第七章半导体存储器和可编程逻辑器件

1、！单元数庞大！输入/出引脚数目有限EPROMROMROM可可擦擦除除的的可可编编程程可可编编程程掩掩膜膜RAMRAM动态动态静态静态A0An-1W0W(2n-1)D0Dm写是一次性编程，不能改！编程时将不用的熔断有出厂时，每个结点上都熔丝由易熔合金制成写入时，要使用编程器MOSInjuctionAvlanchegateFloating:FAMOS 空穴对，提供泄放通道生电子“擦除”：通过照射产“写入”：雪崩注入管叠栅注入MOS)MOSInjuctiongateStacked(SIMOS浮置栅控制栅:G:Gfc通处正常逻辑高电平下导上未充负电荷，则若导通处正常逻辑高电平下不上充以负电荷，则若工作

2、原理：cfcfGGGG年）光灯下分钟（阳光下一周，荧紫外线照射空穴对，提供泄放通道生电子“擦除”：通过照射产形成注入电荷到达吸引高速电子穿过宽的正脉冲，上加同时在发生雪崩击穿）间加高压（“写入”：雪崩注入33020502525202,GSiOms,VG,VSD,fc)MOS(FLOTOXUVEPROM管浮栅隧道氧化层采用点擦除慢，操作不便的缺为克服“隧道效应”电子会穿越隧道）当场强达到一定大小（厚度之间有小的隧道区，与,cm/Vm*SiODGf78210102导通）下，电压（未充电荷时，正常读出截止）下，电压（充电荷后，正常读出工作原理：TVGTVGGCCf33fjCiGBms,VG,W*电子

3、隧道区接的正脉冲，加充电：01020上电荷经隧道区放电加正脉冲，接放电：fjiCGB,WG*0（隧道区）（隧道区）区有极小的重叠区区有极小的重叠区与与）更薄（更薄（与衬底间与衬底间 SG*nmOSG*fif15102的正脉冲的正脉冲，加加接接），），加正压（加正压（，充电利用雪崩注入方式充电利用雪崩注入方式向向工作原理：工作原理：usVGVVSDG*cssf101206 上电荷经隧道区放电上电荷经隧道区放电的正脉冲的正脉冲加加放电，利用隧道效应放电，利用隧道效应fsscfGns,VV,GG100120 ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDCBAYCBABCAYROM4321产生

4、：产生：用用 ),(mY),(mY),(mY),(mY15214414107676324321作存储单元作存储单元触发器，触发器，为基本为基本RSTT41相通相通、与与、导通，导通，行中被选中，行中被选中，时，能在时，能在jjiBBQQT,TX6511 单元与缓冲器相连单元与缓冲器相连列列第第行行第第导通，这时导通，这时时，所在列被选中，时，所在列被选中，jiT,TYj871，读操作，读操作截止，截止，与与导通，导通，则则若若时，时，当当OIQAAA,WRCS 32110，写操作，写操作导通，导通，与与截止，截止，则则若若QOIAAA,WR 3210六管N沟道增强型MOS管CSWRAAOIOI

5、片选信号：片选信号：写信号：写信号：读读地址线：地址线：数据线：数据线：/70701024 x 8RAM70OI.OI9870A,A,A.AWRWRA,A,AAOIOI写信号：写信号：读读地址线：地址线：数据线：数据线：/987070):A(110025625670 个个地地址址个个字字，需需要要每每一一片片提提供供CS,YYAAA,A分分别别接接四四片片的的译译成成即即将将两两位位代代码码区区分分四四片片用用308989102376876751251125625501110010007070707AA,AA,AA,AA四四片片的的地地址址分分配配就就是是：89AA4321CSCSCSCS数字系统A0An-1W0W(2n-1)D0Dm可编程的“或”阵列可编程的“与”阵列用途：产生组合逻辑电路用途：组合逻辑电路，有三态控制可实现总线连接可将输出作输入用用途：产生时序逻辑电路时序逻辑电路还可便于对“与-或”输出求反时序逻辑电路可产生A、B的十六种算术、逻辑运算GAL16V8数据选择器1. IOB2. CLB3. 互连资源4. SRAM可以设置为输入/出；输入时可设置为：同步（经触发器）异步（不经触发器）可配置逻辑块：本身包含了组合电路和触发器，可构成小的时序电路，将许多CLB组合起来，可形成大系统1. 数据可先放在EPROM或PC机中2. 通电后，自行