模拟电子技术基础试卷及答案讲课稿

1、电子电工专业试卷说明：本试卷分第 I卷（选择题）和第n卷（非选择题）两部分，第 I卷xxx页，第 n卷xxx页。两卷满分为100分，考试时间120分钟。I卷答案涂在答题卡上，n卷答案写 在试卷上。第I卷（选择题，共 35分）注意事项：每小题选出答案后， 用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，请用橡皮擦干净后，再选择其答案标号，如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。一、选择题（本大题共 10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个正确答案。）1、半导体二极管加正向电压时，有（）A、电流大电阻小BC、电流小电阻小D、电流大电阻大、电流小电阻大A、反向偏置击穿状态C、正向偏置导通状态2

2、、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）B、反向偏置未击穿状态D、正向偏置未导通状态3、三极管工作于放大状态的条件是（A、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏4、三极管电流源电路的特点是（）B、发射结正偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏）A、输岀电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小B、输岀电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大C、输岀电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小D、输岀电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大VCc应当（）5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源A、短路 B 、开路 C、保留不变D、电流源6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的

3、配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）A、共射电路B 、共基电路C、共集电路D 、共集-共基串联电路7、 测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（）A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管8当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（)A、20 倍 B 、-20 倍C、-10 倍 D 、0.1 倍9、电流源的特点是直流等效电阻 （）A、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输岀电压的平均值约为()A U0=0.45UB 、U0=1.2 U

4、2C 、U)=0.9 UD 、U)=1.4U2二、判断题(本大题共5小题，每小题1分，共计5分。每小题叙述正确的在答题卡上选涂“ A”，叙述错误的在答题卡上选涂“B”。)1. P型半导体中，多数载流子是空穴 ()2环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降 ()3. 二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开 ()4. 稳压二极管工作在反向击穿区域 ()5. 光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件 ()第口卷(非选择题部分，共 65分)一、填空题(25分)1、 在常温下，硅二极管的门槛电压约为 _v ,导通后在较大电流下的正向压降约为_v锗二极管的门槛电压约为 _ _v ，导通后在较大电流下

5、的正向压降约为_ _v 。2、 二极管的正向电阻；反向电阻 。3、 二极管的最主要特性是。PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。4、 二极管最主要的电特性是 ,稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。5、 在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 电容，影响高频信号放大的是电容。6、 在NPN极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的B增加,则 I BQ, I CQ, UCeQ。7、 三极管的三个工作区域是，-,。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路。8、 某放大电路中的三极管， 在工作状态中测得它的管脚电压 V

6、a= 1.2V , Vb = 0.5V, VC = 3.6V, 试问该三极管是 管(材料)， 型的三极管，该管的集电极是 a、b、c中的 <9、 已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为dB，总的电压放大倍数为 。二、简答题(2*5=10分)1 简述影响放大电路频率特性的主要因素。2 简述负反馈对放大电路性能的影响。三、计算题(3*10=30分)1 电路如图5- 1 (a)所示，其中电容 C、C2的容量视为无限大。试回答下列问题：(1 )写出直流负载线表达式，在图5- 1 ( b )上画出直流负载线，求出静态工作点( Icq,Vceq

7、 I bq)；(2) 画出放大电路的小信号等效电路；(3) 求出电压增益 Av、输入电阻R及输出电阻R,。(V)2.图所示电路中，运放均为理想器件,求各电路输出电压 V与输入电压V或Vii , Vi2的关系。(10 分)3、电路如图6-1所示。合理连线，构成 5V的直流电源。o-O*卜®vW7BQ5* 0 f/0=5 V图题6-1答案 第I卷 一、选择题12345678910AAABACDDBB、判断题12345ABBAB第口卷一、填空题1、0.5、0.7、0.1、0.22、小、大3、单向导电性、大于、变窄4、单向导电性、电阻5、耦合和旁路、结6、增大、减小、增大7、截止，饱和，放大

8、、直接8、硅管、NPN、C9、80 、 10000二、简答题（共10分）1.答：在低频段影响放大电路频率特性的主要因素是隔直电容（耦合电容或旁路电容）在高频段影响放大电路频率特性的主要因素是电路的分布电容及三极管的结电容等。2答：（1）负反馈使电压放大倍数减小； （2 ）提高了增益的稳定性；（3）减小了非线 性失真；（4）展宽了频带；（5）抑制了反馈环内的干扰和噪声。 （6）对输入电阻和输出电阻 有影响。五、计算题（每小题 10分，共30 分）1.解：直流负载线方程为：VceVce 二 0,ic1 BQVcc - Vbeqic 二 0,Vce6-0.7256K 1= 20A2 mA=6V由图 5- 1 （a）有：Icq= 1mA Vceq= 3Vo（1 分）图题5TViRi0 +放大电路的小信号等效电路如图5 - 1 (b)所示。rbe =300 （1 J-6 =300 （1 50）- ： 1.6K-JV。-（RcI/Rl）Av :Vi50 （3/13）rbe1.6=-46.9（2分）（1分）（2分）r = rbe/ R = 1.6/256R0= RC= 3 k Q o*_V_-Vo2、 R3R4Vi -V . V：.0R1R2V+=V-R2R1 R2VR3 +R4v100K +100