电子技术复习题1

1、电子技术总复习一、填空1P型半导体中的多数载流子是（空穴）；N型半导体中的多数载流子是（自由电子）。2半导体二极管有硅管和锗管之分。硅二极管的正向导通电压为（0.6）（0.8）V，死区电压为（ 0.5 ）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）（0.3）V，死区电压为（ 0.1 ）V。3半导体二极管具有单向导电性。加（正）向电压时导通；加（反）向电压时截至。硅二极管的正向导通电压为（0.6）（0.8）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）（0.3）V。4某稳压管的稳定电压UZ=5V，最大耗散功率PZM=100mW，则其最大稳电流IZM=（20）mA。 5某稳压管的稳定电压UZ=6V，最大稳定电流

2、IZM=20mA，则其最大耗散功率PZM=（120）mW。6晶体管有（集电 ）极、（ 基 ）极和（ 发射 ）极三个电极，分别用字母（ C ）、（ B ）和（E ）表示。7晶体管的输出特性曲线可分为（ 放大 ）区、（ 截止 ）区和（ 饱和 ）区。晶体管处于放大区的条件是发射结（ 正 ）向偏置，集电结（ 反 ）向偏置。8电子电路中的晶体管有放大、饱和截至三种工作状态。测得某电子电路中a、b、c三个晶体管各极的电位如图所示。则晶体管a工作于（饱和）状态，晶体管b工作于（截止）状态，晶体管c工作于（放大）状态。9放大电路如图a所示，其晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图b所示，图中Q为静态工

3、作点。则晶体管=（50），静态IC=（2mA），UCE=5V，电阻RB（250k），RC=（2.5k），最大不失真输出电压Uom=（3V）。10理想运算放大器的理想化条件是Auo（ ），rid（ ），rod（ 0 ），KCMRR（ ）。11负反馈放大电路有（串联电压 ）负反馈、（ 串联电流 ）负反馈、（ 并联电压 ）负反馈和（ 并联电流 ）负反馈四种类型。12正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是：（1）（相位 ）条件，即必须是（ 正 ）反馈；（2）（幅度 ）条件，即（ 1 ）。13在单相半波整流电路中，设整流变压器副边电压有效值为10V，则整流电压的平均为（ 4.5 ）V，二极管承受的最大反相电

4、压为（ 14.1 ）V，若负载电流平均值为2A，则流过二极管的电流平均值为（4.44 ）A。14设整流变压器副边电压有效值为U。单相半波整流电路整流电压的平均值为（ 0.45 ）U，二极管承受的最大反相电压为（ 2 ）U；单相全波整流电路整流电压的平均值为（ 0.9 ）U，二极管承受的最大反相电压为（ 2 2 ）U；单相桥式整流电路整流电压的平均值为（ 0.9 ）U，二极管承受的最大反相电压为（ 2 ）U。157页15在图1.1（a）的串联型稳压电路中，已知UZ=5V，晶体管T的UBE=0.7V，则UO=（ 4.3 ）V。在图1.1（b）的串联型稳压电路中，已知UZ=5V，UXX=5V，则UO

5、=（ 10）V。16有0出1，全1出0是（ 与非 ）门的逻辑特点。17将逻辑式化简后的结果为Y=（ A ）。18将十进制数（27）10转换为二进制数为（ 11011 ）。19在决定一件事情的条件中，全部条件满足结果才发生的逻辑关系称为（ 与门 ）逻辑。20在决定一件事情的条件中，只要有一个条件满足结果就发生的逻辑关系称为（ 或门 ）逻辑。21测得某逻辑电路的输入变量A、B和输出变量Y的波形如图1.2所示，则Y=（ AB ）。22触发器有单稳态触发器、双稳态触发器和无稳态触发器之分。D触发器属于（ 双稳态 ）触发器，JK触发器属于（ 双稳态 ）触发器，时钟脉冲发生器属于（ 无稳态 ）触发器。二、

6、选择1对半导体而言，其正确的说法是（ C）。AP型半导体由于多数载流子为空穴，所以它带正电； BN型半导体由于多数载流子为自由电子，所以它带负电；CP型半导体和N型半导体本身都不带电。2附图所示电路的二极管是理想器件，AO两端的电压UAO为（ C ）。A4V；B-4V；C-10V； D14V。3在图示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（ B ）。AD1、D2截止，D3导通 BD1导通，D2、D3截止 CD1、D2、D3均导通 DD1、D2、D3均截止4在图示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（ A ）。AD1、D2截止，D3导通 BD1导通，D2、D3截止 CD1、D2、D3均

7、导通 DD1、D2、D3均截止5在图示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，稳压管的正向压降忽略不计，则UO=（ A ）。A5VB7VC0V6在图示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，正向压降忽略不计，则UO=（ A ）。A5VB7VC0V7NPN型晶体管处于放大状态的条件是各级电位（ A ）。AVCVBVEBVCVBVE CVCVBVE8PNP型晶体管处于放大状态的条件是（ B ）。AVCVBVEBVCVBVECVCVBVE9测得某放大电路中某PNP晶体管三个极的电为分别为-9V，-6.2V，-6V，则-6.2的那个极为（ B ）极。A集电极； B基极；

8、 C发射极；10测得某放大电路中的某NPN晶体管三个极的电位分别为9V，2.5V，3.1V，则这三个极分别为（D ）。AC，B，E； BE，B，C； CE，C，B； DC，E，B。11对某电路中一个NPN晶体管进行测试，测得UBE0，UBC0，UCE0，则该管工作在（A ）。A放大区； B饱和区； C截止区。12晶体管的控制方式为（D ）。A输入电压控制输出电压； B输入电压控制输出电流；C输入电流控制输出电压。 D输入电流控制输出电流。13在固定偏置共发射极放大电路中，当减小RB时，（ C ）。A集电极静态电流减小，集电极与发射极之间的静态电压减小；B集电极静态电流减小，集电极与发射极之间的

9、静态电压增大；C集电极静态电流增大，集电极与发射极之间的静态电压减小；D集电极静态电流增大，集电极与发射极之间的静态电压增大。14射极输出器（A ）。A有电流放大作用，没有电压放大作用；B有电压放大作用，没有电流放大作用；C有电流放大作用，也有电压放大作用；D没有电流放大作用，也没有电压放大作用。15若将分压式偏置放大电路中的发射极旁路电容去掉，则其交流电压放大倍数的绝对值（ B ）。A增大； B减小； C不变。16采用差动放大电路的目的是为了（ B ）。A电压放大B抑制零漂C增强带负载能力17图2.1所示的差分放大电路的电压放大倍数Ad=为（ A ）。 A B C D18OTL功率放大电路的

10、低频响应（ B ）。A比OCL功率放大电路好B比OCL功率放大电路差 C与OCL功率放大电路一样好19OCL功率放大电路的低频响应（ A ）。A比OTL功率放大电路好B比OTL功率放大电路差 C与OTL功率放大电路一样好20在图示的运算放大器电路中，IL=（ C ）。AB C21射极输出器属于（ B ）负反馈。A串联电流； B串联电压； C并联电流； D并联电压。22在图示的运算放大器电路中，UO=（ B ）。A15VB7.5V C30V23反相比例运算电路属于（ D ）负反馈。A串联电流 B串联电压 C并联电流 D并联电压24同相比例运算电路属于（ B ）负反馈。A串联电流 B串联电压 C并

11、联电流 D并联电压25某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ A ）负反馈。A串联电流 B串联电压 C并联电流 D并联电压26在单相半波整流电容滤波电路中，设整流变压器二次电压有效值为U，二极管承受的最大反向电压为（ B ）U。A； B； C； D。27在下面A、B、C各图中，Y恒为0的是图（C ）。28与相等的为（ B ）。A B C29将化简后得（ A ）。A B C30二进制数（101011），可转换十进制数（ A）。A（43）10； B（33）10； C（65）10； D（23）10。31与相等的是（ B ）。A； B； C； D。三、正误判断题1半导体二极管加正向电压

12、时一定导通。2半导体二极管加反向电压时一定截止。3稳压二极的动态电阻越小，稳压性能越好。4硅稳压二极管正向导通时的正向压降为0.60.8V。5晶体管集电极电流超过ICM，晶体管必定损坏。6晶体管无论工作于饱和、截止还是放大状态，其集电极电流均为基极电流的倍。7. 运算放大器无论工作在线性区还是非线性区，都有和的结论。8. 运算放大器只有工作于线性区时，才有和的结论。9. 阻容耦合放大电路既可放大交流信号，也可放大直流信号。10. 直接耦合放大电路既可放大交流信号，也可放大直流信号。11. 放大器的输出电阻越小，负载能力越强。12. 放大器的输入电阻越大，取信号源的电流就越小，信号源的内阻压降也

13、越小。13. 共发射极放大电路电压放大倍数的绝对值总是大于1的。14. 射极输出器具有输入电阻大输出电阻小的特点。15. 反相比例运算电路电压放大倍数的绝对值既可大于1也可小于1。16.射极输出器的反馈类型为电流串联负反馈。17. 同相比例运算电路的电压增益只能大于或等于1。18. 串联负反馈增大输入电阻，并联负反馈减小输入电阻。19. 电流负反馈增大输出电阻，电压负反馈减小输出电阻。20.负反馈放大电路只能减小失真而不能消除失真。21.负反馈放大电路能提高放大倍数的稳定性。22.负反馈放大电路能完全消除波形失真。23.在单相桥式整流电路中，无论带电容滤波或不带电容滤波，二极管承受的最大反向电

14、压均为整流变压器二次侧电压的倍。24.组合逻辑电路的输出状态不仅与当前的输入状态有关，而且与厡输出状态有关。25.时序逻辑电路的输出状态不仅与当前的输入状态有关，而且与厡输出状态有关。26.把或非门当非门使用时，不用的输入端应接地，或把所有的输入端接在一起，作为非门的输入端。27.把与非门当非门使用时，应将多余的输入端悬空或接高电平，或把所有的输入端接在一起，作为非门的输入端。28.寄存器也可以由单稳态触发器或无稳态触发器组成。 29.计数器也可以由单稳态触发器或无稳态触发器组成。 四、 4解析题1放大电路如图。已知RB1=270k，RC=3k， UC=6V，UBE=0.6V，晶体管的=50。

15、（1）求静态IB、IC和UCE；（2）求晶体管的输入电阻rbe；（3）画出放大电路的微变等效电路；（4）求电压放大倍数Au；（5）求放大电路的输入电阻ri和输出电阻ro。解（1）（2）（3）（4） （5），2放大电路如图2.1所示。已知V，k，k，k，k，k，UBE=0.6V。（1）估算电路的静态工作点（IB、IC、UCE）；（2）画出电路的微变等效电路；（3）求晶体管的输入电阻rbe；（4）求电压放大倍数Au；（5）求输入电阻ri和输出电阻ro。 解（1）（2）（3）（4）（5），3在图示的射极输出器中，已知RB=100k，RE=1k，RS=1k，晶体管的=100，rbe=1k。(1) 画出

16、微变等效电路；(2) 求电压放大倍数Au；(3) 求输入电阻ri和求输出电阻ro。 3试用运算放大器实现运算。(1) 画出运算电路；(2) 计算各电阻的阻值(设RF=100k)。解：（1）（2），4试用运算放大器实现运算。(1) 画出运算电路；(2) 计算各电阻的阻值(设RF=100k)。解：（1）（2），5模拟运算电路如图3.3所示。试求：（1）uo1的表达式；（2）uo2的表达式；（3）uo的表达式。6模拟运算电路如图所示。试求：（1）uo1的表达式；（2）uo2的表达式。7整流电路如图所示。试求：（1）整流电压平均值UO1和UO2；（2）二极管D1、D2、D3中的平均电流ID1、ID2、ID3；（3）二极管D1、D2、D3承受的最高反向电压UDRM1、UDRM2、UDRM3。8求图示直流稳压电路输