1半导体二极管的识别检测与选用

1、20132014 学年第二学期教案学科：电子技术基础 任课教师： 编号：1课 题模块一 整流、滤波电路第一节 半导体二极管的识别、检测与选用课时安排2编写日期14年2月28日检查签字授课日期班 级电安13-1课堂类型单一辅助教学手 段多媒体教学方法讲授教学目的1.会画普通二极管的图形、文字符号，判断二极管的正负极。2.能说出二极管的导电特性并判断简单电路中的二极管的导通情况。3.可以概括出二极管的工作原理重点二极管的导电特性难点二极管的导电特性和二极管的工作原理教学回顾教学过程教学内容调控与活动教师活动学生活动组织教学（3分钟）1、清点人数；2、填写教学日记及班级日记。向班长询问出勤情况要求学

2、生做好听课准备课前提问（5分钟）教授新课（34分钟）小结（3分钟）第二节讲授新课（30分钟）总结（5分钟）作业（10分钟）为学生介绍本学科的意义以及在生活中有哪些应用，为学生演示模拟电子的常用器件的外形和特点。提问：1、生活中见到的物体按照导电性能能分为哪几类？各有哪些物质？ 2、电工测验的二极管到底是什么呢？ 设计问题第一个问题主要是为了引出今天内容导体半导体和绝缘体，第二个问题是给大家一个直观的印象，半导体都是什么样的。在学生回答完后，老师做解答。第一节 半导体二极管的识别、检测与选用一 半导体材料（1） 导体（2） 绝缘体（3） 半导体半导体的导电特性介于二者之间。常用的半导体材料有硅、

3、锗等。 二 本征半导体受光照或温度上升影响，共价键中价电子的热运动加剧，一些价电子会挣脱原子核的束缚游离到空间成为自由电子。游离走的价电子原位上留下一个不能移动的空位，叫空穴。三 杂质半导体 在本征半导体中，有选择地掺入少量其它元素，会使其导电性能发生显著变化。这些少量元素统称为杂质。掺入杂质的半导体称为杂质半导体。根据掺入的杂质不同，有N型半导体和P型半导体两种。 （1）型半导体 在本征半导体中, 掺入微量价元素, 如磷、锑、砷等, 则原来晶格中的某些硅(锗)原子被杂质原子代替。型半导体中, 自由电子称为多数载流子；空穴称为少数载流子。 （2）P型半导体 在本征硅(或锗)中掺入少量的三价元素

4、，如硼、铝、铟等，就得到P型半导体。这时杂质原子替代了晶格中的某些硅原子，它的三个价电子和相邻的四个硅原子组成共价键时，只有三个共价键是完整的，第四个共价键因缺少一个价电子而出现一个空位。 通过本节的学习，让学生能够说出杂质半导体的基本类型和物质的导电性能分类四、二极管的基本结构与类型把PN结用管壳封装，然后在P区和N区分别向外引出一个电极，即可构成一个二极管。二极管是电子技术中最基本的半导体器件之一。 二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图1所示,在图1 (b)所示电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向。图1 晶体二极管结构示意图及电路符号根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。五

5、、二极管的基本特性 （1）单向导电性 1.二极管正向偏置 给PN结加正向偏置电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,此时称PN结为正向偏置(简称正偏) P 区N 区+ - UR外电场内电场图1.1.8 PN结加正向电压 2二极管反向偏置 给PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏) P 区N 区 - +UR内电场外电场结论： 二极管具有单向导电性,即加正向电压时导通,加反向电压时截止。3.二极管的击穿特性 当加于PN结的反向电压增大到一定值时，反向电流会急剧增大，这种现象称为PN结击穿。PN结发生反向击穿的机理可以分为两种。 4.二极管的伏安特性

6、60; 半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性单向导电性。图2 二极管的伏安特性曲线1)正向特性二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的A(A)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.2V,如图2中OA(OA)段。当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.7V,锗管约为0.3V,如图2中AB(AB)段。2)反向特性 二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随

7、反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图中OC（OC）段。3)反向击穿特性 二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图2中CD(CD)段。4)温度对特性的影响 由于二极管的核心是一个PN结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。六、二极管的主要参数 1)最大整流电流2)最大反向工作电压3)反向电流4) 1. 二极管的结构2. 二极管的单向导电性3. 二极管的主要参数课后题 判断题，填空题这段内容简述原理较复杂不要讲解太多提问：让学生思考并回答P型和N型半导体的区别，哪些是多子。然后讲解PN结形成的原理。结合多子的扩散和少子的漂移运动通过真实二极管的外形进行讲解设计问题：PN结正向偏置电压时候，空间电荷区变薄还是变厚？设计问题：PN结反向偏置电压时候，空间电荷区变薄还是变厚？简单介绍击穿特性重点介绍二极管伏安特性4个电压必须掌握，可以给学生3分钟时间理解记忆主要参数简单介绍板 书 设 计幻灯片投影课前提问1、生活中见到