双层多晶硅单层机械结构表面牺牲层工艺的版图层定义和设计规则

1、附录二双层多晶硅单层机械结构外表牺牲层工艺的幅员层定义和设计规那么草案为了使外表牺牲层MEMS设计标准化，利用ICCAD根据进行幅员设计规那么的 自动检查，并更有利于重点实验室的对外开放，我们根据我所的工艺条件及外表牺 牲层工艺的特点，制定出该设计规那么。外表牺牲层的工艺研究尚在进行中，根据工 艺结构，设计规那么还会进行相应的修改。层用于形成MEMS结构的幅员层共有六层，具体内容显示于表 1其中所列各层 均已在ICCAD工具COMPASS和CADENCE中建立。掩膜版的阴阳依据正胶所定。表1.用于设计MEM结构幅员的层层名掩膜版阴阳厚度对准功能GPLT阳3000?机械结构提供电连接和屏蔽层CN

2、TC阴2000?GPLT检测机械结构与GPLT的接触BUMP阴2000?GPLT形成放粘附的突起ANCH阴2 AmGPLT形成机械结构与GPLT的接触BEAM阳2 AmANCH机械结构NTC阳8000?ANCH形成金属互连线层描述1. GPLT该掩膜版用来定义第一层多晶硅的图形。用来提供机械层的电学连接，地极板 或屏蔽电极。2. CNTC对覆盖在GPLT上的Si3N4成图，主要用来检测机械层与硅片的接触情况。如 不需要检测，可不选。3. BUMP在牺牲层上形成凹槽2000A，使得以后形成的多晶硅机械层上出现小突起， 减小在释放过程或工作过程机械层与衬底的接触面积，起一定的抗粘附作用。4. AN

3、CH在牺牲层上刻孔至GPLT，形成机械层在衬底上的支柱，并提供电学连接。5. INTC形成Al金属互连线。6. BEAM用来形成多晶硅机械结构。我们目前工艺中采用2厚的多晶硅和1.61厚的牺牲 层。根本结构和设计规那么MEMS图1为一个简单的谐振器结构，用以描述该外表牺牲层工艺形成的典型 结构，并借以说明每层的几何尺寸规定及各层之间的覆盖关系。 GPLT> CNTC BUMPBEAM INTC ANCH图1.用于描述设计规那么的典型外表牺牲层 MEMS结构BEAM.1局部B局部A(800)BEAM.4BEAM.2(300)们BEAMBEAM.3BEAM.3CNTC.2(6)局部CCNTC

4、.1(10)GPLT.2(3)GPLT.2(3)GPLT.1(5)BUMP."!BUMP.2BUMP.3局部D局部E图2图1中各局部的细节描述，括号中为尺寸，单位为 5表1. BEAM设计规那么局部A设计规那么编号内容相关层尺寸AmBEAM.1最大两端固定梁长度800BEAM.2最大悬臂梁长度300BEAM.3最小梁间距2BEAM.4最小梁宽度2表2. BEAM设计规那么局部B设计规那么编号内容相关层尺寸岂mBEAM.5腐蚀孔距BEAM边缘或腐蚀孔 之间的最大距离8BEAM.6刻蚀孔之间的最小距离4BEAM.7最小腐蚀孔宽度4表3. GPLT的设计规那么局部A设计规那么编号内容相关层尺寸MmGPLT.1最小宽度5GPLT.2最小包含CNTC3表4. CNTC设计规那么局部A设计规那么编号内容相关层尺寸MmCNTC.1最小宽度10CNTC.2被最小过覆盖BEAM6表5. BUMP设计规那么局部C设计规那么编号内容相关层尺寸MmBUMP.1最小宽度3BUMP.2最小距离30BUMP.3最小过覆盖BEAM2表6. ANCH设计规那么局部D和E设计规那么编号内容相关层尺寸?mANCH.1最小宽度在BEAM下面4ANCH.2最小被包含BEAM3A