薄膜资料光电性质的退化。薄膜资料光电性质的退化。光致亚稳变化除光暗电导衰退外，还表如今其他许多方面。如光致亚稳变化除光暗电导衰退外，还表如今其他许多方面。如载流子分散长度减小，电子自旋共振信号添加，费米能级向带载流子分散长度减小，电子自旋共振信号添加，费米能级向带隙中央挪动，带尾态添加，器件结电容添加，等等。隙中央挪动，

29、带尾态添加，器件结电容添加，等等。非晶硅薄膜资料的光致亚稳特性非晶硅薄膜资料的光致亚稳特性1 1Si-SiSi-Si弱键断裂模型弱键断裂模型 Si-SiSi-Si弱键断裂模型是弱键断裂模型是H HDerchDerch等人于等人于19811981年基于年基于ESRESR实实验首先提出来的，后来验首先提出来的，后来M MStutzmannStutzmann等人又进一步开展了该模等人又进一步开展了该模型，以为光致亚稳缺陷是型，以为光致亚稳缺陷是Si-SiSi-Si弱键断裂所致。光照时，光生弱键断裂所致。光照时，光生电子一空穴对很快热化到带尾局域态中，并经过直接无辐射复电子一空穴对很快热化到带尾局域态

30、中，并经过直接无辐射复合和经过复合中心的复合两种能够的复合途径与产生过程维持合和经过复合中心的复合两种能够的复合途径与产生过程维持平衡。直接无辐射复合是一个多声子过程，它提供了打断平衡。直接无辐射复合是一个多声子过程，它提供了打断Si-Si-SiSi弱键而构成弱键而构成SiSi悬键缺陷的能量，并引起附近小范围的原子重悬键缺陷的能量，并引起附近小范围的原子重构。在构。在Si-SiSi-Si弱键断裂以后，临近原有的弱键断裂以后，临近原有的Si-HSi-H键就会同新生的键就会同新生的悬键交换位置悬键交换位置( (转换方向转换方向) )而到达分别和稳定两个新生悬键的目而到达分别和稳定两个新生悬键的目的

31、。也就是说，光子能量被的。也就是说，光子能量被Si-SiSi-Si弱键吸收以后有两个作用，弱键吸收以后有两个作用，第一是打断第一是打断Si-SiSi-Si弱键，第二是驱使弱键，第二是驱使Si-HSi-H键分别和稳定两个新键分别和稳定两个新生悬键。生悬键。光致亚稳特性的微观机制和物理模型光致亚稳特性的微观机制和物理模型2 2电荷转移模型电荷转移模型 在在a-Si:Ha-Si:H薄膜中，通常悬键获得第二个电子比获得第一个薄膜中，通常悬键获得第二个电子比获得第一个电子需求更多的能量，这个能量差就是电子的相关能，此时相电子需求更多的能量，这个能量差就是电子的相关能，此时相关能为正。电荷转移模型于关能为

32、正。电荷转移模型于19811981年由年由D DAdlernAdlern提出。他以为提出。他以为电子的有效相关能是负值。由于电子的有效相关能是负值。由于a-Si:Ha-Si:H薄膜网络的不均匀性和薄膜网络的不均匀性和无序性，有些区域能够比较松弛，当悬键捕获第二个电子时，无序性，有些区域能够比较松弛，当悬键捕获第二个电子时，伴随发生的晶格弛豫，会使总能量降低，电子的有效相关能为伴随发生的晶格弛豫，会使总能量降低，电子的有效相关能为负值。在这些区域，带有两个电子的悬键态比带有一个电子的负值。在这些区域，带有两个电子的悬键态比带有一个电子的悬键态能量要低，因此，稳定存在的将不是带有一个电子的中悬键态能量要低，因此，稳定存在的将不是带有一个电子的中性悬键，而是带正电的空悬键态和带负电的双占据悬键态。当性悬键，而是带正电的空悬键态和带负电的双占据悬键态。当光照激发载流子时，这些带正电的悬键能够捕获电子或空穴而光照激发载流子时，这些带正电的悬键能够捕获电子或空穴而转变为亚稳的中性悬键。转变为亚稳的中性悬键。光致亚稳特性的微观机制和物理模型光致亚稳特性的微观机制和物理模型2 2氢碰撞模型氢碰撞模型 这种模型以为，光生载流子的非辐射复合释放能量打断这种模型以为，光生载流子的非辐射复合释放能量打断S