半导体专业用语

1、金属前介质层(PMD)金属间介质层(IMD)W 塞(WPLUG)钝化层(Passivation)acceptor 受主，如 B,掺入 Si 中需要接受电子Acid:酸actuator 激励ADIAfterdevelopinspection 显影后检视AEIAfteretchinginspection 蚀科后检查AFMatomicforcemicroscopy 原子力显微ALDatomiclayerdeposition 原子层淀积Alignmark(key):对位标记Alignment 排成一直线，对平Alloy:合金Aluminum:铝Ammonia:氨水Ammoniumfluoride:NH

2、FAmmoniumhydroxide:NHOHAmorphoussilicon:a-Si,非晶硅(不是多晶硅)amplifier 放大器AMU 原子质量数Analog:模拟的analyzermagnet 磁分析器Angstrom:A(E-m)埃Anisotropic:各向异性(如 POLYETCH)Antimony(Sb)睇arcchamber 起弧室ARC：anti-reflectcoating 防反射层Argon(Ar)僦Arsenictrioxide(AsO)三氧化二神Arsenic(As)神Arsine(AsH)ASHER 一种干法刻蚀方式Asher：去胶机ASI 光阻去除后检查ASI

3、C 特定用途集成电路Aspectration：形貌比(ETCH 中的深度、宽度比)ATE 自动检测设备Backend:后段(CONTACT 以后、PCM 测试前)BacksideEtch 背面蚀刻Backside 晶片背面Baseline：标准流程Beam-Current 电子束电流Benchmark：基准BGAballgridarray 高脚封装Bipolar：双极Boat:扩散用(石英)舟Cassette 装晶片的晶舟CD：criticaldimension 关键性尺寸，临界尺寸Chamber 反应室Chart 图表Childlot 子批chiller 制冷机Chip(die)晶粒Chip

4、:碎片或芯片。clamp 夹子CMP 化学机械研磨Coater 光阻覆盖(机台)Coating 涂布，光阻覆盖Computer-aideddesign(CAD)：计算机辅助设计。ContactHole 接触窗ControlWafer 控片Correlation:相关性。Cp：工艺能力，详见 processcapabilityoCriticallayer 重要层CVD 化学气相淀积Cycletime 生产周期Defectdensity:缺陷密度。单位面积内的缺陷数。Defect 缺陷DEPdeposit 淀积Depthoffocus(DOF)：焦深。Descum 预处理Developer 显影液

5、；显影(机台)developer：I)显影设备；n)显影液Development 显影DGdualgate 双门DIfilter 离子交换器DIwater 去离子水Diffusion 扩散disk 靶盘disk/flagfaraday 束流测量器Doping 掺杂Dose 剂量Downgrade 降级DRCdesignrulecheck 设计规则检查DryClean 干洗Duedate 交期Dummywafer 挡片E/Retchrate 蚀刻速率EE 设备工程师ELSextendedlifesource 高寿命离子源enclosure 夕卜壳BPSG 含有硼磷的硅玻璃Break 中断，ste

6、pper 机台内中途停止键cassette 晶片盒EndPoint 蚀刻终点e-shower 中性化电子子发生器ETetch 蚀刻Exhaust 排气（将管路中的空气排除）Exposure 曝光extrantionelectrode 高压吸极FAB 工厂fab：常指半导体生产的制造工厂。FIBfocusedionbeam 聚焦离子束FieldOxide 场氧化层filament 灯丝film:薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。flataligener 平边检测器flat：平边flatbandcapacitanse：平带电容flatbandvoltage:平带电压 Flatness 平坦度fl

7、owcoefficicent:流动系数flowvelocity:流速计flowvolume:流量计flux:单位时间内流过给定面积的颗粒数Focus 焦距forbiddenenergygap:禁带Foundry 代工four-pointprobe:四点探针台FSG 含有氟的硅玻璃functionalarea:功能区Furnace 炉管 gateoxide:栅氧glasstransitiontemperature:玻璃态转换温度GOIgateoxideintegrity 门氧化层完整性gowning:净化服 grayarea：灰区 gyrodrive两方向偏转hardbake：后烘,坚烘，sof

8、tbake（软烘）HCIhotcarrierinjection 热载流子注入HDP:highdensityplasma高密度等离子体heatexchange 热交换机High-Voltage 高压host:主机Hotbake 烘烤metaln 金属MetalVia 金属接触窗MFG 制造部Mid-Current 中电流Module 部门nanometer(nm)n:纳米nanosecond(ns)n:纳秒NITSiN 氮化硅nitrideetchn:氮化物刻蚀nitrogen(N)n:氮气，一种双原子气体Non-critical 非重要NPn-dopedplus(N+)N 型重掺杂n-type

9、adj:n 型NWn-dopedwellN 阱ODoxidedefinition 定义氧化层ohmspersquaren:欧姆每平方方块电阻OMopticmicroscope 光学显微镜OOC 超出控制界线OOS 超出规格界线orientationn：晶向，一组晶列所指的方向OverEtch 过蚀刻Overflow 溢出 overlapn:交迭区Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度OXSiO 二氧化硅 Ppoly 多晶硅PA;passivation 钝化层Particle 含尘量/微尘粒子PHphoto 黄光或微影phosphorus（P）n：磷,一种有毒的非金属元素photomas

10、kn:光刻版，用于光刻的版photomask,negativen:反刻photomask,positiven:正亥 UPilot 实验的PVD 物理气相淀积PWp-dopedwellP 阱quadrupolelens 磁聚焦透镜quartzcarriern 石英舟。Queuetime 等待时间内层介电层（ILD）、内金属介电层（IMD）ICPinductivecoupleplasma 感应等离子体ID 辨认，鉴定IGBT 绝缘门双极晶体管images：去掉图形区域的版implant 注入Implant 植入 impurityn 掺杂impurity:杂质inductivecoupledplas

11、ma(ICP)：感应等离子体 inertgas：惰性气体 initialoxide:一氧insulator：绝缘 isolatedline:隔离线 junction 结junctionspikingn铝穿刺kerf划片槽landingpadnPADLayer层次LDDlightlydopeddrain轻掺杂漏linerdrive 直线往复运动lithographyn 制版loadlockvalve 靶盘腔装片阀Localdefocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污LOCOSlocaloxidationofsilicon局部氧化Loop 巡路Lot 批Mask(reticle)光罩masks,

12、deviceseriesofn 一成套光刻版materialn 原料matrixn 矩阵 meann 平均值measuredleakraten 测得漏率mediann 中间值memoryn 记忆体Merge 合并LP（低压）淀积多晶硅（LPPOLY）Parentlot 母批 mainframe 主机maintainability,equipment设备产能maintenancen 保养 majoritycarriern 多数载流子hotcarriers:热载流子hydrophilic:亲水性 hydrophobic:疏水性pnjunctionn：pn 结Pod 装晶舟与晶片的盒子Polymer

13、 聚合物PORProcessofrecordpostaccel 后加速器 Plasma 电浆PMDpremetaldielectric 电容PPp-dopedplus(P+)P 型重掺杂PRPhotoresisit 光阻PRphotoresist 光阻purewatern 纯水。半导体生产中所用之水。PVD 物理气相淀积PWp-dopedwellP 阱quadrupolelens 磁聚焦透镜quartzcarriern 石英舟。Queuetime 等待时间QTIME-DUMMY:从此步骤到下一个步骤一共停留的时间范围(超出范围会出问题)显影前烘焙(PEB)：降低或消除驻波效应R/Cruncar

14、d 运作卡SOG 是一种相当简易的平坦化技术。因为介电层材料是以溶剂的形态覆盖在硅片表面，因此SOG 对高低起伏外观的沟填能力”非常好，可以避免纯粹以 CVD 法制作介质层时所面临的孔洞问题Spacer：SPACER 工艺是通过LPTEPSETCHBACK,在 PLOY 侧壁形成两个侧壁突出的工艺， 用于源漏区注入的自对准和减少由于源漏横向扩散形成的沟道效应。LPTEOS 主要用于 SPACER 及电容氧化层。TEOS=Si(OC2H5)4名称：正硅酸乙脂，又称四乙氧基硅烷Si(OC2H5)4 一BIST,Built-inSelfTest 内建的自测试BusRoute 总线布线Carbide

15、碳circuitdiagram 电路图Circuit 电路基准Clementine 专用共形开线设计ClusterPlacement 簇布局CM 合约制造商COFChipOnFPC 将 IC 固定于柔性线路板上COGChipOnGlass 将芯偏固定于玻璃上CommonImpedance 共模阻抗componentvideo-分量视频Compositevideo-复合视频Concurrent 并行设计ConstantSource 恒压源CooperPour 智能覆铜Crosstalk 串扰CRTCathodeRadialTude 阴极射线管DCMagnitude 直流幅度Delay 延时Del

16、ays 延时DesignforTesting 可测试性设计Designator 标识DOF 焦深 DepthOfFocus,DepthOfFocus,区分 IDOFIDOF、UDOFUDOF前者只有中心，后者包括四角DFC,DesignforCost 面向成本的设计DFR,DesignforReliability 面向可靠性的设计DFT,DesignforTest 面向测试的设计DPIDotPerInch 点每英寸DSM,DynamicSetupManagement 动态设定管理DVIDigitalVisualInterface(VGA)数字接口DynamicRoute 动态布线Electro

17、DynamicCheck 动态电性能分析GroundBounce 地弹反射GUI,GraphicalUserInterface 图形用户界面Harmonica 射频微波电路仿真 HFSS三维高频结构电磁场仿真 HMDSHMDS( (六甲基二硅胺):涂胶前处理，增加圆片衬底与光刻胶的粘附性ICIntegrateCircuit 集成电路ImageFiducial 电路基准 Impedance阻抗 In-Circuit-Test 在线测试InitialVoltage 初始电压InputRiseTime 输入跃升时间Inverter-逆变器 Jumper 跳线LCDLiquidCrystalDispl

18、ay 液晶显示LCMLiquidCrystalModule 液晶模块LEDLightEmittingDiode 发光二极管LinearDesignSuit 线性设计软件包LocalFiducial 个别基准manufacturing 制造业MCMs,Multi-ChipModules 多芯片组件MDE,MaxwellDesignEnvironmentMerge 合并 MFG 制造部NonlinearDesignSuit 非线性设计软件包ElectromagneticDisturbance 电磁干扰ElectromagneticNoise 电磁噪声EMC,ElctromagneticCompat

19、ibilt 电磁兼容EMI,ElectromagneticInterference 电磁干扰Emulation 硬件仿真Ensemble 多层平面电磁场仿真ESD 静电释放Expansion 膨胀FallTimeTMtopmental 顶层金属层FalseClocUnder 黜押下冲FEP氟化UnfAmDistribution均匀分布 FFT,Fast弋目眼泅喇哩。血快速傅里叶变换FloatLicenVDMOS(专epicalconductionDoubleFrequencyDomi 扩馥蝴|麻答NVT：NMOS 调阈值电压ODB+OpenDataBase 公开数据库OEM 原设备制造商OLE

20、Automation 目标连接与嵌入On-lineDRC 在线设计规则检查ONO:氧化层-氮化层-氧化层介质；用作电容介质Optimetrics 优化和参数扫描OSDOnScreenDisplay 在屏上显示Overshoot 过冲scattePgQMeatOxWJSemiconductor)Panelfiducial 板基准Gaussian 眦蝴帆硼 hfeE)的硅，能导电。probern 探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。processcontroln 过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。proximityX-rayn 近 X 射线：一

21、种光刻技术，用 X 射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。quantumdevicen 量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。rapidthermalprocessing(RTP)n 快速热处理(RTP)。recipen 菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。scanningelectronmicroscope(SEM)n 电子显微镜(SEM)。SEM:scanningelectronmicroscope 扫描式电子显微镜semiconductorn 半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。sheetresistance(Rs)(orpersquare)

22、n 薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer 外延是蓝宝石衬底硅的原片smallscaleintegration(SSI)小规模综合，在单一模块上由到个图案的布局。sourcecode 原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。spectralline 光谱线，光谱镣制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。spinwebbing 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。sputteretch 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。stackingfault 堆垛层错，原子普通堆

23、积规律的背离产生的次空间错误。steambath 蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。stepresponsetime 瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。stresstest 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。surfaceprofile 表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓(没有特指的情况下)。symptom 征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。tackweld 间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊(用于连接盖子)。temperaturecycling 温度周期变化，测量出的重复出

24、现相类似的高低温循环。TEOS-(CHCHO)Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作 LPCVD/PECVD 生长 SiO 的原料。又指用 TEOS 生长得到的 SiO层。testability 易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。thermaldeposition 热沉积，在超过度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。thinfilm 超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。toluene(CHCH)甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。totalfixedchargedensity(Nth)下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定

25、电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密应(Nit)。trench 沟道，深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。tungstenhexafluoride(WF)氟化鸨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在 CVD 中 WF 用于淀积硅化物，也可用于鸨传导的薄膜。vaporpressure 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。via 通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。waferflat 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程

26、中的排列晶片。waferprocesschamber(WPC)对晶片进行工艺的腔体。window 在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。CCFL(CCFT)ColdCathodeFluorescentLight/Tude 冷阴极荧光灯COBChipOnBoard 通过绑定将 IC 裸偏固定于印刷线路板上CVT,ComponentVerificationandTracking 元件确认与跟踪DFM,DesignforManufacturing 面向制造过程的设计DFX,DesignforX 面向产品的整个生命周期或某个环节的设计Duty-占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所

27、占的比率EDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat 电子设计交互格式EIA,ElectronicIndustriesAssociation 电子工业协会ELElextroLuminescence 电致发光。EL 层由高分子量薄片构成EngineeringChangeOrder 原理图与 PCB 版图的自动对应修改FSTNFormulatedSuperTwistedNematic 格式化超级扭曲向列。一层光程补偿偏甲于 STN,用于单色显示IBIS,Input/OutputBufferInformationSpecification 模型ICAM,IntegratedComputerAidedManufacturing 在 ECCE 项目里就是指制作 PCBIEEE,TheInstituteofElectricalandElectronicEngineers