论文GaN光电性质化学性质

1、论文：Si衬底上GaN厚膜生长及Cr掺杂GaN性质研究【中文摘要】近年来,GaN材料以其优异的光电性质和稳定的化学性质在光电信息技术领域越来越受到人们的关注。GaN材料是直接带隙半导体材料,具有禁带宽、电子饱和速率高、击穿电场高、热稳定性好、化学稳定性强等优点。目前,基于GaN及其化合物的激光二极管和发光二极管已经实现商业化应用。另外,GaN材料的禁带宽度宽,适用于制备短波长光电子器件；GaN材料的击穿电场高,适用于制备高频器；GaN材料的化学性质稳定,抗辐射能力强,可以在高辐射环境下工作。由于热力学性质的限制,GaN体材料的生长仍然存在较大的困难。近年来,利用HVPE方法生长高质量的GaN方

2、面已经取得了很大的进展。HVPE方法具有生长速率高的优点,适用于生长GaN厚膜,进而可以获得GaN的体材料。这种厚膜可以作为进一步外延生长高质量GaN的衬底材料。本文利用自制的卧式HVPE设备,在Si衬底上生长了GaN厚膜,在蓝宝石衬底上生长了Cr掺杂GaN厚膜。并通过多种测试手段,研究了Si衬底GaN厚膜和Cr掺杂GaN厚膜的结构、光学、电学等性质,主要研究结果如下：1、使用HVPE方法,在Si(111)衬底上生长低温GaN缓冲层,然后再高温外延生长GaN厚膜.【英文摘要】In recent years, GaN has attracted extensive attentions in t

3、he area of photo-electronics. GaN is direct band gap semiconductor material, with many advantages, such as wide band gap, high electron saturation velocity, high breakdown fields. Now, the laser diodes and light emitting diodes based on GaN and related compounds have already been commercialized. Als

4、o, the wide band gap of GaN makes it a good candidate for the short wavelength optical devices. The high breakdown fields make GaN suitable for high pow.【关键词】GaN 光电性质 化学性质【英文关键词】【索购全文】联系Q1：138113721 Q2：139938848 同时提供论文写作一对一辅导和论文发表服务.保过包发【目录】Si衬底上GaN厚膜生长及Cr掺杂GaN性质研究摘要3-5ABSTRACT5-6第一章 绪论9-22§1.1

5、 族氮化物半导体材料特点概述9-12§1.2 氮化镓材料的外延生长技术12-15§1.3 氮化镓外延衬底材料的选择15-17§1.4 氮化镓基稀磁半导体材料的研究进展17-19§1.5 本论文的主要工作19-20参考文献20-22第二章 Si(111)衬底上GaN厚膜HVPE生长22-41§2.1 引言22-24§2.2 低温GaN缓冲层对Si基GaN厚膜性质的影响24-30§§§2.3 AlN缓冲层上Si基GaN厚膜HVPE生长30-37§§§2.4 本章小结37-39参考文献39-41第三章 Cr掺杂GaN厚膜的制备和研究41-54§3.1 引言41-43§3.2 Cr掺杂GaN厚膜的制备和研