LGA1151及DDR4介绍

1、LGA1151与与DDR4介绍介绍LGA1151英特尔二代英特尔二代14nm工艺工艺制程制程CPU，命名为，命名为Skylake处理器处理器Skylake将改用最新的LGA1151封装接口，即该处理器的背面触点为1151个.其主要技术特点：1、英特尔Skylake将集成双内存控制器，包括DDR4 1.2V和1.35V DDR3L（低电压版内存）2、K系列热设计功耗集显95W 、S系列其他型号中会有84W和35W。主板芯片组命名也更新为100系列。 Z170/ H1703、 Skylake会全系列引入触摸控制器会全系列引入触摸控制器，从而有利于降低触摸设备的成本，推进普及LGA1150LGA11

2、51CPU对比图从左依次为从左依次为1155、1150、1151英特尔100系列芯片组Z170（性能级）（性能级）取代取代Z97，H170（主流）取代（主流）取代H97，H110（性价比）取代（性价比）取代H81，B150（中小型企业级）取（中小型企业级）取代代B85。而。而Q170 Q150芯片组是专为企业高端平台打造芯片组是专为企业高端平台打造的，具有英特尔的，具有英特尔博锐博锐技术，用于取代技术，用于取代Q87 Q85。Z170专为解锁专为解锁K系超频系列设计，但也包括了不少技术和扩系超频系列设计，但也包括了不少技术和扩展支持。有四条双通道展支持。有四条双通道DDR3/DDR4内存支持。

3、内存支持。Z170还支持还支持共共14个个USB接口，其中接口，其中10个个USB3.0和和4个个USB 2.0 。至于更强。至于更强大的大的USB3.1支持。英特尔支持。英特尔Z170芯片组也将支持芯片组也将支持6个个SATA 6Gbps接口和接口和20 条条PCI Express通道，通道，Z170主板也将采用三个主板也将采用三个SATA ExpressX2接口和四个接口和四个M.2接口。接口。 DDR4介绍介绍在DDR4内存上采用了类似于GDDR5的Bank Group设计，从DDR3的8Bit巧妙拆分，将预存取数提升至2个8bit，也就是相当于16bit。另外，采用了全新的点对点总线技

4、术，可以尽可能 多地使用内存位宽资源，并且能够支持更高的内存频率。DDR4起步频率就高达2133MHz，最高则是4266 MHz。DDR4运行 电压则会进一步降低至1.2V，甚至还可能会有1.1V/1.05V的超低压节能版。就连DDR4-3000以上频率工作电压也仅有1.35V。对比 DDR3，起步电压就达到1.5V，像DDR3-2133及以上高频必须得上1.65V或更高。不仅如此，DDR4内存使用了3DS堆叠封装技术后，单条 内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达 到64GB，甚至128

5、GB。特点特点外形差异外形差异DDR4的针脚数增加到了284个，DDR3是240个，由于内存整体长度不变，所以相邻针脚之间的距离从1.00毫米减到了0.85毫，而每个针脚本身的宽度为0.600.03毫米。另外一个明显差别是DDR4内存底部金手指不再是直的，而是呈弯曲状。从左侧数，第35针开始边长，到第47针达到最长，然后从第105针开始缩短，到第117针回到最短。最后是接口位置也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央，这样做的目的就是防止用户差错内存，历代产品升级均如此。频率和带宽提升巨大频率和带宽提升巨大容量和电压差异容量和电压差异DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，

6、单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。性能差异性能差异DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70。DDR4超频内存产品规格超频内存产品规格 2133 MHz 1

7、.2V 8G2400 MHz 1.2V 16GB(4GBx4),32GB(8GBx4)2666 MHz 1.2V 16GB(4GBx4),32GB(8GBx4)2800 MHz 1.2V 16GB(4GBx4),32GB(8GBx4)3000 MHz 1.35V 16GB(4GBx4)3200 MHz 1.35V 16GB(4GBx4) DDR4与与DDR3内存差异一：处理器内存差异一：处理器每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持 2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始

8、频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8 核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与与DDR3内存差异二：外型内存差异二：外型DDR4内存金手指变的弯曲。早期的都是平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间 稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确 保信号稳定的同时，让中间凸

9、起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。DDR4与与DDR3内存差异三：参数内存差异三：参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70。特点总结：特点总结：1：DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状 2：DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz 3：DDR4内存容量提升明显，可达128GB 4：DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低 5： DDR4的针脚数增加到了284个，DDR3是240个对比总结对比总结AIDA64内存带宽

10、测试内存带宽测试 AIDA64是一个测试软硬件系统信息的工具，32位的底层硬件扫描，使它可以详细的显示出PC硬件每一个方面的信息。DDR3 1866频率状态的测试成绩频率状态的测试成绩DDR4-2800频率状态的测试频率状态的测试成绩成绩AIDA64内存带宽对比内存带宽对比以上是AIDA64自带内存测试工具的测试情况，我们从测试的数据看出DDR4 2800明显领先内存读取、写入、复制分别为55.565GB/s、54.739GB/s、63.853GB/s遥遥领先于DDR3的表现。同是四通道DDR3 1866和DDR4 2133的表现在伯仲之间，甚至是DDR3略有领先。软件测试对比总结软件测试对比总结从测试结果来看，DDR4略有领先DDR3内存，但同频下这种优势非常