二极管和二极和二极整流电路练习题

1、-晶体二极管和二极管整流电路复习题复习题一二极管的单向导电性一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。3、二极管两端加上正向电压就导通。4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于状态。A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会。A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于A断开的

2、开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性四、问答题：1、如下列图的电路中，当输入端a b间输入交流电压时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电。2、二极管电路如以下列图所示，判断图中二极管的状态是导通还是截止，并确定输出电压为多少3、如以下列图所示，二极管导通电压约为0.7V，试分析开关断开和闭合时R上的电压各为多少。4、在以下列图所示的电路中，灯会亮吗.复习题二PN结一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。3、称为本征半导体。4、P型半导体又称半导体，其部空穴数量填“多于或“

3、少于自由电子数量，是多数载流子。5、P型半导体又称半导体，其部空穴数量填“多于或“少于自由电子数量，是多数载流子。6、在本征半导体中参加微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中参加微量的磷元素可得到型半导体。7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其部有一个具有单向导电性的。二、判断题：1、空穴是半导体中特有的一种带正电的电荷。2、N型半导体中导电的是自由电子。3、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。4、在半导体部，只有空穴是载流子。5、在P型半导体中多数载流子是空穴，

4、少数载流子是自由电子。6、半导体中导电的是多数载流子。7、把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。8、PN结具有单向导电性。9、在二极管中由P型区引出的管脚是二极管的阴极。三、选择题：1、在P型半导体中参与导电的是A离子B自由电子C空穴D B和C2、PN结正向导通的条件是A N区电位高于P区电位B P区电位高于N区电位C N区电位等于P区电位D都不对3、关于N型半导体，以下说法错误的选项是A空穴是少数载流子B在二极管中由N型区引出的管脚是二极管的阳极C在纯洁的硅晶体中参加磷可形成N型半导体D在PNP型晶体管中，基区是N型半导体4、本征半导体是A P型半导体B N型半导体C纯洁

5、半导体D掺杂半导体5、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为A P型半导体B N型半导体C纯洁半导体D掺杂半导体6、PN结正偏时相当于A阻值无限大的电阻B阻值很小的电阻C以上均不对复习题三二极管的分类和型号一、填空题：1、画出以下几种二极管的电路图符号：整流二极管发光二极管稳压二极管光电二极管变容二极管2、整流二极管是一种利用二极管的性，把交流电变换成的二极管，它工作在偏置状态。3、稳压二极管工作于偏置状态。4、发光二极管是把能转化为光能的发光器件，它工作在偏置状态，发光二极管正常工作时管压降为。5、光电二极管是一种能将接收到的信号转换成电信号的二极管，又称为，它工作在偏置状态。6

6、、当给变容二极管施加电压时，由于PN结展宽而呈现特性。7、国产半导体器件型号各局部的意义：第一局部：用数字表示器件的，2表示该器件为，3表示该器件为；第二局部：用汉语拼音字母表示，A,B,C,D第三局部：用汉语拼音字母表示，P,W,Z,U二、判断题：1、2AP系列二极管是由硅半导体材料制成的。2、2CZ系列二极管是由锗半导体材料制成的。3、2BP系列二极管是稳压管。三、选择题：1、发光二极管的特点是A工作电压低，工作电流小，耗电省，寿命长B工作电压高，工作电流小，耗电省，寿命长C工作电压低，工作电流大，耗电省，寿命长D工作电压高，工作电流大，耗电省，寿命长2、*稳压二极管上标有“6V5字样，该

7、字样表示A该稳压管的稳压值为65VB该稳压管的稳压值为6.5VC该稳压管的稳压值为6V误差为5%D是厂家的生产编号3、*二极管上标有2CW字样，表示它是A N型硅材料稳压管B P型硅材料稳压管C N型锗材料整流管D P型硅材料普通管复习题四二极管的伏安特性和参数一、填空题：1、和间的关系称为二极管的伏安特性。2、从二极管的伏安特性曲线可以看出，二极管的电压和电流深化呈关系，其阻填“是或“不是常数，所以二极管属于器件。3、当二极管的正向电压较小时，二极管的电阻很，根本上处于状态，这个区域称为正向特性的死区，硅管的死区电压约为，锗管约为。死区电压又称为电压或电压4、硅二极管的导通电压约为，锗管的导

8、通电压约为。5、反向截止区：二极管加反向电压时，二极管的电阻很，二极管处于状态，这时会有反向电流流过二极管，称为。二极管的反向漏电流很，且根本填“随或“不随反向电压的变化而变化。6、硅管的反向漏电流比锗管。7、反向击穿区：当加到二极管两端的反向电压超过*一规定数值此电压值称为时，反向电流突然急剧增大，这种现象称为，反向击穿电压用字母表示。8、整流二极管的主要参数有：最大整流电流：是二极管通话通过的，用字母表示，如果实际工作时的正向电流平均值超过此值，二极管会；最高反向工作电压是二极管允许承受的，用字母表示，为了留有余地，通常标定的最高反向工作电压是向向击穿电压的。二、判断题：1、二极管的伏安特

9、性说明：二极管两端加正向电压就导通，加上反向电压就截止。2、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。3、晶体二极管击穿后立即烧毁。4、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，当反向电压大于反向击穿电压时，反向电流会迅速增大。5、当二极管两端的正向电压超过死区电压后，二极管的电阻变得很小，二极管导通。6、二极管被反向击穿后就不能再用了。7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过*一围时，二极管的反向电流胡电压的增加而根本不变。三、选择题：1、当晶体二极管的正向电压大于其门槛电压时，它相当于A阻值很大的电阻B阻值很小的电阻C接通的开关D以上都不对2、当硅二极

10、管加上0.4V的正向电压时，二极管相当于A阻值很小的电阻B断开的开关C闭合的开关D以上都不对3、当二极管两端正向电压大于电压时，二极管才能导通。A击穿B饱和C门坎D以上都不对4、二极管两端的反向电压增大时，在到达电压以前，通过的电流很小。A击穿B饱和C门坎D以上都不对复习题五二极管的测试一、填空题：1、使用万用电表测试二极管时应使用档，一般用或这两档。R*1档太大，R*10K挡太大，都容易使被测管损坏。2、当万用电表拨至欧姆挡时，其红表笔接电源的极，黑表笔接电源的极。3、用万用电表测试二极管时，用红黑表笔分别接二极管的两极测试一次，将红黑表笔对调再测一次，假设两次所测阻值一次大，一次小，则说明

11、二极管，测得阻值较大的一次是电阻，阻值较小的一次是电阻，此时与表笔接触的是二极管的正极。假设两次阻值都很大，说明二极管。假设两次阻值都很小，说明二极管。4、由于发光二极管的正向导通电压一般在1.5V以上，所以检测时必须用万用表的挡，当正向电阻小于，反向电阻大于时，发光二极管为正常的。二、判断题：1、二极管的正向电阻大于反向电阻。2、用万用表测试所有的二极管都应该用R*100或R*1K挡。3、用万用表测*晶体二极管的反向电阻是，红表笔所连接的是二极管的阳极，黑表笔接的是二极管的阴极。三、选择题：1、如果用万用表测得二极管的正反向电阻都很小，则二极管A特性良好B已被击穿C部开路D功能正常2、在用万

12、用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的挡位测出的正向电阻不同，主要原因是A万用表在不同的挡们，其阻不同B二极管具有非线性的伏安特性C被测二极管质量很差D二极管已被损坏四、问答题：1、有人在没一个二极管反向时，为了使万用表的表笔与管脚接触良好，她用两手把两端接触处捏紧，结果发现管子的反向电阻比较小，认为不合格，但接入电路时却正常工作，这是什么原因.2、测量电流时为保护线圈式电表的脆弱转动部件，不致因接错直流电源的极性或通过电流太大而损坏，常在表头处串联或并联一个二极管，如以下列图所示，试分别说明这两种接法的二极管各起什么作用。综合复习题一二极管一、填空题：1、导电能力介于和之间的

13、物体称为半导体。2、在N型半导体中为多数载流子，为少数载流子。3、从半导体二极管部的PN结的区引出的电极叫二极管的正极，从区引出的电极叫二极管的负极。给二极管正极加高电位，负极加低电位时，叫给二极管加电压。给二极管正极加低电位，负极加高电位时，叫给二极管加偏电压。4、当加在硅二极管上的正向电压超过伏时，二极管进入导通状态。5、根据是否掺入杂质，半导体可分为半导体和半导体两大类。6、二极管的特性是。具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。7、常用二极管以材料分类，可分为二极管和二极管；以PN结面积大小分类，又可分为接触型和接触型。8、用万用表的欧姆档对二极管进展正反两次测

14、量，假设两次读数都为，则此二极管_；假设两次读数都接近零，则此二极管_；假设读数一次很大，一次读数小，则此二极管_。9、设如右图电路中, D1为硅二极管, D2为锗二极管，则D1处于状态, D2处于状态, 输出电压Uo为伏。10、图11电路中，设所有二极管均为理想的。当开关翻开时，点定位A伏，此时流过电阻1中的电流I1毫安；当开关闭合时，点定位A伏，此时流过电阻1的电流1毫安。提示：开关翻开时，管优先导通12、在图12路中，为理想二极管，则当开关翻开时，点定位A伏；开关闭合时，A伏。13、在下左图所示电路中，二极管是硅管时V毫安，假设二极管是锗管，此时V毫安。14、晶体二极管因所加电压过大而，

15、并且出现的现象，称为热击穿。15、纯洁的半导体称为，它的导电能力很。在纯洁的半导体中掺入少量的三价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。16、二极管的伏安特性指和关系，当正向电压超过 _后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为V,锗管约为V。17、图下所示各电路中，如电源均为3V，输入电压VI分别为+6V，0V，-6V，求各电路的输出电压VO。1VO=V2VO=V 3VO=V18、如图，这是材料的二极管的_曲线，在正向电压超过V后，二极管开场导通，这个电压称为电压。正常导通后，此管的正向压降约为V。当反向电压增大到V即称为电压时，反向电流会急剧

16、增大，该现象为。假设反向电压继续增大，容易发生现象。其中稳压管一般工作在区。19、二极管的主要参数有 _、_和，20、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，假设两次测量时指针偏转幅度都较小，则说明二极管部；假设两次测量时指针偏转幅度都较大，则说明二极管部。两次两次测量时指针偏转幅度相差越大，则说明二极管的。21、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，说明该二极管已_ ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，说明该二极管已_ 。12、如上左图，V1、V2为理想二极管。V1状态，V2状态。 VAB=V23、如上右图，V为理想二极管。V状态，VAB=V 复习题六半波整流电路一、填空题：1、叫做

17、整流。2、单相半波整流电路由、和组成。3、叫脉动直流电。4、画出单相半波整流电路的电路图，并简述其工作原理。5、单相半波整流电路中，负载两端电压VL的平均值与变压器二次电压有效值的关系是。流过二极管的正向工作电流IV和流过负载的电流IL的关系是。6、选用半波整流二极管时就满足以下两个条件：；。二、判断题：1、在单相半波整流电容滤波电路中，输出电压平均值= U2三、选择题：1、在单相半波整流电路中用到个整流二极管。A一B二C三D四2、单相半波整流电路负载两端电压的平均值与变压器二次电压有效值的关系是A VL=V2B VL=0.45V2C VL=0.9V2D VL=1.41V23、半波整流电路中，

18、假设负载电阻为3k，负载电流为1mA，则二极管承受的最大反向电压是。A 3VB 6.67VC 9.43VD 18.86V四、问答题：1、单相半波整流电路中，假设负载电阻RL=1.8k，负载平均电流IL=20mA，求：输出电压；电源变压器的二次组电压整流二极管承受的最大反向电压；流过二极管的平均电流。2、如以下列图所示，假设直流电压表VL的读数是4V，负载电阻为800欧，则直流电流表A的读数为多少.交流电压表V2的读数为多少.复习题七全波整流电路一、填空题：1、画出变压器中心抽头式全波整流电路的电路图，并简述其工作原理。2、变压器中心抽头式全波整流电路中，负载两端电压VL的平均值与变压器二次电压

19、有效值的关系是。流过二极管的正向工作电流IV和流过负载的电流IL的关系是。3、选用变压器中心抽头式全波整流二极管时就满足以下两个条件：；。复习题八桥式整流电路一、填空题：1、画出桥式整流电路的电路图，并简述其工作原理。2、桥整流电路中，负载两端电压VL的平均值与变压器二次电压有效值的关系是。流过二极管的正向工作电流IV和流过负载的电流IL的关系是。3、选用桥式整流二极管时就满足以下两个条件：；。二、判断题：1、桥式整流电路在工作时，只有两个二极管处于导通状态。2、三、选择题：1、在桥式整流电路中，如果有一个二极管虚焊，则电路A其他二极管将被烧毁B将变成半波整流电路C整流输出电压将上升D将没有整

20、流功能2、在桥式整流电路中，如果有一个二极管虚焊，则电路A其他二极管将被烧毁B将变成半波整流电路C整流输出电压将上升D将没有整流功能3、在桥式整流电路中，如果有一个二极管虚焊，则电路A其他二极管将被烧毁B将变成半波整流电路C整流输出电压将上升D将没有整流功能9分析图9所示电路，完成以下各题1变压器二次电压有效值为10 V，则V1为( ) A4.5V B9V C12V D14V (2)假设电容C脱焊,则V1为( ) A4.5V B9V C12V D14V (3)假设二极管VD1接反，则( ) AVD1、VD2或变压器烧坏B变为半波整流C输出电压极性反转，被反向击穿D稳压二极管过流而损坏4假设电阻

21、R短路，则( ) AVO将升高B变为半波整流C电容C因过压而击穿D稳压二极管过流而损坏四、问答题1、一个纯电阻负载单相桥式整流电路搭建完成后，进展通电试验，一接通电源，二极管马上冒烟，试分析产生这种现象的原因。2、如以下列图所示，如何接交流电源和负载电阻实现桥式整流.3、假设将单相桥式整流电路接成以下列图所示的形式，将会出现什么后果.应如何改接.复习题九滤波器一、填空题：1、把脉动直流电中滤掉的电路称做滤波电路，简称滤波器。2、常见的滤波器有、和等。3、电容滤波器实际上是一个与整流电路负载电阻联的电容器。4、在电容滤波电路中，电容器C的容量越或负载电阻越，电容器C放电越慢，输出的直流电压就越，

22、并越接近于，负载开路时，输出电压为。所以常用于场合。5、滤波电容的选择要从和两方面考虑。在电路中滤波电容耐压值要大于。滤波电容C的容量选择与有关，负载电流越大，滤波电容的容量也应该越。6、电容滤波整流的输出电压：输入交流电压整流电路输出电压负载开路时整流电路输出电压带负载时二极管的最大反向电压通过二极管的电流半波整流电路V2桥式整流电路V27、滤波电容器容量与输出电流之间的关系：输出电流/A电容C/微法8、电感滤波器中电感线圈应与负载联，它是利用电感的特性进展滤波的。线圈的电感量越，滤波效果越好。电感滤波器适用于场合。9、复式滤波器是由或组合起来的滤波器，它的滤波效果比单一使用电感器或电容器滤

23、波为好。常见的复式滤波器有、。二、判断题：1、RC型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。2、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。3、滤波电容的耐压必须大于变压器二次电压u2的峰值，即UCU2。4、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值UL=U2。5、电容滤波利用了电容器的隔直通交的特性。6、电感滤波利用了电感器的隔交通直的特性。三、选择题：1、在单相桥式整流电容滤波电路中，假设负载电阻为无穷大，变压器二次交流电压为16V，则输出电压为A 7.2VB 14.4VC 19.2VD 22.6V2、在电感滤波器中，电感的作用是A耦合B通直流阻交流C分

24、压限流D利用它的电流不能突变起稳压作用3、在有电容滤波的单相半波整流电路中，假设要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级电压应为A50V B 60V C72V D27V 四、问答题：1、如以下列图所示，1电路是什么类型的整流和滤波电路.2在电阻两端标出电压的正负极；3当开关S断开时，电阻两端电压为多少.4当开关S闭合时，电阻两端电压为多少.5如果交流电源频率50fHz，负载电阻RL=120，要求直流电压Vo=30V，试选择整流元件及滤波电容。复习题十硅稳压二极管稳压电路一、填空题：1、硅稳压二极管工作在状态。2、稳压二极管的主要参数有、。3、稳压二极管的动态电阻是指稳压二极管在区两端与

25、之间的比值，动态电阻越稳压二极管的性能越好。4、画出桥式整流电容滤波稳压电路的电路图。二、问答题：1、硅稳压二极管VA、VB的稳压值分别为7V和8V，试求以下各图的输出电压各为多少。2、如右图中，V为硅二极管。 1)S与A接通时，V的状态，VMN=V 。2)S与B接通时，V的状态，VMN=V3.二极管电路如以下列图图所示，假设二极管是理想的，二极管的状态为，、两端电压ab=。2、如图，V1、V2为理想二极管。综合复习题二整流滤波稳压电路一、填空题：1、把电变成的电路叫整流电路，采用二极管做整流元件是因为二极管具有特性。2、滤除脉动直流电路电中的交流成分的过程叫。3、稳压二极管在状态下管子两端的

26、电压叫稳定电压。4、电容滤波电路适用于的场合。而电感滤波电路适用于的场合。5、在右图所示电路中，假设二极管均是理想的，10V，当开关闭合时，L伏，RM伏；当开关翻开时，伏，RM伏。6、在选用整流二极管时，主要应考虑参数、。7、整流二极管的整流作用是利用PN结的特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的特性。8、有一直流负载RL=9，需要直流电压VL=45V,现有2CP21IFM=3000mA,VRM=100V和2CP33BIFM=500mA, VRM=50V两种型号的二极管,假设采用桥式整流电路，应选用型二极管只。9、稳压二极管的稳压特性指，动态电阻rZ越大，说明稳压性能越。10、滤波器的作用是将整

27、流电路输出的中的成分滤去，获得比较的直流电,通常接在电路的后面。它一般分为、和三类，其中的滤波效果较好。11、如以下列图，V1、V2为硅稳压二极管，假设Vi足够大，则输出电压VO= V 12、硅稳压二极管，稳定电压如下列图，当VI足够大时，计算各VO值。二、简答计算1、带有电容滤波的桥式整流电路，变压器次级电压U2=10V，负载电路RL=100。试求画出电路图。负载电压平均值o滤波电容的电容量C 选择二极管时应注意什么.2、请在图3所示单相桥式整流滤波电路的四个桥臂上，按全波整流要求画上四个整流二极管，并使输出电压满足负载L所要求的极性。3、桥式整流电路如以下列图所示。1在u2的正负半周各有哪

28、几只二极管导通.2假设V2=20V，RL=100，则VO和IO各为多少.3应选择什么样的二极管.4试确定电容器的容量和耐压值.5当万用表测得负载电压Vo分别为9V，18V，20V、24V，试分析电路是否正常，如有故障，故障可能在什么地方.4、如以下列图所示。1这是什么电路.2在u2的正负半周各有哪几只二极管导通.3假设V2=20V，RL=100，则VO和IO各为多少.4应选择什么样的二极管.5试确定电容器的容量和耐压值.5、分别判断以下各图电路能否作为滤波电路。测试题一一、判断题：1、将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。2、P型半导体可通过纯洁半导体中掺入五价磷元素获

29、得。3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。4、硅二极管门坎电压是0.3V，正向压降是0.6V。5、硅的导通电压为0.3V，锗的导通电压为0.7V 。6、二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。7二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。8二极管正向使用时不能稳压。9、本征半导体中没有载流子。10、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。11、使用发光二极管时，要加正向电压；使用光敏和稳压二极管时要加反向电压。12、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。13、P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。14、本征半导体不带电，P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

30、15、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。16、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。17、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。18、二极管的下向偏置电压升高时，其正向电阻增大。19、小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA的根底上增加1倍，它的两端压降也增加1倍。20、二极管和三极管都属于非线性器件。21、电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器，常选用于负载电流较小的场合。22、稳压二极管一般工作在反向击穿区。23、稳压管的动态电阻越小，稳压性能越好。24、稳压二极管正向使用时，和普通二极管的特性一样。25、单相桥式整流电路属于单

31、相全波整流电路。26、选择整流二极管主要考虑两个参数：反向击穿电压和正向平均电流。27、单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半周都有两只二极管导通。28、单相桥式整流电路输出的直流电压平均值是半波整流电路输出的直流电压平均值的2倍。29、直流稳压电源只能在电网电压变化时使输出电压根本不变，而当负载电流变化时不能起稳压作用。30、普通二极管的正向伏安特性也具有稳压作用。三、选择题：31、本征半导体又叫A普通半导体BP型半导体C掺杂半导体D纯洁半导体32、锗二极管的死区电压为A0.3V B0.5V C 1V D0.7V 33、电路如下左图所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样

32、，则最亮的白炽灯是() AA BB CC D一样亮34、如上右图所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时，则判断二极管通断情况( ) AVD1导通、VD2截止BVD1截止、VD2 导通CVD1、VD2均导通DVD1、VD2均截35、上图中，输出电压VO为( ) A8.37V B3. 87V C4.3VD9.3V36、关于滤波器，正确表达是：A 电容滤波器电路的电容量越大，负载越重，输出直流越平滑。B 电容量越小，负载越重，输出电压越接近脉动电压峰值。C电感滤波器是利用电感具有对抗电流变化的作用，使负载电流的脉动程度减小，从而使输出电压平滑。D 电感量越大，产生的自感电动势越大，滤波效果越差。37、以下所列器件中，器件不是工作在反偏状态的。A、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管38、稳压二极管稳压时，其工作在( )A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D.不确定39、发光二极管发光时，工作在( )。A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D不确定40、当温度升高时，二极管反向饱和电流将A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等于零41、假设用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏