硅片公司工艺流程

1、硅片公司工艺流程 直回料包括:头尾直回,棒料、埚底料、IC料等.1.边皮直回料4.棒料5.头尾直回料2.边皮直回料原料的种类3.埚底料6.IC料物理法多晶硅原料的检测(1)检测原料的型号 两种型号：N与P N型（磷是主要的 掺杂元素） P型（硼是主要的掺杂元素）硅原料的检测(2)检测原料的电阻率(电阻率单位：欧姆*厘米) 1）片料（IC料）电阻率范围：0.2以下、0.2-0.5, 0.51、13、 36、6以上； 2）块料（直回料、多晶料）电阻率范围： 0.2以下、 0.20.5、0.51、11.5、1.52、23.5、3.55 57、710、10以上。半导体工艺流程图硅片公司名词解释多晶硅原

2、料标准德国瓦克 MEMC单晶硅单晶硅主要有直拉和区熔 区熔单晶硅可生产直径范围为：1.5- 4。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。区熔单晶硅是利用悬浮区熔技术制备的单晶硅。 直拉单晶硅可生产直径范围为：2-8。 直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。直拉单晶硅可生产直径范围为：2-8。 硅单晶被称为现代信息社会的基石。硅单晶按照制备工艺的不同可分为直拉（CZ）单晶硅和区熔（FZ）单晶硅，直拉单晶硅被广泛应用于微电子领域。 多晶硅区熔用多晶硅：可生产直径40mm70mm。直径公差(Tolerance)10%，施主水平300.，受主水平30

3、00.，碳含量21016at/3 。各项参数可按客户要求生产。类型和应用 硅单晶按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)单晶与有坩埚直拉(CZ)单晶。区熔单晶不受坩埚污染，纯度较高，适于生产电阻率高于20欧厘米的N型硅单晶（包括中子嬗变掺杂单晶）和高阻 P型硅单晶。由于含氧量低，区熔单晶机械强度较差。大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。直接法易于获得大直径单晶，但纯度低于区熔单晶，适于生产20欧厘米以下的硅单晶。由于含氧量高,直拉单晶机械强度较好。大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。外延片衬底单晶也用直拉法生产。硅单晶商品多制成抛光片，但对FZ单晶片与

4、CZ单晶片须加以区别。外延片是在硅单晶片衬底（或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底）上外延生长硅单晶薄层而制成，大量用于制造双极型集成电路、高频晶体管、小功率晶体管等器件。 硅的化学成分 硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在540ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1

5、ppm。 硅的性质 硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.21电子伏。载流子迁移率较高，电子迁移率为1350厘米2/伏秒，空穴迁移率为480厘米2/伏秒。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3105欧厘米,掺杂后电阻率可控制在10410-4 欧厘米的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。热导率较大。化学性质稳定，又易于形成稳定的热氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护，还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS场效应晶体管和集成电路。上述性质使PN结具有良好特性，使硅器件具有耐高压、反向漏电流小

6、、效率高、使用寿命长、可靠性好、热传导好，并能在200高温下运行等优点。 技术参数 硅单晶的主要技术参数 硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。 技术参数1 导电类型 导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。 电阻率与均匀度 拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。 技术参数3 晶向与晶向偏离度 常用的单晶晶向多为 (111)和(100)（见图）。晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。 晶体缺陷 生产电子器件用的硅单晶除对位错密度有一定限制外，不允许有小角度晶界、位错排、星形结构等缺陷存在。位错密度低于 200/厘米2者称为无位错单晶，无位错硅单晶占产量的大多数。在无