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1、（二）光刻加工的原理和工艺（二）光刻加工的原理和工艺 、光刻加工的原理、特点和应用范围、光刻加工的原理、特点和应用范围 光刻是利用光致抗蚀剂的光化学反应特点，将掩模光刻是利用光致抗蚀剂的光化学反应特点，将掩模版上的图形精确地印制在涂有光致抗蚀剂的衬底表面，版上的图形精确地印制在涂有光致抗蚀剂的衬底表面，再利用光致抗蚀剂的耐腐蚀特性，对衬底表面进行腐蚀，再利用光致抗蚀剂的耐腐蚀特性，对衬底表面进行腐蚀，可获得极为复杂的精细图形。可获得极为复杂的精细图形。 光刻的精度甚高，其尺寸精度可达到光刻的精度甚高，其尺寸精度可达到0.01-0.005mm0.01-0.005mm，是半导体器件和集成电路制造中
2、的关键工艺之一。特别是半导体器件和集成电路制造中的关键工艺之一。特别是对大规模集成电路、超大规模集成电路的制造和发展，是对大规模集成电路、超大规模集成电路的制造和发展，起了极大的推动作用。起了极大的推动作用。 利用光刻原理还可以制造一些精密产品的零部件，如利用光刻原理还可以制造一些精密产品的零部件，如刻线尺、刻度盘、光栅、细孔金属网板、电路布线板、刻线尺、刻度盘、光栅、细孔金属网板、电路布线板、晶闸管元件等。晶闸管元件等。三、化学抛光三、化学抛光 化学抛光（化学抛光（Chemical Polish Chemical Polish 简称简称CPCP）的目的是改善）的目的是改善工件表面粗糙度或使表
3、面平滑化和光泽化。工件表面粗糙度或使表面平滑化和光泽化。（一）化学抛光的原理和特点（一）化学抛光的原理和特点 一般是用硝酸或磷酸等氧化剂溶液，在一定条件下，一般是用硝酸或磷酸等氧化剂溶液，在一定条件下，使工件表面氧化，此氧化层又能逐渐溶入溶液，表面微凸使工件表面氧化，此氧化层又能逐渐溶入溶液，表面微凸起处被氧化较快而叫多，微凹处则被氧化慢而少。同样凸起处被氧化较快而叫多，微凹处则被氧化慢而少。同样凸起处的氧化层又比凹处更多、更快地扩散、溶解于酸性溶起处的氧化层又比凹处更多、更快地扩散、溶解于酸性溶液中，因此使加工表面逐渐被整平，达到表面平滑化和光液中，因此使加工表面逐渐被整平，达到表面平滑化和光泽化。泽化。 化学抛光的特点是：可以大面或多件抛光薄壁、低刚化学抛光的特点是：可以大面或多件抛光薄壁、低刚度零件，可以抛光内表面和形状复杂的零件，不需外加电度零件，可以抛光内表面和形状复杂的零件，不需外加电源、设备，操作简单、成本低。其缺点是化学抛光效果比源、设备，操作简单、成
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