光纤通信系统复习提纲

1、光纤通信系统复习提纲PS：红色不要求第一章 绪论 第五章 系统和其它1 光纤通信系统基本构成（单波长系统（第一章）各部分功能），DWDM各部分要求（第五章）2 光纤通信系统优缺点（第一章），频率间隔和波长间隔的转换（第一章），光纤通信容量的表示方法（BL），各代光纤通信系统特点（第一章）3 NRZ和RZ格式（第一章和第三章一起看，会画眼图，其中66%占空比的也称为CS-RZ），复用方式（第一章），调制方式：第一种分法：（第一章：IM（intensity modulation，强度调制）（也叫OOK或者ASK）和PSK）；第二种分法：模拟调制，数字调制；第三种分法：内调制、外调制。频谱图（注意C

2、S-RZ没有载波分量）眼图4 光纤通信系统典型拓扑结构（广播和分配网（HUB和BUS拓扑结构）、局域网（BUS拓扑结构：Ethernet，Ring拓扑结构：FDDI(Fiber Distribution Data interface)）注意：功率分配不要求。5 光纤通信系统功率预算和上升时间预算 6 光放大器的分类（3种），EDFA、波分复用器等重要器件，波长控制等关键技术会画示意图。第二章 光纤1 光纤基本参量计算：数值孔径（NA），归一化频率（V<2.405），模场半径（w：最大值1/e处的半径），相对折射率差delta，光纤的分类。2 TE、TM、HE、EH、LP模下标之间的关系（

3、下标分别表示什么，在图上要知道），什么是模式折射率，模式折射率满足的条件。3 光纤损耗机理和作用效果（分类，掌握本征损耗两个，其中瑞利散射的特点和波长4次方成反比），损耗系数单位的转换0.2（dB/km）/4.343，光纤通信的三个工作窗口4 光纤色散（模间色散和模内色散，模间色散（多模阶跃和多模渐变）两个BL限制），色散单位的含义（常用ps/(nm*km），群速度色散D（也叫模内色散=材料色散+波导色散，图要会画），色散位移光纤（G.653）（色散图+原因），偏振模色散，高阶色散，色散补偿光纤（DCF）实现色散补偿的原理（要求D1L1+D2L2=0，S1L1+S2L2=0），考虑D和S的BL

4、限制（或色散大小)5 色散致脉冲展宽：正色散、负色散、正常色散、反常色散的定义关系和脉冲速度随频率的关系：D>0时（反常色散区），频率高的速度快；反之，频率高的速度慢，知道这个即可。（注意都是脉冲扩展）。不同条件下的色散限制6 非线性：SPM（导致脉冲的什么结果，光孤子的原理）、XPM（SPM、XPM：kerr效应：光纤折射率随入射光功率变化而改变）。SRS（高频光子变为低频光子（斯托克斯光）光学声子，注意方向，增益带宽20-30THz）、SBS（高频光子变为低频光子（斯托克斯光）声学声子，注意方向，增益带宽<100MHz）（SRS、SBS受激散射效应（非弹性散射）：散射后的入射光

5、频率发生改变）的产生机理（上面括号中）及功率预算（=16，=21），FWM的危害和克服方法（注意：单波长系统无FWM效应，WDM系统中为避免 FWM一般采用NZDSF）7 各种光纤的特点：G.651、G.652、G.653、G.655、在DWDM系统中要用大有效面积非0色散位移光纤（大有效面积：降低光强度进而降低非线性效应，色散位移：低损耗，非0：降低XPM，FWM效应）、DCF、全波光纤（G.657），无水光纤（无OH-）。结合上面的重点考虑以下问题：  光纤的色散对信号传输有何影响？如何减少色散？   何谓多模光纤和单模光纤？  

6、 模式的物理意义？模式的种类有哪些？   光纤的损耗对信号传输有何影响？如何减少光纤损耗？ 使得光信号的有效传输距离L缩短，导致BL变小。无水光纤（去除OH-），窗口移向1550nm。  有哪些非线性效应？非线性效应对信号传输有何影响？如何减少光纤非线性效应？   光纤按模式如何分类？其发展的路线图如何？ （第一章也有）第三章 光发射机1 光纤通信对光源的要求（输出光功率高，线宽窄），光源的两个最重要指标：光谱线宽和阈值电流2 半导体发光的物理基础：三种跃迁过程（对应的器件），费米能级+粒子数反转+正向偏置PN结（原理过程弄

7、懂），双异质结结构对半导体发光器件的性能改善，非辐射复合及其危害（哪些，其中：Auger加速周围电子使得T升高，进而再加剧Auger效应）（为何普通电路中的二极管不能发光？），如何决定半导体材料的组分（半导体材料的禁带宽度的计算公式）3 LED的特性（PI特性（LED内部产生的光功率、LED的出射光功率）（响应度（定义）和功率转换效率的关系）（PI曲线（响应度）和T的关系）、光谱特性、调制特性（调制带宽），为什么LED适合用在短距离、低速、模拟通信中（PDF97页），LED的类型（2个）4 LD的工作条件（3个），阈值条件（g>alpha），纵模条件（相位条件或频率间隔），LD激射的三个

8、状态（过程）（PDF97页108-109）5 LD的典型结构，增益导引和折射率导引条形激光器，同质结、异质结、条形激光器、多量子阱结构如何实现阈值电流的降低和输出功率的提高。LD的发展图要会画：从同质结到MQW怎么变的。（提高两个限制）6 如何实现单纵模？DBR、DFB、外腔、VCSEL的基本原理（如何实现SLM（关键点即可）。7 LD的工作特性：（PI特性（LD内量子效率、外量子效率、微分量子效率、总效率之间的关系）（响应度（定义）和功率转换效率的关系）（PI曲线（响应度）和T的关系）、光谱特性、调制特性（调制带宽）, 大信号调制导致的信号畸变（4个+自脉冲行为=5个）8 直接调制与外调制的

9、异同点，外调制哪些类型？（看题目） 9 注意：本章PDF后面的review（201页开始）也有一些总结可以参考，但是重点都在上面写的。驱动电路都不需要。结合上面的重点考虑以下问题：  物质为何能发光？能级三种基本跃迁过程？   为何说受激辐射过程是光放大过程？   为何说光放大是激光产生的必要条件？   半导体材料产生光放大的必要条件是什么？如何实现粒子数反转条件？   何谓同质结？何谓异质结？异质结有何优点？   为何普通二极管不能发光？   如何计算半导体材料辐

10、射光的波长？   半导体激光器（LD）的激射条件是什么？   如何实现单纵模半导体激光器（SLM-LD）？  信号调制格式有哪些？   LED和LD的优缺点比较？（见光发射机PDF205+213页）第四章1 探测器要求：（高响应度，高响应带宽，低噪声光）。探测器的性能指标：R与量子效率的关系，量子效率和宽度W的关系（为什么W不能太大：W大，量子效率高；但是光子的穿越时间长，导致调制带宽降低）。截至波长的定义。（PDF14页小结看看）2 光探测器的设计思想（反向偏置），PN、PIN（尽可能的使吸收区占的空间大（原因是漂移速度比

11、扩散速度大的多）、双异质结PIN（合理选取其带隙Eg(i)<hv<Eg(p,n)，可以使得P 层与N层透明，光仅在中间I层吸收）（通常用于光波系统的PIN光电二极管采用InGaAs作为中间层，用InP作为 P层和N层）、APD（原理（注意：碰撞电离是俄歇复合的反过程），见13道中）、SAM-APD、SAGM-APD、SAGCM-APD每一种的特点。（使用k A <<1的半导体材料）结合上面的重点考虑以下问题：+ 描述光电转换效率的量子效率和响应度； + 量子效率与吸收区宽度的关系； + 吸收截止波长的概念； + 吸收区宽度对量子效率和响应带宽的影响； + PN光电二极管存在的问题？ + 双异质结PIN的优势在什么地方？ + APD的工作原理？ + 为什么要发展SAM-APD，SAGM-APD，SAGCM-APD？3 光接收机三部分的设计思想：前端、线性通道、判决（会画，带宽，常用跨阻抗前端）4 光接收机噪声分析，散粒噪声、热噪声、放大器噪声指数、APD过剩噪声5 PIN和APD接收机信噪比公式（两种受限条件下分析（噪声等效功率