模拟电子技术基础第一章习题答案

1、1半导体二极管自我检测题一选择和填空1纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。2在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。（A大于，B小于，C等于）3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度和 A 关系十分密切。（A温度，B掺杂工艺，C杂质浓度）4. 当结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A大于，B小于，C等于，D变宽，E变窄，F不变 ）

2、5二极管实际就是一个结，结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为 ，反向电流一般；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为，反向电流一般。（A0.10.3V，B0.60.8V，C小于，D大于）7. 已知某二极管在温度为25时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T1时的伏安特性如图中虚线所示。在25时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T1 小于 25。（大于、小于、等于）图选择题78结的特性方程是。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳压管

3、工作在特性曲线的 反向击穿区 。二判断题（正确的在括号内画，错误的画×）1N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ）2在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。 （ ）3P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ × ）4结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 （ ）5由于结交界面两边存在电位差，所以当把结两端短路时就有电流流过。（ × ）6结方程既描写了结的正向特性和反向特性，又描写了结的反向击穿特性。（ × ）7稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（ ），它不允许工作在正向导通

4、状态（×）。习题1.1图题1.1各电路中，忽略D的导通压降和死区电压，画出各电路相应的输出电压波形。图题1.1解：（a）图中，>0时，二极管截止，0；<0时，二极管导通， 。（b）图中，二极管导通， +10。（c）图中，二极管截止，0。1.2求图题1.2所示电路中流过二极管的电流和A点对地电压。设二极管的正向导通电压为0.7V。图题1.2解：（a） （b） 得1.33电路如图题1.3所示，已知D1为锗二极管，其死区电压0.2V，正向导通压降为0.3V；D2为硅二极管，其死区电压为0.5V，正向导通压降为0.7V。求流过D1、D2的电流I1和I2。图题1.3解：由于D1的死

5、区电压小于D2的死区电压，应该D1先导通。设D1通、D2截止，此时D2两端电压I1×1000.30.45V小于D2的开启电压，所以D2截止，因此I20 1.4设二极管的正向导通压降可以忽略不计，反向饱和电流为10A，反向击穿电压为 30V，并假设一旦击穿反向电压保持30V不变，不随反向击穿电流而变化。求图题1.4中各电路的电流I。图题1.4解：（a）图中，两个二极管导通，（b）图中，由于D2反向截止，所以电流为反向饱和电流10A。（c）图中，D2反向击穿，保持击穿电压30V，所以（d）图中，D1导通，1.5试确定图题1.5（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压V1和V2的值（

6、设二极管正向导通电压为 0.7V）图题1.5解：（a）图中，D导通，V10.72=8.23V （b）D截止，0，V112V， V20V1.6忽略图题1.6中二极管的死区电压，试判断图中二极管是否导通。图题1.6解：先将D断开，计算A、B点对地电压（a） ，所以D1导通（b） ，所以D2截止1.7设图题1.7中二极管的导通压降为 0.7V，判断图中各二极管是否导通，并求出的值。图题1.7解：先假设所有二极管都截止，看哪个二极管的正偏电压高，先导通。（a）图中，所以， D2先导通，导通后 3-0.7=2.3V， D1截止。（b）图中，所以，D2D4先导通，则，D1截止，1.4V1.8设图题1.8中二极管的导通压降为0.7V，求二极管上流过的电流的值。图题1.8解：将二极管以外的电路进行戴维宁等效所以 1.9已知图题1.9电路中稳压管1和2的稳定电压分别为5V和9V，求电压的值。图题1.9解：（a）图中1 、2均工作于稳压状态， （b）1工作于稳压状态，2工作于反向截止区，所以2支路的电流近似为零， 1.10已知图题1.10所示电路中，稳压管1、2的稳定电压分别为5V、3V，正向导通压降均为0.7V。试画出的波形。图题1.10解：正半周时，1承受正向压降，2承