典型特性曲线

1、SVD1N70B/M/T1A 、700V N 沟道增强型场效应管描述2SVD1N70B/M/T N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用 S-Rin TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先1进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导TO-220-3L通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。31. 栅极 2. 漏极3. 源极该产品可广泛应用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，高压 H 桥 PMW 马达驱动。特点TO-251-3L1A ， 700V ， R DS(on) ( 典型值 )=11.3 V GS =10V低栅极电荷量低反向传输电容TO-92-3L开关速度

2、快提升了 dv/dt 能力订货说明产品名称封装形式打印名称包装形式SVD1N70MTO-251-3LSVD1N70M料管SVD1N70TTO-220-3LSVD1N70T料管SVD1N70BTO-92-3L1N70B袋装SVD1N70BTRTO-92-3L1N70B编带极限参数 (除非特殊说明， T C=25C)参数名称符 号参数范围单位SVD1N70MSVD1N70TSVD1N70B漏源电压VDS700V栅源电压VGS±30V漏极电流ID1.0A耗散功率（ TC=25 C）32832W- 大于 25 C 每摄氏度减少P D0.220.310.025W/ C单脉冲雪崩能量（注 1）E

3、AS7.2mJ工作结温T J-55 +150C贮存温度Tstg-55 +150C版本号： 1.0共7页第1页SVD1N70B/M/T热阻特性参数名称符 号参数范围单位SVD1N70BSVD1N70MSVD1N70T芯片对管壳热阻RJC0.54.02.71C/W芯片对环境的热阻RJA12011062.5C/W电性参数 (除非特殊说明， T C=25C)参数漏源击穿电压漏源漏电流栅源漏电流栅极开启电压导通电阻输入电容输出电容反向传输电容开启延迟时间开启上升时间关断延迟时间关断下降时间栅极电荷量栅极 -源极电荷量栅极 -漏极电荷量符 号B VDSSIDSSI GSSV GS(th)RDS(on)C

4、issC ossC rsst d(on)trt d(off)tfQ gQ gsQ gd测试条件VGS =0V ， I D=250A VDS =700V ， VGS =0VVGS =±30V ，VDS =0VVGS = V DS ，I D=250 A VGS =10V ， ID =0.5AVDS =25V ， V GS=0V ，f=1.0MHzVDD =350V ， ID =0.8A, RG =25(Note 2,3)VDS =560V ， ID =0.8A, VGS =10V(Note 2,3)最小值典型值最大值单位700-V-10A-±100nA2.0-4.0V-11.3

5、14.5-150200-1726pF-2.24.0-840-960ns-3650-1170-5.66.0-1-nC-2.5-源 -漏二极管特性参数参数符号源极电流IS源极脉冲电流ISM源 - 漏二极管压降VSD反向恢复时间T rr反向恢复电荷Qrr注：测试条件最小值典型值最大值单位MOS 管中源极、漏极构成-1.2A的反偏 P-N 结-4.8I=1.0A,VGS=0V-1.5VSI=1.0A,VGS=0V,-160-nsSdIF/dt=100A/ s（注 2）-0.3-C1. L=10mH ，IAS=1.2A ， V DD =50V ，开始温度 T J=25 C；2. 脉冲测试： 脉冲宽度 3

6、00s，占空比 2%；3. 基本上不受工作温度的影响。版本号： 1.0共7页第2页SVD1N70B/M/T命名规则典型特性曲线版本号： 1.0共7页第3页SVD1N70B/M/T典型特性曲线 ( 续)版本号： 1.0共7页第4页SVD1N70B/M/T典型测试电路版本号： 1.0共7页第5页SVD1N70B/M/T封装外形图TO-220-3LUNIT: mmTO-251-3LUNIT: mm版本号： 1.0共7页第6页SVD1N70B/M/T封装外形图（续）TO-92-3L单位 : mmTO-92-3L单位 : mm版本号： 1.0共7页第7页SVD1N70B/M/T声明：士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Sila