沟道长度相关参数Leff等

1、1、Leff即有效沟道长度，由于做COMS的时候，为了防止HCE（Hot Carrier effect），会打LDD，再加上其他很多因素，实际的NMOS和PMOS之间的通道，并不是和Poly Gate的长度一样。如下图。l&S$c）D&d_T半导体技术天地Semiconductor Technology WorldLeff量测方法是通过测电阻得来，总电阻Rdrain端的电阻外加电阻（比如contact的接触电阻等等）图中两条曲线表示，加两个不同的gate电压（4v,6v），在两个不同CD的Gate之下（20um，0.5um）,测出来的R。交点表示刚好Vg相同，并且有效沟道长度为

2、0的情况，由此算出L &Z7uJ%h0K半导体技术天地Semiconductor Technology World另外还有Weff，有效沟道宽度，道理一样。图片附件: Leff.jpg (2007-2-5 00:19, 64.19K)v s;v        h,H$oT半导体技术天地Semiconductor Technology World2、Kappa与Beta（）估计大家对Kappa的了解是最少的。Kappa实际上就是Poly能力的本质所在，只与Gox的厚度和电子迁移率有关，它决定了当gate开启的时候，电流的大小。但是电流大小还会与Po

3、ly本身的尺寸有关，所以Beta是融合了Poly长宽(L/W)的Kappa。#j8UpfV"L:XBo半导体技术天地Semiconductor Technology World当客户设计的时候，就会问fab的Kappa是多少，如果fab制程提供的Kappa不满足design的需求，客户就会在长宽（L/W）上动脑筋，长度增加，电流也增加了。图片附件: Kappa.jpg (2007-2-5 00:19, 63.48 K) 3.Isatk*e6y        io)S芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,

4、design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA即饱和电流，即Gate开启后，电流在一定drain端电压范围内不再增加。沟道长度越短，Gate开启（Vg>Vt）时的电流越大，就越早达到饱和电流。那么是不是Isat一定与Vt成反比呢？大家去查任何一本半导体的书，或者问自己的师傅，一定会告诉你：是。4p-I0G BJc$A但是答案是不一定。芯片制造过程中会遇到很多想像不到的问题，我带的产品确实是Isat和Vt成正比。这个案例非常复杂，以后我会告诉大家。芯片, 图片附件: Isat.jpg (2007-2-5 00:19, 52.0

5、5 K) 9d)n#k6b,3j!g4、Bv#g5r!?$i+S(i6Kt芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA这里特别说明，Bv与VBD本质上不同，Bv是Gate不开的时候，只在drain端加高压，量测drain端电流，所以量测的是source到drain的击穿，当然与沟道长度有关； VBD是量测drain到Gox的击穿，所以是评估Gox好不好的参数。图片附件: Bv.jpg (2007-2-5 00:19, 58.27 K)5、Swing和DIBLN-?8u;XT芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA这两个参数都是MOS在subthreshold区的参数。在subthreshold区，Vg略小于Vt，这个时候的通道电流不应该是强反转时候的电流，而是弱反转，即npn或pnp之间的电流。所以一句话概括，当MOS关闭的时候，我们当然希望里面什么电流都没有，当MOS开启的时候才有电流。4aGaX Ym&q2KSwing就