模拟电子线路

1、下课下课模模 拟拟 电电 子子 线线 路路主讲：主讲： 李贤志李贤志 副教授副教授办公室：办公室：A201A201电电 话：话：3306878(O) 3387761(H)3306878(O) 3387761(H)Email:LEmail:L下课下课第第3 3章章 场效应管场效应管返回返回3.1 MOS场效应管3.2 结型场效应管3.3 场效应管应用原理下课下课3.1 MOS场效应管返回返回图3-1-1 N沟道EMOS管的结构示意图和电路符号图3-1-2 N沟道EMOS管中沟道受VGS、VDS的变化图3-1-3 VGS一定，ID随VDS变化的特性图3-1-4 N沟道EMOS管的伏安特性下一页下一

2、页图3-1-5 原点附近的输出特性曲线族图3-1-6 MOS管看作压控电流源图3-1-7 亚阈区转移特性图3-1-8 栅极保护二极管图3-1-9 不同VUS对特性曲线的影响图3-1-10 P沟道EMOS管下课下课3.1 MOS场效应管返回返回图3-1-11 EMOS集成工艺图3-1-12 DMOS管结构与电路符号图3-1-13 N沟道DMOS管伏安特曲线图3-1-14 MOS管的小信号电路模型例题例题图3-1-15 高频小信号模型图3-1-16 例题1的电路图3-1-17 例题2的电路下课下课图3-1-1 N沟道EMOS管的结构示意图和电路符号返回返回下课下课图3-1-2 N沟EMOS管中沟道

3、受VGS、VDS的变化返回返回下课下课图3-1-3 VGS一定，ID随VDS变化的特性返回返回下课下课图3-1-4 N沟道EMOS管的伏安特性返回返回下课下课图3-1-5 原点附近的输出特性曲线族返回返回下课下课图3-1-6 MOS管看作压控电流源返回返回下课下课图3-1-7 亚阈区转移特性返回返回下课下课图3-1-8 栅极保护二极管返回返回下课下课图3-1-9 不同VUS对特性曲线的影响返回返回下课下课图3-1-10 P沟道EMOS管返回返回下课下课图3-1-11 EMOS集成工艺返回返回下课下课图3-1-12 DMOS管结构与电路符号返回返回下课下课图3-1-13 N沟道DMOS管伏安特性

4、曲线返回返回下课下课图3-1-14 MOS管的小信号电路模型返回返回下课下课图3-1-15 高频小信号电路模型返回返回下课下课图3-1-16 例题1的电路返回返回下课下课图3-1-17 例题2的电路返回返回下课下课例题例题返回返回例题例题1例题例题2下课下课例题例题1返回返回在图在图3116所示所示N沟沟道道EMOS管电路中，已管电路中，已知知RG1=1.2M, RG2=0.8M,RS=4k , RD=10k,VDD=20V，管子参数管子参数nCoxW/(2l)=0.25mA/V2,VGS(th)=2V,试求试求ID。下课下课例题例题2返回返回图图3117所示为双所示为双电源供电的电源供电的N

5、沟道沟道EMOS管电路，已知，管电路，已知，RG=1M,RS=4k , RD=5k,VDD=VSS=10V，管子参数，管子参数nCoxW/(2l)=0.25mA/V2,VGS(th)=2V,求求ID。下课下课3.2 结型场效应管返回返回图3-2-1 N沟道JFET的结构示意图和电路符号图3-2-2 P沟道JFET的结构示意图和电路符号图3-2-3 N沟道JFET中当VDS=0时VGS对沟道宽度的影响图3-2-4 N沟道JFET中VGS一定时VDS对沟道宽度的影响图3-2-5 N沟道JFET的共源极输出特性曲线簇图3-2-6 JFET看作压控电流源下课下课图3-2-1 N沟道JFET的结构示意图

6、和电路符号返回返回下课下课图3-2-2 P沟道JFET的结构示意图和电路符号返回返回下课下课图3-2-3 N沟道JFET中当VDS=0时VGS对沟道宽度的影响返回返回下课下课图3-2-4 N沟道JFET中VGS一定时VDS对沟道宽度的影响返回返回下课下课图3-2-5 N沟道JFET的共源极输出特性曲线簇返回返回下课下课图3-2-6 JFET看作压控电流源返回返回下课下课3.3 场效应管应用原理返回返回图3-3-1 N沟道EMOS管接成的有源电阻图3-3-2 N沟道DMOS管接成的有源电阻图3-3-3 用有源电阻接成的分压器图3-3-4 开关示意图(a)及其理想伏安特性图3-3-5 模拟开关图3

7、-3-6 分解成两个电路等效图3-3-7 工作在非饱和区时Ron随vI变化特性图3-3-8 CMOS模拟开关图3-3-9 用两个等效CMOS的模拟开关图3-3-10 CMOS开关导通电阻随vI变化特性图3-3-11 开关电容电路等效为电阻下课下课图3-3-1 N沟道EMOS管接成的有源电阻返回返回下课下课图3-3-2 N沟道DMOS管接成的有源电阻返回返回下课下课图3-3-3 用有源电阻接成的分压器返回返回下课下课图3-3-4 开关示意图(a)及其理想伏安特性返回返回下课下课图3-3-5 模拟开关返回返回下课下课图3-3-6 分解成两个电路等效返回返回下课下课图3-3-7 工作在非饱和区时Ron随vI变化特性返回返回下课下课图3-3-8 CMOS模拟开关返回返回下课下课图3-3-9 用两个等效CMOS的模拟开关返回返回下课下课图3-3-10 CMOS开关导通电阻随vI变化特性返回返回下课下课图3-3-11 开关电容电路等效为电阻返回返回下课下课3.4 晶体三极管的伏安特性曲线返回返回图3-4-1 共发射极连