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文档简介
1、一、太阳能实验室具体建设方案2.1、太阳能光伏电池片生产线清洗制绒甩干扩散刻蚀去磷硅玻璃清洗甩干PECVD丝网印刷高温烧结检测分选名称(厂家、型号)技术指标图片数量单价合计用途制绒清洗机可处理硅片尺寸:max156*156;化学药液加热:室温1003;清洁方式:超声清洗和溢流清洗。1手动清洗、手动配液,硅片表面制绒,多晶包含冷冻机甩干机可处理硅片直径:150;旋转速度:3002400r/min;氮气烘干。1甩干硅片表面的水珠扩散炉可配工艺管外径:28英寸;可配工艺管数量:14管/台;恒温区长度及精度:3001250mm 80013000.5;工作温度范围:4001300;用于半导体器件、分立器
2、件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。1P 扩散和氧化工艺刻蚀机额定放片量: 200-500 片/批;适用加工硅片尺寸:125mmX125mm;156mmX156mm;反应室限真空:1pa;自动调节真空压力。1硅片周边刻蚀1 / 10去磷硅玻璃清洗机用于IC生产及半导体元器件生产中晶片的湿法化学工艺。该设备可有效去除晶片表面的有机物颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物,且不破坏晶片表面特性。可用于完成扩散前、光刻后、CMP后及氧化前等工艺的清洗工作。1清洗硅片表面石英管清洗机对石英管吸收层进行腐蚀清洗
3、,并且通过石英管的旋转作用,使石英管腐蚀层均匀, 通过在水槽中的清洗,使石英管表层污物清洗干净。酸洗排液注纯水溢流注水水洗排液1清洗扩散炉的石英管PECVD每管最大装片量:320片/舟(125*125) 52片/舟(156*156);工艺指标:片内3%,片间3%,批间3%;控制:全进口自动压力闭环调节系统,精准控制反应真空;40KHz AE高频电源;工艺舟软着陆;全数字式控制,完善安全的过程控制保护。用于淀积氮化硅减反射钝化膜丝网印刷机定位方式:视觉定位+光栅定位;印刷面积:Max.210210(mm); 网框尺寸:356.4356.425.4(mm);50050025(mm)(可选);工作台
4、重复定位精度:0.005mm;印刷速度:0-350m。用于太阳能电池片的正、负电极及电场的印刷高温烧结炉太阳能电池(1200*600 *3.2mm板)在生产线中进行连续退火(烧结、固化)的大尺寸腔体专用设备。该类设备还可用于半导体器件的固化、烧结等应用。长期使用温度:9005;网带宽度:400mm。用于太阳能电池正反两面金属喷镀的烘干以及烧结检测分选机光谱范围:符合IEC60904-9要求(A级);辐照强度:100mW/ cm(调节范围70120mW/cm);辐照不均匀度:2%;辐照不稳定度:2%;电性能测试误差:1%;单次闪光时间:10ms;有效测试面积:200mm200mm。测试太阳能电池
5、片的电性能参数光学显微镜放大倍数:7-45;观察头:双目头,双目瞳距55mm-75mm;目镜:WF10,视场直径:20mm;物镜:连续变倍:0.7-4.5;变倍比:6.5:1;工作距离:97mm;光源:上下照明,12V10W卤素灯。少子寿命测试仪少子寿命测试范围 :1s-6000s; 可测低阻硅料下限: 0.1.cm, 可扩展到 0.01.cm; 激光波长: 1.07m; 激光在单晶硅中的贯穿深度: 500m; 工作频率: 30MHz; 低输出阻抗,输出功率 1W; 电源:220V 50Hz 功耗50W。四探针测试仪1) 测量范围:电阻率:10的-4次方10的5 次方-cm方块电阻:10的-4
6、次方 10的5 次方/电阻:10的-4次方 10的5 次方2) 可测半导体材料尺寸直径:5mm-130mm长度:400mm如果使用手持探针,尺寸范围可以延伸3) 测量方法:轴向、断面均可PN 结测试仪HTC温控器控温范围,室温至85;控温精度0.1.电子天平秤盘尺寸:85 mm;校准方式:全自动内校(时间、温度触发);显示:5.7”彩色触摸屏;接口:2个USB接口,RS232串口,以太网合计:万元2.2、太阳能光伏组件生产线名称(厂家、型号)技术指标图片数量单价合计用途串焊设备加热平板温度均匀,整个平板温度差小于2 ;温度控制精度1,温度设定范围20-90;电池片定位精度0.1mm,电池片串焊间隔均匀,外观美观;电源电压220V,加热功率单焊40W,串焊270W。层压机工作方式灵活,多重模式自由选择;标准工业控制模式:PLC自动处理,触摸屏实现操作及数据显示;集各种PID运算于一体。精确度高,抗干扰性强;开盖方式:多充气控背开式。修边、装框硅片尺寸:156*156,125*125,103*103;设备外形尺寸:16.5m*2.3m*3.2m;最大产量:1800片/小时;槽体数量:15槽;烘干时间20min合计:万元2.3、太
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