第9章半导体传感器学习教案

1、会计学1第第9章半导体传感器章半导体传感器第一页，共54页。 按照半导体与气体相互作用时产生的变化(binhu)只限于半导体表面或深入到半导体内部，可分为表面控制型: 半导体表面吸附的气体与半导体间发生电子接受，结果使半导体的电导率等物理性质发生变化(binhu)，但内部化学组成不变体控制型: 半导体与气体的反应，使半导体内部组成发生变化(binhu)，而使电导率变化(binhu)。按照半导体变化(binhu)的物理特性可分为电阻型:利用敏感材料接触气体时，其阻值变化(binhu)来检测气体的成分或浓度非电阻型: 利用其它参数，如二极管伏安特性和场效应晶体管的阈值电压变化(binhu)来检测被

2、测气体的。第1页/共54页第二页，共54页。表表9-1 半导体气敏元件半导体气敏元件(yunjin)的分类的分类 第2页/共54页第三页，共54页。 气敏传感器是暴露在各种( zhn)成分的气体中使用的，由于检测现场温度、湿度的变化很大，又存在大量粉尘和油雾等，所以其工作条件较恶劣， 而且气体对传感元件的材料会产生化学反应物，附着在元件表面，往往会使其性能变差。因此，对气敏元件有下列要求：能长期稳定工作，重复性好，响应速度快， 共存物质产生的影响小等。用半导体气敏元件组成的气敏传感器主要用于工业上的天然气、煤气，石油化工等部门的易燃、 易爆、有毒等有害气体的监测、预报和自动控制。 第3页/共5

3、4页第四页，共54页。半导体气敏传感器的机理半导体气敏传感器的机理 半导体气敏传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应导致敏感元件阻值变化而制成的。半导体气敏传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应导致敏感元件阻值变化而制成的。 当半导体器件被加热到稳定状态，在气体接触半导体表面而被吸附时，被吸附的分子首先在表面物性自由扩散，失去运动能量，一部分分子被蒸发掉，另一部分残留分子产生热分解而固定在吸附处（化学吸附）。当半导体器件被加热到稳定状态，在气体接触半导体表面而被吸附时，被吸附的分子首先在表面物性自由扩散，失去运动能量，一部分分子被蒸发掉，另一部分残留分子产生热分解而固定在吸附处（化

4、学吸附）。 当半导体的功函数小于吸附分子的亲和力当半导体的功函数小于吸附分子的亲和力(气体的吸附和渗透特性气体的吸附和渗透特性)时，时， 吸附分子将从器件夺得电子而变成负离子吸附，吸附分子将从器件夺得电子而变成负离子吸附， 半导体表面呈现电荷层。例如氧气半导体表面呈现电荷层。例如氧气(yngq)等具有负离子吸附倾向的气体被称为氧化型气体或电子接收性气体。等具有负离子吸附倾向的气体被称为氧化型气体或电子接收性气体。 如果半导体的功函数大于吸附分子的离解能，吸附分子将向器件释放出电子，而形成正离子吸附。具有正离子吸附倾向的气体有如果半导体的功函数大于吸附分子的离解能，吸附分子将向器件释放出电子，而

5、形成正离子吸附。具有正离子吸附倾向的气体有H2、CO、碳氢化合物和醇类，它们被称为还原型气体或电子供给性气体。、碳氢化合物和醇类，它们被称为还原型气体或电子供给性气体。 第4页/共54页第五页，共54页。图 9-1 N型半导体吸附(xf)气体时器件阻值变化图 100550加热开关大气中2 min 4 min吸气时还原型氧化型稳定状态器件加热响应时间约1 min以内器件电阻 / k第5页/共54页第六页，共54页。半导体气敏传感器类型半导体气敏传感器类型(lixng)及结构及结构 1. 电阻型半导体气敏传感器电阻型半导体气敏传感器 (a) 烧结(shoji)型气敏器件 以SnO2半导体材料为基体

6、，将铂电极和加热丝埋入SnO2材料中，用加热、加压、温度为700900的制陶工艺烧结成形。半导瓷内晶粒的大小对电阻有一定影响，但对气体检测(jin c)灵敏度则无很大的影响。制作方法简单，器件寿命长；但由于烧结不充分，器件机械强度不高，电极材料较贵重，电性能一致性较差第6页/共54页第七页，共54页。(b) 薄膜型器件(qjin) 它采用蒸发或溅射工艺，在石英基片上形成氧化物半导体薄膜（其厚度约在100nm以下(yxi)），制作方法也很简单。 实验证明，SnO2半导体薄膜的气敏特性最好， 但这种半导体薄膜为物理性附着，因此器件间性能差异较大。 第7页/共54页第八页，共54页。330.5(单位

7、: mm)7(c)氧化铝基片Pt电极氧化物半导体器件加热用的加热器(印制厚膜电阻)(c) 厚膜型器件(qjin) 将氧化物半导体材料(cilio)与硅凝胶混合制成能印刷的厚膜胶，再把厚膜胶印刷到装有电极的绝缘基片上，经烧结制成的。由于这种工艺制成的元件机械强度高，离散度小，适合大批量生产。 第8页/共54页第九页，共54页。 这些器件全部附有加热(ji r)器，它的作用是将附着在敏感元件表面上的尘埃、油雾等烧掉，加速气体的吸附，从而提高器件的灵敏度和响应速度。加热(ji r)器的温度一般控制在200400左右。加热(ji r)方式(1)直热式(2)旁热式第9页/共54页第十页，共54页。图 9

8、-3 直热式气敏器件(qjin)的结构及符号 (a) 结构； (b) 符号1234SnO2烧结体IrPd合金丝(加热器兼电极)13242 41 3(a)(b) 将加热丝、 测量丝直接埋入SnO2或ZnO等粉末中烧结而成的，工作时加热丝通电，测量丝用于测量器件阻值。 这类器件制造工艺简单、成本低、功耗小，可以(ky)在高电压回路下使用， 但热容量小， 易受环境气流的影响，测量回路和加热回路间没有隔离而相互影响。第10页/共54页第十一页，共54页。图 9-4 旁热式气敏器件(qjin)的结构及符号 (a) 旁热式结构； (b) 符号 将加热丝放置在一个陶瓷管内，管外涂梳状金电极作测量极，在金电极

9、外涂上SnO2等材料。使测量极和加热极分离， 而且加热丝不与气敏材料接触，避免了测量回路和加热回路的相互影响，器件热容量大，降低了环境温度(wnd)对器件加热温度(wnd)的影响，所以这类结构器件的稳定性、 可靠性都较直热式器件好，国产QM-N5型和日本费加罗TGS812、813型第11页/共54页第十二页，共54页。 2. 非电阻非电阻(dinz)型半导体气敏传感器型半导体气敏传感器(1) MOS二极管气敏器件(qjin)图 9-5 MOS二极管结构(jigu)和等效电路 (a) 结构(jigu)； (b) 等效电路； (c) C-U特性 M(Pd)SiO2PSiCaCsCOVab(a)(b

10、)(c)第12页/共54页第十三页，共54页。图 9-6 钯MOS场效应晶体管的结构(jigu)PSiNNAlSiO2DSPd栅(2)MOS场效应晶体管气敏器件(qjin)由MOSFET工作原理: UGSUT(阈值电压)时，硅从P型变为N型。 形成导电通道，即为N型沟道, ISD随UDS和UGS的大小而变化，其变化规律即为MOSFET的伏-安特性。 当UGSUT时， MOSFET的沟道未形成， 故无漏源电流。UT的大小除了与衬底材料的性质有关外，还与金属和半导体之间的功函数有关。PdMOSFET气敏器件就是利用H2在钯栅极(shn j)上吸附后引起阈值电压UT下降这一特性来检测H2浓度的。 第

11、13页/共54页第十四页，共54页。气敏传感器应用气敏传感器应用 半导体气敏传感器由于具有灵敏度高、响应时间和恢复时间快、使用寿命长以及成本低等优点，从而得到了广泛的应用。半导体气敏传感器由于具有灵敏度高、响应时间和恢复时间快、使用寿命长以及成本低等优点，从而得到了广泛的应用。 按其用途可分为以下几种类型：气体泄露报警、自动控制、自动测试等。按其用途可分为以下几种类型：气体泄露报警、自动控制、自动测试等。1、电源电路、电源电路 一般气敏元件的工作电压不高一般气敏元件的工作电压不高(3V10V)，其工作电压，特别是供给加热的电压，必须稳定，其工作电压，特别是供给加热的电压，必须稳定(wndng)

12、。否则，将导致加热器的温度变化幅度过大，使气敏元件的工作点漂移，影响检测准确性。否则，将导致加热器的温度变化幅度过大，使气敏元件的工作点漂移，影响检测准确性。2、辅助电路、辅助电路 (1) 采用温度补偿电路，减少气敏元件的温度系数引起的误差；采用温度补偿电路，减少气敏元件的温度系数引起的误差； (2) 设置延时电路，防止通电初期，因气敏元件阻值大幅度变化造成误报；设置延时电路，防止通电初期，因气敏元件阻值大幅度变化造成误报； (3) 使用加热器失效通知电路，防止加热器失效导致漏报现象。使用加热器失效通知电路，防止加热器失效导致漏报现象。第14页/共54页第十五页，共54页。当环境温度降低时，则

13、当环境温度降低时，则负温度热敏电阻负温度热敏电阻(R5)(R5)的的阻值增大，使相应的输阻值增大，使相应的输出电压出电压(diny)(diny)得到补得到补偿。偿。BZU气敏传感器氖管蜂鸣器NTC电阻WR1R2R3R4R5R6SCR右图为正温度系数热敏电阻右图为正温度系数热敏电阻(R2)的延时电路。刚通电时的延时电路。刚通电时，其电阻值也小，电流大部，其电阻值也小，电流大部分经热敏电阻回到变压器，分经热敏电阻回到变压器，蜂鸣器蜂鸣器(BZ)不发出报警。当不发出报警。当通电通电12min后，阻值急剧后，阻值急剧增大，通过蜂鸣器的电流增增大，通过蜂鸣器的电流增大 ， 电 路 进 入 正 常大 ，

14、电 路 进 入 正 常(zhngchng)的工作状态。的工作状态。 BZ气敏传感器PTC电阻R2R1R3R4BCRUB蜂鸣器氖管第15页/共54页第十六页，共54页。家用(jiyng)可燃性气体报警器电路220VBZ 氖管气敏传感器蜂鸣器BR3、检测工作电路、检测工作电路 这是气敏元件应用电路的主体部分。这是气敏元件应用电路的主体部分。 下图是设有串联蜂鸣器的应用电路。随着环境中可燃性气体浓度的增加，气敏元件的阻值下降到一定下图是设有串联蜂鸣器的应用电路。随着环境中可燃性气体浓度的增加，气敏元件的阻值下降到一定(ydng)值后，流入蜂鸣器的电流，足以推动其工作而发出报警信号。值后，流入蜂鸣器的

15、电流，足以推动其工作而发出报警信号。第16页/共54页第十七页，共54页。下图是差分式可燃性气体检测仪电路原理图。下图是差分式可燃性气体检测仪电路原理图。在此电路中，在此电路中，BG1BG1、BG2BG2的参数的参数(cnsh)(cnsh)应力求一致，最好选用差分对管。采用这种差分电路，检测气体的灵敏度可达应力求一致，最好选用差分对管。采用这种差分电路，检测气体的灵敏度可达100 100 10106 6。 K1W11W31W41W21R3R2BG1BG2R4R5K23V6VA 差分(ch fn)式可燃性气体检测仪电路R1RQ第17页/共54页第十八页，共54页。下图是家用煤气下图是家用煤气(C

16、O)(CO)安全报警电路。安全报警电路。一部分是煤气报警器，在煤气浓度达到危险界限前发生警报；另一部分是开放式负一部分是煤气报警器，在煤气浓度达到危险界限前发生警报；另一部分是开放式负离子发生器，其作用是自动产生空气负离子，使煤气中主要有害成分一氧化碳与空离子发生器，其作用是自动产生空气负离子，使煤气中主要有害成分一氧化碳与空气负离子中的臭氧气负离子中的臭氧(chuyng)(O3)(chuyng)(O3)反应，生成对人体无害的二氧化碳。反应，生成对人体无害的二氧化碳。IC1IC2JBG3220VKJ1R10R12R11R1R2R3R4BG1BG2C1C2C3C4R5R6R7R8R13R9D1D

17、2D3D4D5DwW1W2C7C5C6MT2MT13CTS3RQABLED6213748521387B1B2D7煤气(miq)安全报警器原理图第18页/共54页第十九页，共54页。表表9-2 半导体气敏传感器的各种检测对象半导体气敏传感器的各种检测对象(duxing)气体气体 第19页/共54页第二十页，共54页。第20页/共54页第二十一页，共54页。烟雾报警器烟雾报警器酒精传感器酒精传感器二氧化碳传感器二氧化碳传感器第21页/共54页第二十二页，共54页。 第22页/共54页第二十三页，共54页。燃气报警器燃气报警器烟雾报警器烟雾报警器 第23页/共54页第二十四页，共54页。酒精传感酒精

18、传感器器第24页/共54页第二十五页，共54页。9.2 湿湿 敏敏 传传 感感 器器一、湿度表示法 空气中含有(hn yu)水蒸气的量称为湿度，含有(hn yu)水蒸气的空气是一种混合气体。主要有质量百分比和体积百分比、相对湿度和绝对湿度、露点（霜点）等表示法。 1、质量百分比和体积百分比 质量为M的混合气体中，若含水蒸气的质量为m，则质量百分比为vV100这两种方法统称(tngchng)为水蒸气百分含量法。mM100在体积(tj)为V的混合气体中，若含水蒸气的体积(tj)为v，则体积(tj)百分比为第25页/共54页第二十六页，共54页。 2、相对湿度(xingdu shd)和绝对湿度AHm

19、Vm待测空气中水蒸气质量(zhling)；V待测空气的总体积； 相对湿度是指气体的绝对湿度与同一(tngy)温度下达到饱和状态的绝对湿度之比，一般用符号%RH表示。相对湿度给出大气的潮湿程度，它是一个无量纲的量 绝对湿度是指在一定温度和压力条件下， 每单位体积的混合气体中所含水蒸气的质量，单位为g/m3第26页/共54页第二十七页，共54页。3、露（霜）点 当空气温度下降到某一温度时，空气中的水蒸气将向液相转化而凝结成露珠，相对湿度为100RH。该温度，称为空气的露点温度，简称(jinchng)露点。如果这一温度低于0时，水蒸气将结霜，又称为霜点温度。两者统称为露点。空气中水蒸气压越小，露点越

20、低，因而可用露点表示空气中的湿度。5010203040-1001020304050温度/1 0 % RH露点/90%RH80%RH7 0 % RH 6 0 % RH5 0 % RH 4 0 % RH2 0 % RH30%RH第27页/共54页第二十八页，共54页。 湿敏传感器是能够感受(gnshu)外界湿度变化，并通过器件材料的物理或化学性质变化，将湿度转化成有用信号的器件。湿度检测较之其它物理量的检测显得困难，这首先是因为空气中水蒸气含量要比空气少得多；另外，液态水会使一些高分子材料和电解质材料溶解，一部分水分子电离后与溶入水中的空气中的杂质结合成酸或碱，使湿敏材料不同程度地受到腐蚀和老化，

21、从而丧失其原有的性质；再者，湿信息的传递必须靠水对湿敏器件直接接触来完成，因此湿敏器件只能直接暴露于待测环境中，不能密封。通常，对湿敏器件有下列要求：在各种气体环境下稳定性好，响应时间短，寿命长，有互换性，耐污染和受温度影响小等。微型化、集成化及廉价是湿敏器件的发展方向。 第28页/共54页第二十九页，共54页。图9-7 湿敏电阻(dinz)结构示意图 12341引线；2基片；3感湿层；4金电极图9-8 氯化锂湿度(shd)电阻特性曲线 吸附脱附157.06.56.05.55.04.54.0405060708090相对湿度 / %RH电阻值的对数 /氯化锂湿敏电阻氯化锂湿敏电阻(dinz) 利

22、用吸湿性盐类潮解，离子导电率发生变化而制成的测湿元件: 氯化锂通常与聚乙烯醇组成混合体，Li和Cl均以正负离子的形式存在，而Li对水分子的吸引力强，离子水合程度高，其溶液中的离子导电能力与浓度成正比。 若环境相对湿度高，溶液将吸收水分使浓度降低，其溶液电阻率增高。反之，环境相对湿度变低时，则溶液浓度升高，其电阻率下降，从而实现对湿度的测量。第29页/共54页第三十页，共54页。半导体陶瓷湿敏电阻半导体陶瓷湿敏电阻 通常，用两种以上的金属氧化物半导体材料混合烧结通常，用两种以上的金属氧化物半导体材料混合烧结(shoji)而成为多孔陶瓷。而成为多孔陶瓷。负特性湿敏半导体陶瓷：电阻率随湿度增加而下降

23、负特性湿敏半导体陶瓷：电阻率随湿度增加而下降 ZnO-LiO2-V2O5系、系、Si-Na2O-V2O5系、系、 TiO2-MgO-Cr2O3系、等系、等正特性湿敏半导体陶瓷：电阻率随湿度增加而增大正特性湿敏半导体陶瓷：电阻率随湿度增加而增大 Fe3O4第30页/共54页第三十一页，共54页。图 9-9 几种(j zhn)半导瓷湿敏负特性 020406080100相对湿度 / %RH106105104103电阻 / 1231ZnOLiO2V2O5系；2SiNa2OV2O5系；3TiO2MgOCr2O3系 由于水分子中的氢原子具有很强的正电场，当水在半导瓷表面吸附(xf)时，就有可能从半导瓷表面

24、俘获电子，使半导瓷表面带负电。型半导体型半导体:表面反型层1. 负特性负特性(txng)湿敏半导瓷的导电机理湿敏半导瓷的导电机理第31页/共54页第三十二页，共54页。图 9-10 Fe3O4半导瓷的正湿敏特性(txng) 020406080100相 对 湿 度 / %RH80100120140160180200220电 阻 / 当水分子附着半导瓷的表面使电势变负时，电子浓度下降，表面电阻将由于电子浓度下降而加大，这类半导瓷材料的表面电阻将随湿度的增加而加大。 对某一种半导瓷，晶粒间的电阻并不比晶粒内电阻大很多，那么(n me)表面层电阻的加大对总电阻并不起多大作用。不过，通常湿敏半导瓷材料都

25、是多孔的，表面电导占的比例很大，故表面层电阻的升高， 必将引起总电阻值的明显升高。 2. 正特性湿敏半导瓷的导电(dodin)机理第32页/共54页第三十三页，共54页。图9-11 MgCr2O4-TiO2陶瓷(toc) 图9-12 MgCr2O4-TiO2陶瓷(toc)湿度传感器相对湿度与电阻的关系 020406080100相对湿度 / %RH103104105106107108电阻 / 204060803. 典型典型(dinxng)半导瓷湿敏元件半导瓷湿敏元件（1）MgCr2O4-TiO2湿敏元件第33页/共54页第三十四页，共54页。 将多孔材料的金电极烧结在多孔陶瓷圆片的两表面上，并焊

26、上铂引线，然后将敏感元件装入有网眼过滤(gul)的方形塑料盒中用树脂固定，其结构如图9-13所示。 ZnO-Cr2O3传感器能连续稳定地测量湿度，而无须加热除污装置，因此功耗低于0.5，体积小，成本低，是一种常用测湿传感器。 （2）ZnO-Cr2O3陶瓷(toc)湿敏元件图9-13 ZnO-Cr2O3陶瓷(toc)湿敏传感器结构 第34页/共54页第三十五页，共54页。Fe3O4粒子间的空隙使薄膜具有多孔性， 当空气相对湿度增大时，Fe3O4胶膜吸湿，由于水分子的附着，强化颗粒之间的接触，降低粒间的电阻(dinz)和增加更多的导流通路， 所以元件阻值减小。 当处于干燥环境中，胶膜脱湿，粒间接触

27、面减小，元件阻值增大。当环境温度不同时， 涂覆膜上所吸附的水分也随之变化，使梭状金电极之间的电阻(dinz)产生变化。（3）四氧化(ynghu)三铁（Fe3O4）图9-14 Fe3O4湿敏元件(yunjin)构造第35页/共54页第三十六页，共54页。图9-15 MCS型Fe3O4湿敏器件(qjin)的 电阻-湿度特性 相 对 湿 度 / %RH电 阻 / 103204060010480 100105106107图 9-16 MCS型Fe3O4湿敏器件的 温度-湿度(shd)特性 相 对 湿 度 / %RH20103406080104105106电 阻 / abcdea5b15c25d35e4

28、5第36页/共54页第三十七页，共54页。4. 4. 湿度传感器的测量电路湿度传感器的测量电路 （一）检测电路的选择（一）检测电路的选择 1 1、电源选择、电源选择 一切电阻式湿度传感器都必须使用交流电源，否则性能一切电阻式湿度传感器都必须使用交流电源，否则性能(xngnng)(xngnng)会劣化甚至失效。会劣化甚至失效。 电解质湿度传感器的电导是靠离子的移动实现的，在直流电源作用下，正、负离子必然向电源两极运动，产生电解作用，使感湿层变薄甚至被破坏；在交流电源作用下，正负离子往返运动，不会产生电解作用，感湿膜不会被破坏。电解质湿度传感器的电导是靠离子的移动实现的，在直流电源作用下，正、负离

29、子必然向电源两极运动，产生电解作用，使感湿层变薄甚至被破坏；在交流电源作用下，正负离子往返运动，不会产生电解作用，感湿膜不会被破坏。 交流电源的频率选择是，在不产生正、负离子定向积累情况下尽可能低一些。在高频情况下，测试引线的容抗明显下降，会把湿敏电阻短路。另外，湿敏膜在高频下也会产生集肤效应，阻值发生变化，影响到测湿灵敏度和准确性。交流电源的频率选择是，在不产生正、负离子定向积累情况下尽可能低一些。在高频情况下，测试引线的容抗明显下降，会把湿敏电阻短路。另外，湿敏膜在高频下也会产生集肤效应，阻值发生变化，影响到测湿灵敏度和准确性。 第37页/共54页第三十八页，共54页。2 2温度补偿温度补

30、偿 湿度传感器具有正或负的温度系数，其温度系数大小不一，工作温区有宽有窄。所以要考虑温度补偿问题。湿度传感器具有正或负的温度系数，其温度系数大小不一，工作温区有宽有窄。所以要考虑温度补偿问题。 对于半导体陶瓷传感器，其电阻与温度的的关系一般为指数函数对于半导体陶瓷传感器，其电阻与温度的的关系一般为指数函数(zh sh hn sh)(zh sh hn sh)关系，通常其温度关系属于关系，通常其温度关系属于NTCNTC型，即型，即AHTBRRexp0H：相对湿度；：相对湿度； T：绝对温度；：绝对温度；R0：在：在T=0相对湿度相对湿度H=0时的阻值时的阻值(z zh)；A：湿度常数；：湿度常数；

31、B：温度常：温度常数。数。温度(wnd)系数21TBTRR湿度系数AHRR1湿度温度系数2ATBTH湿度系数温度系数若传感器的湿度温度系数为若传感器的湿度温度系数为0.07RH/，工作温度差为，工作温度差为30，测量误差为，测量误差为0.21RH/，则不必考虑温度补偿；若湿度温度系数为，则不必考虑温度补偿；若湿度温度系数为0.4RH/，则引起，则引起12RH/的误差的误差, ,必须进行温度补偿。必须进行温度补偿。 第38页/共54页第三十九页，共54页。3 3线性化线性化 湿度传感器的感湿特征量与相对湿度之间的关系不是线性的，这给湿度的测量湿度传感器的感湿特征量与相对湿度之间的关系不是线性的，

32、这给湿度的测量(cling)(cling)、控制和补偿带来了困难。需要通过一种变换使感湿特征量与相对湿度之间的关系线性化。下图为湿度传感器测量、控制和补偿带来了困难。需要通过一种变换使感湿特征量与相对湿度之间的关系线性化。下图为湿度传感器测量(cling)(cling)电路原理框图。电路原理框图。 A2A1A3A4A5A6+_湿敏元件(yunjin)R1R2R3R4R5R6RTUSCC1C2C3W湿度传感器测量电路原理(yunl)框图D1振荡器放大电路传感器驱动电路整流电路对数温补电路第39页/共54页第四十页，共54页。 （二）测量电路 电阻式湿度传感器，其测量电路主要有两种形式: 1电桥电

33、路 振荡器对电路提供交流电源。电桥的一臂为湿度传感器，由于湿度变化使湿度传感器的阻值发生变化，于是电桥失去平衡，产生(chnshng)信号输出，放大器可把不平衡信号加以放大，整流器将交流信号变成直流信号，由直流毫安表显示。振荡器和放大器都由9V直流电源供给。电桥法适合于氯化锂湿度传感器。振荡器电 桥放大器桥式整流(zhngli)电表(din bio)指示直流电源9V湿度传感器电桥测湿电路框图第40页/共54页第四十一页，共54页。100k传感器湿度(shd)3AX3 210k100k63DG62k2k2.2k9V10F10F20F10F20F3k2U10F51k51k100mA便携式湿度计的实

34、际便携式湿度计的实际(shj)电路电路 第41页/共54页第四十二页，共54页。2 2欧姆定律电路欧姆定律电路(dinl)(dinl) 此电路此电路(dinl)(dinl)适用于可以流经较大电流的陶瓷湿度传感器。由于测湿电路适用于可以流经较大电流的陶瓷湿度传感器。由于测湿电路(dinl)(dinl)可以获得较强信号，故可以省去电桥和放大器，可以用市电作为电源，只要用降压变压器即可。其电路可以获得较强信号，故可以省去电桥和放大器，可以用市电作为电源，只要用降压变压器即可。其电路(dinl)(dinl)图如图。图如图。 欧姆定律电路(dinl)220V22k51k3V2AP94输入(shr)Rd插

35、口0.05F2第42页/共54页第四十三页，共54页。3 3带温度补偿的湿度测量电路带温度补偿的湿度测量电路 在实际应用中，需要同时考虑对湿度传感器进行线性处理和温度补偿，常常采用运算放大器构成湿度测量电路。下图为湿度测量电路中在实际应用中，需要同时考虑对湿度传感器进行线性处理和温度补偿，常常采用运算放大器构成湿度测量电路。下图为湿度测量电路中RtRt是热敏电阻器是热敏电阻器(20k(20k，B=4100K)B=4100K)；RHRH为为H204CH204C湿度传感器，运算放大器型号为湿度传感器，运算放大器型号为LM2904LM2904。该电路的湿度电压特性及温度特性表明：在。该电路的湿度电压

36、特性及温度特性表明：在(30(309090)RH)RH、15153535范围范围(fnwi)(fnwi)内，输出电压表示的湿度误差不超过内，输出电压表示的湿度误差不超过3 3RHRH。 _+_+1V120HZ51k91k22k91kRH+12V-12VD20F47k100k100k330kUOUT-VSRtA2A1第43页/共54页第四十四页，共54页。9.3 色色 敏敏 传传 感感 器器 半导体色敏传感器的基本原理半导体色敏传感器的基本原理 半导体色敏传感器相当于两只结构不同的光电二极管的组合(zh)， 故又称光电双结二极管，其结构原理及等效电路如图9-17所示。图 9-17 半导体色敏传感

37、器结构(jigu)和等效电路图 电极1 电极2PPNSiO2电极3123第44页/共54页第四十五页，共54页。 1. 光电二极管的工作光电二极管的工作(gngzu)原理原理图9-18 光照(gungzho)下的PN结（a） 光生电子和空穴的运动， 光电流产生； （b）外电路开路，光生电压出现 第45页/共54页第四十六页，共54页。图9-19 吸收系数随波长(bchng)的变化 0.2 0.4 0.6 0.81.2 1.4 1.61.8102101101102330 K77 K1061051041031021011波长 / m穿透深度(1 / ) /m吸收系数 / cm1103SiGeGaA

38、s 光在半导体中传播时的衰减是由于价带电子吸收光子而从价带跃迁到导带的结果，这种吸收光子的过程称为本征吸收。由图可见，在红外部分吸收系数小，紫外部分吸收系数大。这就表明， 波长(bchng)短的光子衰减快，穿透深度较浅，而波长(bchng)长的光子则能进入硅的较深区域。 第46页/共54页第四十七页，共54页。图9-20 量子效率(xio l)随波长的变化 0.40.60.81.0 / m00.20.40.60.8量子效率xj2 mxj1 mxj0.5 m 对于(duy)光电器件而言，还常用量子效率来表征光生电子流与入射光子流的比值大小。其物理意义是指单位时间内每入射一个光子所引起的流动电子数

39、。 图中xj即表示结深。浅的PN结有较好的蓝紫光灵敏度，深的PN结则有利于红外灵敏度的提高， 半导体色敏器件正是利用了这一特性。 第47页/共54页第四十八页，共54页。图9-21 硅色敏管中VD和VD的光谱(gungp)响应曲线 020406080100VD1VD20.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 / m相对响应 / (%)浅结二极管是PN结对紫外光灵敏度高,深结二极管是PN结对红外光灵敏度高测定不同波长的光照射下短路电流的比值ISD2/ISD1ISD1是浅结二极管的短路电流，它在短波区较大；ISD2是深结二极管的短路电流，它在长波区较大，因而二者的比值与入射单色光波长的关系就可以确定。根据(gnj)标定的曲线，实测出某一单色光时的