模拟电子技术期中试卷new

1、一、填空题（每空1分，共20分）1 P型半导体又称为_型半导体，它由本征半导体掺入_价元素形成，其多数载流子是_，少数载流子是_。2 在室温附近，温度升高，杂质半导体中_的浓度将明显增加。3 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是_作用下产生的，漂移运动是_作用下产生的。4 按照二极管的材料分，可分为_二极管和锗二极管两种。5 稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的_区。6 三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结_偏置，集电结_偏置。7基本放大电路的非线性失真包括_失真和_失真。8 图1所示电路，二极管VD1、VD2为理想元件，则UAB 为_伏。图19 电路图如图2，已知RB = 24

2、0kW，RC = 3kW，晶体管= 20，VCC = 12V。现在该电路中的晶体管损坏，换上一个= 40的新管子，若要保持原来的静态电流IC不变，且忽略UBE，应把RB调整为_kW。 图210在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图3所示。已量出I1 = -1.2mA，I2 = -0.03mA，I3 = 1.23mA。由此可知： (1) 电极是_极，电极是_极，电极是_极。 (2) 此晶体管的电流放大系数b约为_。 (3) 此晶体管的类型是_型（PNP或NPN）。 I1 I2 I3 图3二、选择题（每小题2分，共20分）11PN结加正向电压时，其空间电荷区会( )A不变B变窄C变宽D不定12在

3、杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于( )A本征半导体B温度C杂质浓度D掺杂工艺13从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施( )A发射区掺杂浓度高，集电结面积小 B发射区掺杂浓度高，集电结面积大C发射区掺杂浓度低，集电结面积小 D发射区掺杂浓度低，集电结面积大14半导体三极管的特点是( )A输入电流控制输出电流 B输入电压控制输出电压C输入电流控制输出电压 D输入电压控制输出电流15NPN型与PNP型三极管的区别是( ) A由两种不同材料硅和锗制成B掺入杂质元素不同 CP区或N区的位置不同 D死区电压不同16某放大电路中的晶体三极管，测得

4、其管脚电位为：脚U1 = 0V，脚U2 = -0.3V，脚U3 = 8V，则可判定该管是( )A锗管为e极B锗管为e极C硅管为c极D锗管为e极17某电路中的三极管符号如图4所示，测得其管脚电位标在图上，则该管是( ) A放大状态B截止状态 C饱和状态D状态不能确定18三种基本放大电路中电压放大倍数近似等于1的是( ) A共基极放大电路B共集电极放大电路 C共发射极放大电路D无法确定19直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( ) A电阻阻值有误差B三极管参数的分散性 C三极管参数受温度影响D电源电压不稳定 20既能放大交流信号，也能放大直流信号的放大电路耦合方式是 ( )A阻容耦合 B直接耦合

5、C变压器耦合D以上都可以三、分析题（要求写出分析过程。每小题6分，共18分）21限幅电路如图5所示，ui = 2sinwt，V1、V2均为硅管，导通电压为0.7V。试据输入电压波形画出输出电压波形（必须考虑二极管的导通电压） 图5 uo / Vt / s 22简述图6所示三极管电路不能实现正常放大作用的理由。 图23对于图7所示放大电路：(1) 画出放大电路的微变等效电路。(2) 写出Au =，ri和ro的表达式。四、（8分）一硅稳压管稳压电路如图8所示，其中硅稳压管的稳定电压UZ = 8V，动态电阻rZ及未击穿的反向电流均可忽略，未经稳压的直流输入电压UI = 30V。试求： (1) Uo、Io、I及IZ的值。 (2) 当UI降低为15V时的Uo、Io、I及IZ的值。 图8五、（8分）图9所示电路中，b = 50，UBEQ = 0.6V，UCC = 12V，RB = 20kW，RC = 3kW。 (1) 画出电路的直流通路。 (2) 求放大电路的静态工作点。 六、（10分）电路如图10所示，三极管的UBE = 0.6V，b = 80。试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时，三极管的工作状态，并求出相应的集电极电流Ic的值。 图10七、（16分）如图11(a)所示单管共发射极放