微电子工艺考题

1、一、名词解释1. 水汽氧氧化：氧化（氧气）中携带一定量的水气，氧化特性介于 干氧和湿氧之间。2. 恒定源扩散：在扩散过程中，硅片表面的杂质浓度 Ns始终保持不 变。例如，基区、发射区的预淀积，箱法扩散。3. 扩散系数：描述粒子扩散快慢的物理量，是微观扩散的宏观描述。4. 外延：一种在单晶或多晶衬底上生长一层单晶或多晶薄膜的技术。5. 分辨率：光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸，用来表征光刻的精度。二、简述问答题2. 微电子器件对接触和互连有什么要求？获得良好欧姆接触的方法有哪几种？答：对接触和互连有的基本要求有：1）能形成良好的欧姆接触；2） 互连材料具有低的电阻率和良好的稳定性；3 ）可被精

2、细刻蚀；4 ）易 淀积成膜；5）粘附性好；6）强的抗电迁移能力；7）便于键合。获得良好欧姆接触的方法有：1）高掺杂欧姆接触；2）低势垒欧姆接触；3）高复合欧姆接触。4. 简述电子束曝光的特点答：1）优点：分辨率比光学曝光高；无需光刻板；曝光自动化，力口工精度高；在真空中进行；可直接观察曝光的质量。2）缺点：设备复杂，成本高；产量低；存在邻近效应。5. X光衍射晶体定向的基本原理是什么？答：1）入射角 入应满足：n ?=2dsin 0;2）晶面密勒指数（hkl）应满足：h2+k2+l2=4n-1（n为奇数）,以及h2+k2+l2=4n（n为偶数）。一、名词解释1. Moore定律：集成电路的集成

3、度每3年增长4倍；特征尺寸每3年减 小平方根2倍。2. 分辨率:表征光刻精度，即光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。3纟吉深：pn结的几何位置和扩散层表面的距离。5欧姆接触:当金属和半导体的接触电阻小到可忽略不计时， 称为欧姆 接触。二、选择和填空题1. 在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（ A）A.干氧B.湿氧C.水汽氧化2. 二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有（B） 杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数 二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度 二氧化硅的厚

4、度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A .B.CD.3. 离子注入和热扩散相比，哪个横向效应小（A ）A.离子注入 B.热扩散4. 在LPCVD中由于hG>>kS,质量转移系数远大于表面反应速率常 数，所以LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制 错（对/错）5. 预淀积是在较低温度下（和再分布相比）,采用恒定（表面）源扩 散方式，在硅片表面扩散一层数量一定按余误差（函数）形式分布的杂质。6. 扩散只用于浅结的制备错（对/错）7. 不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：涂胶前烘匚 曝光显影坚膜刻蚀去胶。8干法刻蚀适用于细（粗/细）线条。9. 曝光后显影时感光的胶层溶解了， 没有

5、感光的胶层不溶解留下了， 这种胶称为正胶。10. CMP是chemical mechanical polishing化学机械抛光）的英文缩写。11. CVD是chemical vapor deposition化学气相淀积）的英文缩写。一、名词解释1. 互连:将同一芯片内的各个独立的元器件连接成为具有一定功能的 电路模块；2. 阱:在衬底上形成的、掺杂类型和衬底相反的区域；3. 非桥键氧:在Si02中只和一个Si原子连接的氧；4平均投影射程RP :平均投影射程就是射程的平均值，也就是离子注 入深度的平均值；5.再分布:将由预淀积引入的杂质作为扩散源，在较高温度下进行扩 散。扩散的同时也往往进行氧

6、化。再分布的目的是为了控制表面浓度 和扩散深度。二、选择和填空题1. 半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（B）。A.结晶形二氧化硅，B.无定形二氧化硅。2. 不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：1.刻蚀、2.前烘、3.显影、4.去胶、5.涂胶、6.曝光、7.坚膜，以下选项排列正确的是：（D ）。A.2561437, B.5263471, C.5263741, D.5263714。3. 下面选项属于主扩散的作用有 （D）。1调节表面浓度、2控制进入硅表面内部的杂质总量、3控制结深，A.1，B.2, C.3，D.1、3。5. 在LPCVD中，由于hG>>kS,即质量转移系数

7、远大于表面反应速 率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制 对（对/错）。6. 曝光后显影时感光的胶层没有溶解，没有感光的胶层溶解，这种 胶为负（正/负）胶。7. 负胶适于刻蚀粗（细/粗）线条。8 SiN4薄膜在集成电路中的使用主要有：A.钝化膜，B.选择氧化，C.电容介质，由于氮化硅膜介电常数大，所以被用作（C ）。9. 入射离子的两种能量损失模型为：核碰撞和电子碰撞。10. 离子注入和热扩散相比，哪个横向效应小（A ）。A.离子注入，B.热扩散。11. 杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主 要可分为两种机构：替位式扩散和间隙式扩散。12. 有限表面源扩散的杂质分布服从高斯分布。13. 化学气相淀积SiO2和热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确 的：（E）。1热生长SiO2只能在Si衬底上生长；2. CVD SiO2可以淀积在硅衬底 上，也可以淀