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文档简介
1、 （2）沉积粒子的迁移过程 真空蒸发：蒸发时由于真空度较高，蒸发气相原子在向基体的飞行过程 中，蒸发气相原子之间或与残余气体分子间的碰撞机会很少。它们将基 本保持离开蒸发源时所具有的能量、能量分布和直线飞行轨迹。 阴极溅射：由于有工作气体，真空度较低，气体分子平均自由程小于靶 与基体之间的距离。溅射原子从靶面飞向基体时，本身之间互相碰撞和 Ar原子及其他残余气体分子相互碰撞，不但使溅射粒子的初始能量减少， 而且还改变溅射粒子脱离靶面时所具有的方向。到达基体表面的溅射粒 子可来自基体正前方整个半球面空间的所有方向。 因此，溅射方法比蒸发方法较容易制备厚度均匀的薄膜。 2013-8-1 41 （3
2、）成膜过程 真空蒸发：对于真空蒸发法其入射到基体上的气相原子对基体表面没有 影响，成核条件不发生变化；杂质气体掺入到薄膜中的可能性较小；另 外，蒸发的气相原子与残余气体很少发生化学反应；基体和薄膜的温度 变化也不显著。 溅射方法：入射到基体表面的离子和高能中性粒子对基体表面影响较大， 可使基体表面变得粗糙、离子注入、表面小岛暂时带电以及和残余气体 分子发生化学反应等，使得成核条件就有变化，成核中心形成过程加快， 成核密度显著提高；工作气体分子、残余气体分子、原子和离子等对基 体表面的轰击次数比蒸发过程大得多。因此杂质气体或外部材料掺入薄 膜的机会较多；在薄膜中容易发生活化或离化等化学反应；由于入射的
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