TP金属黄光制程简

1、Chemax1TP金属黄光制程简介制作 群安电子TP金属黄光制程简介Chemax2TP金属黄光流程材料材料一次压干膜一次压干膜一次曝光一次曝光一次显影一次显影一次蚀刻金属一次蚀刻金属一次蚀刻一次蚀刻ITO一次去膜一次去膜二次压干膜二次压干膜二次曝光二次曝光二次显影二次显影二次蚀刻金属二次蚀刻金属二次去膜二次去膜TP金属黄光制程简介红线框内部分流程也可用印刷制程取代Chemax3TP金属黄光制程简介材材 料料：PET+ITO+金属PET规格规格：厚度50150um金属类别：金属类别： -Cu -Cu+NiCu - Cu+NiCuTi -其他（NiCuNi、APC、Ag合金等）ITO类别：类别：

2、-非结晶ITO（方阻150400） -结晶ITO（方阻80160）材 料Chemax4干膜的选择干膜的选择 NiCu及NiCuTi表面平整，干膜不易结合，需选用附着力好的干膜，如需要做30以下细线路还需选择解析度良好的干膜；压膜条件压膜条件 温度：110+5 压力：3.5kg/cm2一次压膜TP金属黄光制程简介Chemax5制程能力制程能力： 底片（film）：最细可做20/20um 玻璃底片（光罩）：最细可做10/10um曝光注意事项曝光注意事项： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握适度 需要使用平行光曝光机TP金属黄光制程简介一次曝光Chemax6显影注意事项显影注意事项： 控制显影点406

3、0% 控制好显影液浓度及PH 显影后最好有烘干以增加干膜附着力 关注显影后线宽是否与底片一致TP金属黄光制程简介一次显影 Chemax7反应原理反应原理 使用氧化剂在酸性环境下氧化金属蚀刻注意事项蚀刻注意事项： 注意蚀刻后线路品质，避免线路锯齿 控制好蚀刻药液浓度 注意干膜是否有浮离问题 药水不能攻击ITOTP金属黄光制程简介一次蚀刻金属Chemax8蚀刻蚀刻ITO注意事项注意事项： 注意蚀刻后线路品质，避免线路锯齿 控制好蚀刻药液浓度 注意干膜是否有浮离问题 药液不能攻击金属 非晶ITO蚀刻较快，注意控制好蚀刻速度避免蚀刻过度TP金属黄光制程简介一次蚀刻ITOChemax9脱膜注意事项脱膜注

4、意事项： 控制好药液浓度； 控制去膜点3050% 注意干膜反粘 关注材料方阻变化，药液不能攻击ITO 注意D/F Adhesion Promotor是否去除干净TP金属黄光制程简介一次脱膜Chemax10干膜要求干膜要求： 附着力要好；压膜条件压膜条件： 温度：110+5 压力：3.5kg/cm2TP金属黄光制程简介二次压膜Chemax11曝光注意事项：曝光注意事项： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握适度 注意对位准确，勿对偏 关注材料及底片是否涨缩 无线路可用散射光曝光机TP金属黄光制程简介二次曝光Chemax12显影注意事项显影注意事项： 控制显影点4060% 控制好显影液浓度及PHTP金属黄光制程简介二次显影Chemax13蚀刻金属注意事项：蚀刻金属注意事项： 控制好蚀刻药水浓度 关注视窗金属残留问题 关注ITO方阻变化 TP金属黄光制程简介二次蚀刻金属Chemax14脱膜注意事项脱膜注意事项： 注意干膜反粘 控制好药液浓度 关注ITO方