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文档简介
面的目的。 光感生电动势干涉检测利用了像 GaAs 这类晶体，这类晶体能生成和贮存 个内电场， 而这内电场的分布与入射光束的空问强度分布相对应。当这空问光强 分布作横向移动时，贮存的空间电荷场会产生一时变的电流输出。所以，它不需 要额外的光电捡测器， 就可以通过晶体上干涉条纹图像的移动而测量样品的法向 位移。 Photo-EMF 器件像普通的半导体器件样可以集成，而且有较高的截止频 率，像 GaAs 的 Photo-EMF 器件的截止频率可高达 80MHz。
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