931双极型功率晶体管BJTppt课件

1、上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础9.3.1 双极型功率晶体管双极型功率晶体管BJT 1. 功率管的选择功率管的选择 (1) PCM0.2Pom (2) |U(BR)CEO|2VCC(3) ICMVCC/RC9.3 功率器件与散热功率器件与散热在互补推挽功率放大电路中在互补推挽功率放大电路中, ,功率管的极限参数功率管的极限参数应满足以下关系应满足以下关系上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础2二次击穿的影响二次击穿的影响 iCuCEOBA二次击穿二次击穿一次击穿一次击穿S/B曲线曲线二次击穿景象二次击穿景象二次击穿临界曲线二次击穿临界曲线iCuCEO上

2、页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础1. V型型NMOS管的构造管的构造 构造剖面图构造剖面图9.3.2 功率功率MOSFET s s 源极源极 g 栅极栅极 金属金属 源极源极S i O2沟道沟道沟道沟道外延层外延层衬底衬底d 漏极漏极_ _N +PPNN +N +上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础2. V型型NMOS管的主要特点管的主要特点(1) 开关速度高开关速度高 (2) 驱动电流小驱动电流小 (3) 过载才干强过载才干强 (4) 易于并联易于并联 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础IGBT等等效电路效电路dT1gsRT2I

3、GBT电电路符号路符号gsdT9.3.3 绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管IGBT上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(IGBT)的主要特点：的主要特点：(1) 输入阻抗高输入阻抗高(2) 任务速度快任务速度快(3) 通态电阻低通态电阻低(4) 阻断电阻高阻断电阻高(5) 接受电流大接受电流大兼顾了兼顾了MOSFETMOSFET和和BJTBJT的优的优点，成为当前功率半导体点，成为当前功率半导体器件开展的重要方向。器件开展的重要方向。上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础外壳外壳c c集电结集电结j j散

4、热器散热器s sR( t h ) j cR( t h ) c sR( t h ) s a环境环境a a9.3.4 功率器件的散热功率器件的散热晶体管的散热表示图晶体管的散热表示图上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础导电回路电路导电回路电路散热回路热路散热回路热路参参 量量 符符 号号 单单 位位参参 量量符符 号号 单位单位电电 压压UV温温 差差ToC电电 流流IA最大允最大允许功耗许功耗PCMW电电 阻阻R热热 阻阻RToC/W 功率器件的散热分析方法功率器件的散热分析方法导电回路和散热回路参数对照表导电回路和散热回路参数对照表电电热模拟法热模拟法, ,即用电路来模拟功率器件的散热即用电路来模拟功率器件的散热回路。回路。上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础Tj集电结的结温集电结的结温Tc 功率管的壳温功率管的壳温Ts 散热器温度散热器温度Ta 环境温度环境温度Rjc 集电结到管壳的热阻集电结到管壳的热阻Rcs 管壳至散热片的热阻管壳至散热片的热阻Rsa 散热片至环境的热阻散热片至环境的热阻散热等效热路散热等效热路TjTcTsTaRjcRcsRsajcsaPCM上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础散热回路的总