10级电路与电子技术复习题答案版

1、1图1所示元件中电流的真实方向： B到A ，电压的真实方向 B到A ，吸收功率 50W 。2某正弦交流电路的总电流、总电压相量图如图2所示，已知 Im=1.41A ，则 1.41/2-26.5。3在图3所示电路中，电压U = 8V 。4. 一阶电路的三要素法中的三个要素是： 初始值 ； 稳态值 ； 时间常数 。5电流i = 100 cos(314t +300 )A，其有效值为 100/2 ，频率为 314red/s ，初相位为 30° 。6对于具有n个节点，b条支路的电路，独立的KCL方程数为 n1 ；独立的KVL方程数为 b(n1) 。7. 分别写出电容元件、电感元件在关联参考方向

2、下的伏安关系： i=dq/dt=Cdu/dt 、 u=Ldi/dt 。8. 正弦量所对应的相量为： 1040° 。9. 图3所示电路中，电压Uab= 6v 。图310.图4所示电路中，5V电压源发出的功率= 1.25w 。图411.求图5电路中电压 u = 2v 。图512. 图6所示电路中电流I为 52A 。图613. 在图7所示电路中，电压源产生的功率Pus = 4W 。 图 714. 图8所示电路中开路电压 UOC = 30V 。 图8 15. 求图9电路中ab端的等效电阻Rab = 4欧姆 。 图916. 图10所示电路中，电压U= 3V 。图1017. 电路中的任何一闭合路

3、径称为 回路 。三条或三条以上支路的连接点称为 结点 。18. KVL指出：对于电路中的任一回路，在任一时刻，沿着该回路的 电压降 代数和为零。19. 当取关联参考方向时，理想电容元件的电压与电流的一般关系式为i=dq/dt=Cdu/dt 。当取非关联参考方向时，理想电感元件的电压与电流的相量关系式为 u=Ldi/dt 。20. 一般情况下，电感的 电流 不能跃变，电容的 电压 不能跃变。21. 两个电路的等效是指对外部而言，即保证端口的 伏安关系（VAR） 关系相同。22. KCL定律是对电路中各支路 电流 之间施加的线性约束关系。23. 正弦电压为u1=10cos(100t+3/4),u2

4、=10cos(100t+/4),则u1的相量为 10/2135°，u1u2= 10+10j 。24. 若Uab=12V，a 点电位Ua为5V，则b点电位Ub为 7 V。25. 当取关联参考方向时，理想电容元件的电压与电流的一般关系式为i=dq/dt=Cdu/dt ；相量关系式为 U=jXcI 。26. 理想电压源与理想电流源并联，对外部电路而言，它等效于 理想电压源 。27. RC串联电路的零状态响应是指uc(0-) 等于 零、外加激励 不等于 零时的响应。（t=0时换路）28. 已知，写出电压相量V所代表的电压瞬时值表达式 u=50sin(10t30°) 。29. 同频率

5、正弦电压、电流分别为V, mA，则相位差= 20° 。30. 已知i = 14.14cos(t+30°)A，其电流有效值为 10 安培，初相位为 30° 。31. 已知负载阻抗为，则该负载性质为 电感性 。32. 电路中参考点选得不同，各点的电位 不同 。33. 在f =50HZ的交流电路中，容抗XC =314W,电容C= 1/31400x3.14 。34. 晶体三极管工作在饱和区时发射结、集电结的偏置是 正向偏置 35. 整流二极管的整流作用是利用PN结的 单向导电 特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。36. 已知一晶体三极管工作在放大区，并测得三

6、个电极的电位分别为9V、3.2V、3V，则此管为 PNP 型管子。37. 半导体三极管具有放大作用的外部条件是：发射结必须 正向偏置 、集电结必须 反向偏置 。二、选择题1在正弦稳态电路的电容上，电流i与电压u是关联参考方向，则下列表示式中正确的是（ B ）。  Ai = Cu B CI = jCU D i = C du/dt2已知u = 10 sin（100t-30°）V，i = 10 sin（100t+30°）mA。则电压与电流关系是（ D ）。A电压超前电流60° B电压与电流同相 C电压超前电流30° D电压滞后电流60

7、76; 3图1所示电路中，UBA=（ C ）。A、E + IR B、E - IR C、- E + IR   D、- E - IR图14关联参考方向下，线性电阻的伏安特性曲线为（ C ）。A通过一、四象限的直线 B通过二、三象限的直线C通过一、三象限的直线 D通过一、二象限的直线5. 电路如图2所示，a点电位a等于（ B ）。A 1V B V C 1V D 3V图26. 在图3所示电路中，网孔电流如图中所标，其中网孔方程为 ( C ) 。 A B C D 图37. 一个具有n个节点、b条支路的电路，对其所能列写相互独立的KVL方程为( A )个。 A b-n+1 B n-1

8、C b+n+1 D b-n8. 在计算戴维南定理求等效电阻时，应将原电路的电源置零，电源置零意味着（ B ）。A. 电压源开路、电流源短路 B. 电压源短路、电流源开路C. 电压源开路、电流源开路 D. 电压源短路、电流源短路9. 当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流（ B ）A 一定为正值 B 一定为负值 C 不能肯定是正值或负值 D 可能为负，也可能为正10. 当电路中选择不同的节点为参考节点时，则（ A ）A 各支路元件上的电压数值不变 B 各节点上的电位数值不变C 各支路元件上的电压及节点上的电位数值都会改变11. 图4所示电感元件，已知电感量L=2H，电感电流i(t)

9、的波形如图5所示，则电感元件的电压u(t)= 2V(0<t<1s);1V(1<t<3s) 。图4 图512. 图6所示正弦电流i1与i2的不同点是下列情况中的 （ A ）。A、角频率不同 B、初相角不同  C、有效值不同 D、最大值不同图613.已知正弦电流的波形如图7所示，试写出其函数表达式i(t) = 100sin(t+45°) 。图714. 图8所示电路中的电压U为（ B ）。+ U - 1 10A+ 3A 5V - + 10V -图8A. 5VB. -5VC. 10V D. 7V15. 图9所示电路的节点电压方程为（ B ）。U1图9 R3+

10、 Us1 - R2 Is1 R1A. B. C. D. 16图10所示电路中开关闭合后，电容的稳态电压uC（）等于（ A ）。A. 2V B. 2V C. 5V D. 8Vt=0 2W + 5V + + 6V 2W 1F uc-图1017电路的过渡过程的解可以按（ B ）方式来划分。A. 稳态响应和零输入响应 B. 稳态响应和暂态响应C. 暂态响应和零状态响应 D. 稳态响应和零状态响应18在计算戴维南定理求等效电阻时，应将原电路的电源置零，电源置零意味着（ B ）。A. 电压源开路、电流源短路 B. 电压源短路、电流源开路B. 电压源开路、电流源开路 D. 电压源短路、电流源短路 -2V -

11、2.2V-8V图1119测得一放大电路中三极管各极电压如图11所示：该管为（ C ）。A. PNP型硅管B. NPN型硅管C. PNP型锗管D. NPN型锗管20正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（ B ）。A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域21. 本征半导体的载流子浓度随温度上升而变，其中（ C ）。A 自由电子浓度增加，而空穴浓度不变B 空穴浓度增加，而自由电子浓度不变C 空穴和自由电子浓度以同样的规律和倍数增加D 空穴和自由电子浓度不变21. 杂质半导体中的少数载流子浓度（ D ）。A 与掺杂浓度和温度无关 B 只与掺杂浓

12、度有关C只与温度有关 D 与掺杂浓度和温度都有关22. 硅二极管的死区电压约为 A V， 锗二极管的死区电压约为 D V。A 0.5 B 1 C 1.5 D 0.1 23. 测得晶体三极管时，；时，则该晶体三极管的交流电流放大系数为（ B ）。A 80 B 60 C 75 D 1 00 24. 三极管工作在放大区时，发射结为 A ，集电结为 B ；工作在截止区时，发射结为 B ，集电结为 B ；工作在饱和区时，发射结为 A ，集电结为 A ； A 正偏 B 反偏 C 零偏 25. 三极管的三管脚的对地电压分别为UA=12V、UB=4.7V、UC=4V，则此三极管是 A 材料 C 型管，A为 E

13、 极，B为 F 极，C为 G 极，该三极管处于H 工作状态。 A 硅 B 锗 C NPN D PNP E 集电 F 基 G 发射 H 放大I 截止 J 饱和26. PN结加正向电压时，空间电荷区 C ，此时电流由 A 形成；PN结加反电压时，空间电荷区 D ，此时电流由 B 形成。 A 扩散运动 B 漂移运动 C 变宽 D 变窄27. 稳压二极管正常工作时应在特性曲线的 C 区。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿28. 温度升高时，二极管的反向电流将 A 。 A 增大 B 不变 C 减少三、 简算题i0.1S u i20mH u i 10V u (a)(b)(c)1在指定的电压u和电流i参考方向下，写出下列元件u和i的约束方程(VCR)。2在图示电路中,Uab=5V，R=? 3求图示电路中电流I值。 4用电源的等效变换