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文档简介

1、模拟电路全定制设计实验报告实验1实验10 这一部分的实验是画出buffer的版图并进行DRC、LVS以及RCX，最后进行后仿真的过程。Buffer的电路图及版图如下：Buffer_text的电路图如下：进行后仿真后的结果如下：（1） 对不带寄生参数的原理图进行仿真：（2） 对带寄生参数的原理图进行仿真：实验11本实验是通过电路对二极管的I-V特性进行仿真测试。测试电路图如下：仿真结果如下：实验12本实验目的是仿真测试BJT和MOS晶体管的I-V特性。测试BJT管的电路图如下：三极管的输入特性曲线如图：三极管的输出特性曲线如图：测试MOS管的电路图如下：MOS管的输出特性曲线：MOS管的输入特性

2、曲线：MOS管的参数观察如下：实验13本实验是对MOS管栅源电容，体效应以及总电容的测试。栅源电容测量电路如图所示：栅源电容随栅源电压的变化曲线：体效应及总电容的测试电路如下：不同VGS下的mos管的输入特性曲线：MOS管的总电容随栅电压变化的曲线：实验14本实验主要是对MOS晶体管共源级放大器进行仿真测试（1）电阻负载的共源放大器电路如下：直流仿真结果：参数化扫描结果：MOS管的DC分析时的参数：AC仿真结果如图所示：TRAN仿真结果如图：（2）二极管负载的共源放大器电路如下：直流仿真结果：参数化扫描结果：AC仿真结果：TRAN扫描结果：（3）电流源负载的共源放大器电路如下：直流仿真结果：AC仿真结果：TRAN仿真结果：实验15 本实验是对简单地差动电路放大器进行仿真测试。差动放大器电路图如下：DC扫描及输入输出共模范围图像：AC分析：相位裕度：共模增益波形：从VDD到VOUT的增益曲线：实验18本实验要求自己设计一个三输入与非门，要求驱动10pf的电容，并且延时不能大于

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