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1、n+n+p-衬底D+S-GBVGS+-耗尽层n-沟道多晶硅硅化合物(降低阻抗)源/漏栅氧化层DSGDSGGSDDSGNMOS增强型增强型NMOS耗尽型耗尽型PMOS增强型增强型B带衬底触点的带衬底触点的NMOSn+n+p+p+n+n+p+p+wLVDDRpsubsRnwellp-源n-源n+n+p+p+p+n+p-衬底RpsubsRnwellVDDn-阱开关金属1(VDD)p-阱p+栅衬底SiO2xoxVg+-tttVVV0(a) ID是VDS的函数。nMOS增强型晶体管: W = 100um, L = 20um 0.01.02.03.04.05.0VDS (V)12ID (mA)线性区饱和区

2、VGS = 5VVGS = 3VVGS = 4VVGS = 2VVGS = 1V VDS = VGS-VT平方关系0.01.02.03.0VGS (V)0.0100.020VTDI亚阈值电流(b) 是VGS的函数 (VDS=5V) 。DI栅漏源电流IdVds Vgs - Vtp-阱栅栅n+n+金属1金属3金属2过孔n+ (ND)耗尽层衬底 (NA)底墙电容边墙电容平板边缘3 m0.75 m1 m1.5 m2.5 m金属2金属1金属1低频高频低频高频dwL633323231325414241aout+晶体管GNDVDDaout阱结金属3金属2金属1多晶硅n扩散p扩散nMOSpMOS电气连接过孔VDDaVSSoutbVDDVSSN1(NAND)selectoutabN1(NAND)outabN1(NAND)outabselectaibiVSSm2(1位多路选择器)selectselectVDDVSSoiaibim2(1位多路选择器)selectselectVDDVSSoiaibim2(1位多路选择器)selectselectVDDVSSoiaibis

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