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文档简介

1、P型晶圓N型井區P型井區STIn+n+USGp+p+金屬金屬1, AlCuBPSGWP型磊晶層TiSi2TiN, ARCTi/TiNHigh speedHigh reliabilityHigh density欧姆接触欧姆接触 金属化层和硅衬底的接触，既可以形成整流接触，也可以形成欧姆接触，主要取决于金属和半导体功函数的相对大小 RcJVv01比接触电阻的单位 : 欧姆.cm2接触电阻 R=Rc/S 当金属与半导体之间的载流子输运以隧道穿透为主时，Rc与半导体的掺杂浓度N及金半接触的势垒高度qVb 有下面的关系 qVb在数值上等于金属费米能级上的电子进入半导体所需的能量。结论：要获得低接触电阻的

2、金半接触，必须减小金半接触的势垒高度及提高半导体的掺杂浓度RcqVNbexp名稱 鋁 符號 Al 原子序 13 原子量 26.981538 發現者 漢克 克里斯汀 奧斯特德 發現地點 丹麥 發現日期 1825 名稱來源 源自拉丁字 alumen，指明礬 固體密度 2.70 g/cm3 摩爾體積 10.00 cm3 音速 5100 m/sec 硬度 2.75 電阻係數 2.65 cm 反射率 71% 熔點 660 C 沸點 2519 C 熱傳導係數 235 W m-1 K-1 線性熱膨脹係數 23.110-6 K-1 蝕刻物 (濕) H3PO4, HNO4, CH3COOH 蝕刻物 (乾) Cl

3、2, BCl3 CVD 源材料 Al(CH3)2H KTCJAMTFexp2p+p+N型矽鋁鋁鋁SiO2oxmoxmttltwlwtlCRRC2)()(P型磊晶層P型晶圓N型井區P型井區n+STIp+p+USGWPSGWFSGn+M1CuCoSi2Ta 或 TaNTi/TiNSiNCuCuFSGP型磊晶層P型晶圓N型井區P型井區n+STIp+p+USGWPSGWFSGn+M1CuCoSi2Ta 或 TaNTi/TiNSiNCuCuFSGP型磊晶層P型晶圓N型井區P型井區n+STIp+p+USGWPSGWFSGn+M1CuCoSi2Ta 或 TaNTi/TiNSiNCuCuFSG多晶硅栅极多晶硅栅极in-n-n+n+Tii沉积多晶硅栅极多晶硅栅极in-n-n+n+TiSi2TiSi2Ti退火产生金属硅化物多晶硅栅极多晶硅栅极in-n-n+n+TiSi2TiSi2湿法腐蚀i薄膜多晶硅栅极多晶硅栅极in-n-n+n+TiSi2TiSi2鈦PSGTiSi2n+鎢鋁-銅鈦PSGTiSi2n+鎢鋁-銅面积 = A面积 = B面积 = A垂直的側壁倾斜的侧壁A B傳

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