DRT系列IGBT驱动变压器选型指南_第1页
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文档简介

1、选型指南DRT 系列IGBT 驱动变压器系我公司为驱动IGBT 和MOSFET 而专门研制的最新产品,以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯,可满足多项应用要求。一产品特点: 耦合电容低,使之具有很高的抗干扰能力; 漏感小,保证了更好的输出脉冲波形; 无开关延时、瞬时传输功率高; 抗电强度高,安全可靠; 全封闭,机械和耐环境性能好; 体积小巧,结构紧凑,外形美观,针脚穿孔式安装,使用方便。二使用条件: 环境温度:-40+85 相对湿度:温度为40时不大于90% 大气压力:8601060mbar(约为650800mmHg三绝缘耐热等级:F 级(155四安全特性: 绝缘电阻:常态时大于1000M 阻燃性:

2、符合UL94-V 0级五DRT 系列驱动变压器各型号典型特性对比表: 序号型号变比(uudt (µVS初级电感L P漏感L S分布电容C K耐压 V P外形尺寸 (mm312µH30.14×27.94×2530.14×27.94×2530.14×27.94×2512µH30.14×27.94×25说明: 上表中所给出的参数是在室温下测得的典型值。 各参数的意义: u变比=:V P 各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值,持续时间60s udt额定伏微秒积V 1·tn (在一

3、定频率范围内其值基本不变 L P 线圈初级电感量 f=1000Hz V=0.3V L S 漏感(将次级绕组短路后测量f=1000Hz V=1V C K 分布电容 f=1000Hz V=1V六选型指南: 首先根据系统的工作电压V 。(有效值 来确定所需的抗电强度Vp ,可按表1推荐选择: 表1:工作电压V 。 抗电强度 Vp1.9kV3.1 kV4.5 kV6 kV 根据控制级电源电压和IGBT 需要的驱动电压选择变比。例如:若初级脉冲幅值为15V ,为了使IGBT 可靠驱动,则需要选择变比为1:1的驱动变压器,如DRT801/101A、DRT801/111B或DRT802/101A等。若初级脉

4、冲幅值为24-30V ,为了使IGBT 可靠驱动,则需要选择变比为2:1的驱动变压器,如DRT801/201A、DRT801/211B或DRT802/201A等。 根据伏微秒积(udt 及驱动脉冲的频率(Fp,按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内DRT 驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型。例如:若调制脉冲的频率为20KHz ,脉冲幅度为15V ,脉宽为20µs,则其伏微秒积udt=15×20=300 µVs,按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内DRT 驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型,可选DRT802系列产品。若调制脉冲的频率为50KHz ,

5、脉冲幅度为24V ,脉宽为10µs,则其伏微秒积udt=24×10=240µVs,按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内DRT 驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型,可选DRT801系列产品。 对驱动信号参数未知用户,可按表2的推荐来选型。 表2:(A100A 以下400A 以上 推荐型号DRT801/101ADRT801/201ADRT801/301ADRT801/111BDRT801/211BDRT801/311BDRT802/101ADRT802/201ADRT802/301ADRT802/111BDRT802/211BDRT802/311BDRT803/101A DRT803/201A DRT803/301A DRT803/111B DRT803/211B DRT803/311B 七使用指南: 典型应用电路如下: 说明:R1、D1主要起续流作用。D1一般可选1N4007,R1可选1K 2 K;D2、D3,R2、R3主要起整形和防止IGBT 栅极开路并提供放电回路。D2、D3可选用加速二极管,用以提高IGBT 的开关

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