和doping浓度有关

1、1Diode2hSymbol & DevicehOperate in forward bias positive node connect to higher voltage levelhOperate in reverse bias positive node connect to lower voltage levelhP-N diode(Si): 1N4148, the device is marked 48 in blackhZener diode: the device is marked C2 & 5 in bluehGe diode: the device is

2、mark a line in red Introduction3Build-in Voltage W/O applied voltageVEdxVbi7 . 0和doping濃度有關大約為完全導通時跨壓4Basic Diode Conception Forward Biased5Diode Breakdown空乏區產生電子電洞對6Zener Diode breakdown區也是有作用區也是有作用故意操作於逆偏，可以作為voltage regulator用7LED發光二極體發光二極體 GaAsElectron combination with hole to emit light energy

3、(Photon).8Model for Si diodehdiodeNPVr (cut-in voltage)9Power Transformerh電磁感應傳遞交流功率，對於直流無效用h交流電壓大小和線圈數成正比h本次實驗用為1比1變壓器，但是其轉換效率不好N1 N2 10Rectifierh半波整流ViVOVi Vo 11Rectifier12RectifierACD1D4D3D2RLVo+-Vs+- Vi(D1)Vo Vi(D2) 全波整流13Lab 1h接出下圖，以示波器觀察diode之I-V curve。hVin = 10V, 10kHz sine wave, R = 200h分別使用

4、Si, Ge, Zener及LED，記錄波形並找出其Vr 值(cut-in voltage ) (4 pic)1.Ch1及Ch2之黑線共接於中間2.將Ch1及Ch2準位皆調整至0並選擇DC3.Ch2開啟反向4.按下Horizontal下面的Manu選擇 XYh將F.G頻率放慢(100Hz)，觀察LED明暗變化。1415Lab 3 (半波整流器半波整流器)h輸入訊號為2V,60Hz之弦波，R = 100k，觀察輸入輸出之波形。(1) 分別以DC、AC耦合檔為觀察輸入與輸出之波形。(2 pic)(2) 於R旁並聯一4.7uF之電容。(2 pic) (3) 將電容改為0.05uF。(2 pic)(4

5、) 將電阻改為1M。 (2 pic)(5) 將輸入訊號頻率改為10kHz。(2 pic)ViD1VOR16Lab 4 (截波器截波器)h輸入訊號為振幅10V,100Hz之弦波。h設計一截波器使輸出訊號被限制在 -4V -8V 間。h觀察輸入與輸出之波形。(1 pic)tVo10V0V-8V-4V用cursor或measure讀取輸出波形最大最小值17Lab 5 (倍壓器倍壓器)hVin為振幅5V，頻率100kHz之弦波，C1、C2皆為503。h觀察輸入訊號與輸出訊號。(1 pic)設計請考慮到二極體會吃到跨壓18Lab 2 (Zener穩壓器穩壓器)如下圖，Vi為Low level = 9V

6、,High level = 10V，頻率1kHz之三角波。Rs為限流電阻，改變Rs(1000, 500, 333, 250, 200, 100)，觀察Vi與Vo之變化(AC, 峰對峰值)，並計算Line regulation (LIR)，及rz。19Line Regulation20LIRRs()1000500333250200100Range: 1K-100Iz = 5V / Rs (mA)X Vo(mV)Vo: Vi(mV)Vi: Vo/Vi (%)LIR(m): rz平均值平均值szzioRrrVVLIR21Lab 2h將電壓源改為DC 10V，Rs定為100，Zener diode並聯一個RL(1K, 500, 333, 250, 200, 166, 100)，觀察Vo對Vi變化(DC)並計算load regulation (LOR)及rz。22如何用如何用F.G產生產生DCDC on23LORLoad RL()1000500333250200166100Range: 1K-166Iz = Is - Io (mA)xVo(V)Vo Vo :Io(mA)Io Io :Vo/IoxLO