XRD测试课件(晶粒尺寸与点阵畸变)

1、1第四节第四节 XRD专题测试（三）专题测试（三）晶粒尺寸与点阵畸变测定晶粒尺寸与点阵畸变测定（精测宽度）（精测宽度）2晶粒尺寸和晶格畸变率是纳米粒子的重要物理参数晶粒尺寸和晶格畸变率是纳米粒子的重要物理参数 无畸变无畸变.足够大的晶粒组成的多晶试样，粉末衍射花足够大的晶粒组成的多晶试样，粉末衍射花样的谱线样的谱线 特别锋锐特别锋锐 . 但实际实验中但实际实验中 衍射线形增宽衍射线形增宽 纯的线形纯的线形形状和宽度形状和宽度是由试样的是由试样的平均晶粒尺寸平均晶粒尺寸或或尺尺寸分布寸分布，以及，以及晶体点阵中的主要缺陷晶体点阵中的主要缺陷所决定的。所决定的。 对纯衍射线形做适当的分析，对纯衍射

2、线形做适当的分析， 得到平均得到平均晶粒尺寸、晶粒尺寸、 晶粒尺寸的分布，以及点阵性质和尺度晶粒尺寸的分布，以及点阵性质和尺度等方面的信息。等方面的信息。 衍射理论预言X射线衍射线宽法是同时测定晶粒大小和射线衍射线宽法是同时测定晶粒大小和晶格畸变的最好方法。晶格畸变的最好方法。 原则上3 一、一、原理原理：利用：利用X射线测定晶粒尺寸与点射线测定晶粒尺寸与点阵畸变是利用阵畸变是利用X射线衍射线型的宽化来进射线衍射线型的宽化来进行的行的 （一）线形宽化种类。（一）线形宽化种类。 1仪器线形仪器线形g(x)与仪器宽度与仪器宽度b 2、物理线形、物理线形f(x)与物理宽化与物理宽化f 3、试样线形、

3、试样线形h(x) (实验线形）与实验宽度实验线形）与实验宽度B 4（一）线形宽化种类。（一）线形宽化种类。1仪器线形与仪器宽度仪器线形与仪器宽度仪器线形仪器线形g(x)，对应的仪器宽度，对应的仪器宽度b。产生原因产生原因: 由于由于X射线源有一定的大小宽度，接收狭缝，射线源有一定的大小宽度，接收狭缝，试样吸收、平板试样、垂直发散、调试样吸收、平板试样、垂直发散、调0等等误差存误差存在在，使得符合布拉格条件的衍射，使得符合布拉格条件的衍射不只有一个点、不只有一个点、一条线一条线对应一个对应一个20,而是使偏离而是使偏离20范围内仍有一范围内仍有一定的符合布拉格反射的，其衍射强度逐渐降低的定的符合

4、布拉格反射的，其衍射强度逐渐降低的衍射存在，这就衍射存在，这就形成了一定宽度的衍射峰形成了一定宽度的衍射峰. 这个峰即使无晶粒细化，无点阵畸变仍然存在，这个峰即使无晶粒细化，无点阵畸变仍然存在，称之为仪器线形称之为仪器线形g(x)，对应仪器宽度，对应仪器宽度b5 2、物理线形、物理线形f(x)与物理宽度与物理宽度f 物理宽化指物理宽化指晶粒细化晶粒细化或或点阵畸变点阵畸变引起的引起的宽化。宽化。6 3、试样线形、试样线形h(x) （实验线形）的宽度（实验线形）的宽度B由实验测得的衍射曲线经平滑、背底扣由实验测得的衍射曲线经平滑、背底扣除、吸收因子及罗伦兹因子校正、扣除除、吸收因子及罗伦兹因子校

5、正、扣除2射线后得出的衍射峰宽度为射线后得出的衍射峰宽度为B。包含。包含仪器宽度仪器宽度b和和物理宽度物理宽度f。 任何影响线形的因素迭加在一起，根据任何影响线形的因素迭加在一起，根据迭加定律，有卷积关系。迭加定律，有卷积关系。( )( ) ()h xg y f xy dy仪器线形仪器线形物理线形物理线形7 为了把为了把f(x)解出来，解出来， 即如何从即如何从B中扣除中扣除b？ 可用可用各种近似函数法各种近似函数法、傅氏分析法傅氏分析法、方差法方差法等等不同方法不同方法 其中近似函数法是把其中近似函数法是把h(f)、f(x)和和g(x)用某种具用某种具体的带有待定常数的函数代替体的带有待定常

6、数的函数代替,通过通过h(x)和和g(x)与已经获得的实验曲线拟合来确定其待定常与已经获得的实验曲线拟合来确定其待定常数代入方程，来近似地解出数代入方程，来近似地解出f(x)大小大小8 常见的峰形是常见的峰形是高斯峰形高斯峰形(Gaussian)或或柯西柯西(Cauchy)峰形峰形.函数式分别为函数式分别为:22( )( )k xGpIxIx e22( )( )/(1)CpIxIxk x( )( )( )( ) ()VCGCGI xI xIxIy Ix y dy沃伊特（沃伊特（Voigt ）近似函数）近似函数22k xe高斯函数高斯函数：2211k x柯西函数：柯西函数：9GaussianIm

7、axCauchyVoigtPearson峰半高宽10各种近似函数法简介各种近似函数法简介 1高斯近似函数积分宽度法高斯近似函数积分宽度法 令令h(x)、g(x)均为高斯函数，则均为高斯函数，则f(x)也一也一定是高斯函数，则有定是高斯函数，则有 如果通过实验测量，对形变样品和标准样品分如果通过实验测量，对形变样品和标准样品分别测到衍射线形别测到衍射线形h(x)、g(x)，经，经K1和和K2双线分双线分离后并计算出它们的积分宽度离后并计算出它们的积分宽度B、b以及半高以及半高宽宽2w(B)和和2w(b)，则由式，则由式(1)可求出物理宽度可求出物理宽度f222(1)fBb11 2柯西近似函数积分

8、宽度法柯西近似函数积分宽度法 令令h(x)、g(x)均为柯西函数，则均为柯西函数，则f(x)也一定也一定是柯西函数，则有是柯西函数，则有 3Voigt近似函数积分宽度法近似函数积分宽度法 设某设某 一一 柯西函数柯西函数Ic(x)及一高斯函数及一高斯函数Ig(x )，则两者卷积后的函数，则两者卷积后的函数Iv(x)就是一个就是一个Voigt函数函数 21 ()ffBb Bb12若都是高斯型的，则若都是高斯型的，则若都是柯西型的，则若都是柯西型的，则有柯西，亦有高斯型，则有柯西，亦有高斯型，则21 ()ffBb 222fBbfBb13（二）、线的宽度表示方法：（二）、线的宽度表示方法： 三种表示

9、方法：半高宽度法、积分宽度法、三种表示方法：半高宽度法、积分宽度法、方差法。方差法。1、半高宽度：线性在极大强度一半处（净、半高宽度：线性在极大强度一半处（净强度）的总宽度强度）的总宽度22B半高142、积分宽度法：背景以上线形的积分强度、积分宽度法：背景以上线形的积分强度除以峰值高度，除以峰值高度， 122PmaxIBIdII积分积分上式积分宽度在数学可上式积分宽度在数学可以等于高度等于峰值面以等于高度等于峰值面积与实际线形相等一个积与实际线形相等一个矩形的宽度。矩形的宽度。B22B15 3、方差法测宽度：线形均方标准偏差，、方差法测宽度：线形均方标准偏差，线形宽度方差定义为：线形宽度方差定

10、义为：22222(2 ) (2 )22(2 ) (2 )IdWId 质心和方差都有相加性的特点：所以实际测量质心质心和方差都有相加性的特点：所以实际测量质心和方差的计算采用下式：和方差的计算采用下式：2(2 )(2 )2(2 )(2 )II 222(2 )(2 )(2 )(2 )IWI 16方差法实验测定：n确定扫测衍射峰的范围，如49.550.5。n确定增量即交将扫测范围10分几等分测，n由起始角起测量，在几个位置测，并将测量结果列成表：17编编号号149.5249. 525n50.5 (2 )IIB)2(2I 2)2(2)2()2(22I 22(2 )(2 )2(2 )(2 )II 222

11、(2 )(2 )(2 )(2 )IWI18二、测定方法和计算公式二、测定方法和计算公式 当材料中的晶粒过细当材料中的晶粒过细(0.1）或点阵发生）或点阵发生畸变时，畸变时，X射线衍射线形会宽化，当求出射线衍射线形会宽化，当求出了线型的宽化度时，晶粒的大小及点阵畸了线型的宽化度时，晶粒的大小及点阵畸变问题可解决。变问题可解决。191、微晶大小的测定、微晶大小的测定 coshklhklKD垂直于（垂直于（hkl）晶面的平均）晶面的平均晶粒尺寸）晶粒尺寸） 形态常数、与线形、晶体外形、形态常数、与线形、晶体外形、晶面有关，如立方体晶面有关，如立方体0.94、四面、四面体体0.89、球形、球形1等，一

12、般忽略外形，等，一般忽略外形，积分宽度积分宽度K=1，半高宽取，半高宽取0.9为晶粒细化引起的峰为晶粒细化引起的峰形宽度（弧度）形宽度（弧度）衍射峰位的布拉格角衍射峰位的布拉格角如果衍射峰宽化仅由如果衍射峰宽化仅由晶粒细化晶粒细化造成，且晶粒均造成，且晶粒均匀，则可导出谢乐（匀，则可导出谢乐（Scherrer）方程，即）方程，即衍射峰的物理半高宽衍射峰的物理半高宽是晶体大小是晶体大小(D)的函数，随着的函数，随着晶体大小（晶体大小（D）的增大，衍射峰的半高宽）的增大，衍射峰的半高宽变小，反变小，反之则变大。之则变大。202、点阵畸变测定的原理和计算公式、点阵畸变测定的原理和计算公式 晶体中由于

13、受到微观应力的作用会使点阵晶体中由于受到微观应力的作用会使点阵发生畸变，表现出发生畸变，表现出X射线衍射线形宽化，射线衍射线形宽化，因此求出了线型的宽化与微观应力之间的因此求出了线型的宽化与微观应力之间的关系，点阵的畸变量就可求出。关系，点阵的畸变量就可求出。21分析微观应力的存在对倒易点阵的影响分析微观应力的存在对倒易点阵的影响由于应力的作用使晶面间距变化由于应力的作用使晶面间距变化d、d/d即为点阵畸变量。即为点阵畸变量。 d0无应力的无应力的dd0d0010000100ddddd倒易点阵倒易点阵22 若无应力时面间距与倒矢分别为若无应力时面间距与倒矢分别为d0和和R0* ,有应力时面间距

14、与倒矢分别为有应力时面间距与倒矢分别为d和和R*,则上图沿则上图沿c*方向有方向有 000000011111d dRRRdddddddddd点阵畸变量,即应变0,dEEd由于故微观应力23 又又 在应力作用下在应力作用下,某晶粒的某衍射线位移某晶粒的某衍射线位移,则则其各级衍射线都位移其各级衍射线都位移, 即在应力作用下即在应力作用下,同同一组面网的各级衍射都会有相同的宽化现一组面网的各级衍射都会有相同的宽化现象象,且根据不同级计算的畸变量或应力相同。且根据不同级计算的畸变量或应力相同。00300200132ddd0030020013121RRR24计算公式：计算公式： 某一组面网间距为某一组

15、面网间距为d0的面网，受应力作用后使面的面网，受应力作用后使面间距对间距对d0有偏离，这种偏离与衍射线形相对应。有偏离，这种偏离与衍射线形相对应。讨论微观应力平均值与线宽的对应关系。讨论微观应力平均值与线宽的对应关系。 d1，d2分别对应分别对应21，22，平均应力，平均应力对应的平对应的平均应变均应变200122222dd0d1d2=4，单位化为弧度单位化为弧度20212220414dctgctgdEEctg 平平平均若平均应力与方向无关，若平均应力与方向无关，去掉负号去掉负号2504dctgctgd 平平4dtgd平均点阵畸变宽化公式点阵畸变宽化公式d/d为垂直于（为垂直于（hkl）晶）晶

16、面的平均畸变。面的平均畸变。263、微晶宽化与点阵畸变宽化的区分：、微晶宽化与点阵畸变宽化的区分： 分析计算公式分析计算公式 cosKD平coskD4dctgd平4dtgd点阵畸变点阵畸变 微晶引起的宽化与畸变引起的宽化遵循不同的规律，微晶引起的宽化与畸变引起的宽化遵循不同的规律，即微晶宽化与即微晶宽化与sec和和成正比，成正比，而畸变引起的宽化与而畸变引起的宽化与tg成正比成正比，所以可以由两种，所以可以由两种方法来区分宽化是由何种因素引起。方法来区分宽化是由何种因素引起。微晶尺寸微晶尺寸27 用不同波长的幅射进行测试，如果衍射用不同波长的幅射进行测试，如果衍射线宽线宽随波长而改变，随波长而

17、改变， 则宽化由则宽化由微晶引起，反之由微观应力引起。微晶引起，反之由微观应力引起。coskD28 若若 为常数，微晶宽化。为常数，微晶宽化。（同一面网）（同一面网） 若若 为常数（畸变）或为常数（畸变）或 为为常数（应力），则宽化由畸变、微观应力常数（应力），则宽化由畸变、微观应力引起。（不必同一面网）引起。（不必同一面网）coskDctgctgE4dctgd平对所研究试样对所研究试样利用不同衍射级（不同衍射角）利用不同衍射级（不同衍射角）的衍射线宽，观察各衍射线宽的衍射线宽，观察各衍射线宽随随角的变化规律，角的变化规律，即晶粒或畸变为常数（同一波长衍射）即晶粒或畸变为常数（同一波长衍射）2

18、9例例 铜锉屑的物理线宽（电解铜粉）铜锉屑的物理线宽（电解铜粉）基基本本相相同同hkl(mm) cosctgEhklEctg1110.1851.590.722200.4437.10.350.581.240.732000.4225.20.380.890.780.693110.7645.00.540.761.020.782220.4747.60.320.431.590.68由微观应力引起的宽化由微观应力引起的宽化 304、晶粒大小与点阵畸变同时测定、晶粒大小与点阵畸变同时测定 如果试样中同时存在着如果试样中同时存在着微晶宽化微晶宽化和和应力宽应力宽化化，则问题较复杂，需要对两

19、种宽化效应，则问题较复杂，需要对两种宽化效应进行分离，可采用付立叶变换法、峰形方进行分离，可采用付立叶变换法、峰形方差法、近似函数法等。差法、近似函数法等。31 试样中同时存在着微晶与微观应力时，其物试样中同时存在着微晶与微观应力时，其物理线形理线形f(x)应是应是微晶线型微晶线型c(x)与与点阵畸变线型点阵畸变线型S（x）的卷积）的卷积， 即上述卷积方程不能用付式变换解，因同时即上述卷积方程不能用付式变换解，因同时存在时，存在时，c(x)和和S(x)不能单独测出，付式系不能单独测出，付式系数无法求，故分离只能用数无法求，故分离只能用Hall法或方差法。法或方差法。( )( ) ()f xc

20、y S xy dy32微晶线型微晶线型C(x)畸变线型畸变线型S(x)宽度之间的关宽度之间的关系：系：1柯柯西西柯柯西西2高高斯斯高高斯斯3柯柯西西高高斯斯221112221122111221e 222e 222e fcs222scf21fsfc33主要介绍近似函数法主要介绍近似函数法 全柯型（全柯型（Hall法，法，Edwin H., 1855-1938, 美国美国物理学家）物理学家） 14ffcs cosdSinDd平均fcos Sin平均dd4可根据同一面网的各级衍射线求出可根据同一面网的各级衍射线求出f 以以对对所得直线之截距的倒数为所得直线之截距的倒数为D（分离畸变后的晶粒大小）（分

21、离畸变后的晶粒大小）（晶格畸变的百分数）（晶格畸变的百分数）作图作图斜率斜率为为 DcosKc 4sdtgdbq骣 D=桫平均342全高型：全高型：dd2222222222cos116ffcsdSinDd平作图，根据截距求作图，根据截距求D，斜率求，斜率求 DcosKc4sdtgdbq骣 D=桫平均353柯柯-高型：高型： 22tgfSintgfdd用同一面式的各级衍射线以用同一面式的各级衍射线以对对作图（或最小二乘法线性回归），斜率求作图（或最小二乘法线性回归），斜率求D，纵坐标截距求纵坐标截距求2222116ffcsffdtgD tgSind 36方差分解法：方差分解法：Dcos2KW2c

22、2224sWtgeded 2畸变量,e畸变均方差2224f2KWtge2 DcoslqqqD=+狁物理方差物理方差 畸变方差为畸变方差为微晶线形方差一般近似为微晶线形方差一般近似为 设真实物理线形设真实物理线形f(x)、微晶线型、微晶线型c(x)和畸变线和畸变线型型S（x）的方差分别为：）的方差分别为：W(f)、Wc、 Ws则则fcsWWW372214222fhklWcosSin tgeD 整理得整理得利用同辐射，不同衍射级的衍射线或不同辐射的利用同辐射，不同衍射级的衍射线或不同辐射的同一条衍射线所测得的数据，作图，则由纵坐标同一条衍射线所测得的数据，作图，则由纵坐标截距可求微晶大小，斜率可求

23、畸变量。截距可求微晶大小，斜率可求畸变量。38四、实验方法：四、实验方法： 如何获得物理宽度？如何获得物理宽度？测宽度测宽度仪器宽度仪器宽度实验宽度实验宽度求物理宽度求物理宽度（1）近似函数法）近似函数法（2）方差法）方差法（3）付式变换）付式变换391、测仪器宽度、测仪器宽度b 用无物理宽化的标准物质，即用无物理宽化的标准物质，即大晶粒（大晶粒（10-5 cm以上）完整晶体以上）完整晶体（相对而言）。（相对而言）。一般用待一般用待测物的纯相，测物的纯相，例如要测掺杂例如要测掺杂-C2S时畸变，时畸变，用经长时间保温煅烧的用经长时间保温煅烧的-C2S作标准。测所作标准。测所选衍射峰。选衍射峰。

24、 如无待测物的纯相，可用其它物相作标样，如无待测物的纯相，可用其它物相作标样，但应作适当范围的衍射峰，以便作仪器宽度但应作适当范围的衍射峰，以便作仪器宽度b2曲线，在曲线上查找出待测物所需的仪曲线，在曲线上查找出待测物所需的仪器宽度器宽度b。40 2、测待测试样的宽度、测待测试样的宽度B实验宽度（用实验宽度（用同样实验条件测）同样实验条件测） 数目数目：解方程求选二个峰即可，作图或最：解方程求选二个峰即可，作图或最小二乘法可选多个峰。小二乘法可选多个峰。 选峰选峰：所选峰与测仪器宽度：所选峰与测仪器宽度(B)时相同或相时相同或相近，近， 最好选同一组面网反射的各级衍射线，最好选同一组面网反射的

25、各级衍射线，立立方晶系可任选。如方晶系可任选。如111，222，333。41423、测线型宽度应注意的问题：、测线型宽度应注意的问题： 、所有线型测宽度的方法应一致，如半、所有线型测宽度的方法应一致，如半高宽或积分宽度或方差宽度，都用同一种。高宽或积分宽度或方差宽度，都用同一种。 、所有线型应属同种射线所产生的峰，、所有线型应属同种射线所产生的峰，一般要求可用一般要求可用K线（低角度）线（低角度）,要求较高要求较高可用可用K1线，这时要进行双峰分离线，这时要进行双峰分离.434、求物理宽度。、求物理宽度。近似函数法：近似函数法： 根据试样线型、物理线型、仪器线型、卷根据试样线型、物理线型、仪器

26、线型、卷积函数的关系，即积函数的关系，即 全柯型全柯型 全高型全高型 柯高型柯高型 bBf222bBf220ffBb44轻烧轻烧MgO晶格畸度与晶粒大小测定晶格畸度与晶粒大小测定峰位()峰宽（半高, ）扣除仪器宽度峰宽（积分宽度）尺寸（仅大小）(半高法）36.9030.2710.28330542.8730.3220.38626262.2680.3530.423260。46用近似函数法用近似函数法 柯柯高法高法 其中其中=1.5406 ，K=1 令令 22216Ktg SintgD,4aybxaDb根据上述积分宽度列表：用最小二乘回归分析根据上述积分宽度列表：用最小二乘回归分析 10-3tgsi

27、n10-44.939336.90318.451 0.333645 0.3165 2.19160.0467746.737342.87321.4360.39260.3655 2.94460.0679497.38362.26831.1340.604050.5170 1.49390.0236422tgSintg482222116ffcsffdtgD tgSind 22tgSintg以为纵坐标，以为纵坐标，以为横坐标为横坐标,4aybxaDb作图作图490.020.030.040.050.060.070.000140.000160.000180.000200.000220.000240.000260.0

28、00280.00030Y Axis TitleX Axis Title22tgSintg57.01845 10ab= 0.00327 0471DAb57.01845 100.0020944a50第四节第四节 XRD专题测试（四）专题测试（四）聚合物或微晶物质结晶度的测量聚合物或微晶物质结晶度的测量51一、结晶度的定义：一、结晶度的定义： 物质中结晶部分所占总量的质量分数。物质中结晶部分所占总量的质量分数。设结晶部分的质量为设结晶部分的质量为MC，非晶部分的质量，非晶部分的质量为为MA，则，则结晶度结晶度XC为为100%100%(1)CCCAMXMM结晶部分质量结晶部分质量非晶部分质量52二、结

29、晶度的计算公式：二、结晶度的计算公式： 结晶度的测定有结晶度的测定有DSC测定法、密度测定法、测定法、密度测定法、X-射线衍射法、红外测定法等射线衍射法、红外测定法等. DSC测定法测定法 Xcd d= =Hm/H0m 式中式中: Hm, H0m分别为试样的熔融热分别为试样的熔融热和完全结晶试样的熔融热。和完全结晶试样的熔融热。密度测定法密度测定法 Xcg=c c (-a)/ *(c-a) 式中式中, , a, c分别为样品、非晶体、晶体分别为样品、非晶体、晶体的密度的密度.53 X射线衍射方法射线衍射方法是一种简单、可靠的测定是一种简单、可靠的测定方法方法,而且其值而且其值Xc也较准确反映结

30、晶态占的也较准确反映结晶态占的比率比率 这类物质的这类物质的X射线散射强度是结晶物质和射线散射强度是结晶物质和非晶物质散射的共同贡献：非晶物质散射的共同贡献： 因晶态部分与非晶部分的散射强度比正比因晶态部分与非晶部分的散射强度比正比于两部分的质量比。于两部分的质量比。 即：即： (2)CAIII总(3)CCAAIMKIM54 （3）代入（）代入（1）有）有 K晶态部分与非晶态部分单位质量的相对散晶态部分与非晶态部分单位质量的相对散射系数。射系数。 Ic晶态部分的散射强度晶态部分的散射强度 IA非晶部分的散射强度非晶部分的散射强度ACCCKIIIX(4)AAACACAMKIXMMIKI1ACXX

31、实际上实际上K值一般在值一般在10.1之间。（经验测定）之间。（经验测定）55三、实验方法：三、实验方法： 无标准样品的情况无标准样品的情况 计算机分峰法：计算机分峰法： 对结晶峰多而复杂的样品，宜采用在衍射对结晶峰多而复杂的样品，宜采用在衍射图上将结晶峰与非晶峰分离的办法，非晶图上将结晶峰与非晶峰分离的办法，非晶峰弥散而对称，可示具体情况分离，峰弥散而对称，可示具体情况分离， 在衍射花样的角范围内，如果低角度一侧在衍射花样的角范围内，如果低角度一侧的半个非晶态衍射峰不受其它干扰，则可的半个非晶态衍射峰不受其它干扰，则可根据衍射峰对称的原理把非晶峰从总的衍根据衍射峰对称的原理把非晶峰从总的衍射

32、曲线中分离出来。射曲线中分离出来。 56水化硅酸钙结晶度的水化硅酸钙结晶度的XRD方法方法 从结晶度的定义出发从结晶度的定义出发,我们发现我们发现,其水化硅酸钙的其水化硅酸钙的特征衍射峰呈现规律性变化。当试样完全为非晶特征衍射峰呈现规律性变化。当试样完全为非晶态时态时,在在2=29.1(CuK)处出现一个漫散射的衍处出现一个漫散射的衍射峰射峰(见图见图1),而当而当形成部分结晶时形成部分结晶时,其其2=31.5处处的结晶峰随的结晶峰随29.1处的非晶峰降低而升高处的非晶峰降低而升高,其半结其半结晶试样衍射图见图晶试样衍射图见图2。57 我们将我们将31.5处的衍射强度处的衍射强度Ic代表结晶部

33、分的衍代表结晶部分的衍射强度射强度.将将29. 1( CuKa)衍射强度代表非晶部分衍射强度代表非晶部分的衍射强度的衍射强度Ia,。这样可以得到。这样可以得到一个简单的水化一个简单的水化硅酸钙的结晶度定量公式硅酸钙的结晶度定量公式: Xc%=Ic/(Ic+Ia) 100% 式中式中Xc%为结晶度的百分含量。为结晶度的百分含量。58第四节第四节 XRD专题测试（五）专题测试（五）择优取向的测定与薄膜厚度测量择优取向的测定与薄膜厚度测量59一、择优取向的测定：（结构、取向度）一、择优取向的测定：（结构、取向度） （一）、含义：在多晶试样中，如果各晶（一）、含义：在多晶试样中，如果各晶粒在空间的排列

34、是完全无序的，各方向分粒在空间的排列是完全无序的，各方向分布相同，所得衍射强度接近理论值，即相布相同，所得衍射强度接近理论值，即相对强度与对强度与JCPDS（PDF）卡相同，若某些）卡相同，若某些晶面的取向有一定规律，如平行于某一方晶面的取向有一定规律，如平行于某一方向排列，则衍射强度偏离理论值，这种现向排列，则衍射强度偏离理论值，这种现象叫择优取向。象叫择优取向。60 （二）、意义：晶粒的择优取向在某些材（二）、意义：晶粒的择优取向在某些材料中是很有意义的。如金属中的拉丝、轧料中是很有意义的。如金属中的拉丝、轧板、退火、再结晶、铸造、镀膜等，热压板、退火、再结晶、铸造、镀膜等，热压烧结的陶瓷

35、岩石形成及一些高聚物的晶粒烧结的陶瓷岩石形成及一些高聚物的晶粒（长链分子）往往有意的让其定向排列，（长链分子）往往有意的让其定向排列，以增强其性能，这时需要了解晶面定向排以增强其性能，这时需要了解晶面定向排列择优取向的程度或称取向度。列择优取向的程度或称取向度。61 （三）、取向度测定：（三）、取向度测定： 1、定义：晶体某组晶面择优取向的程度。、定义：晶体某组晶面择优取向的程度。 2、方法：、方法： （1）折合强度法）折合强度法 定义：定义：取向度取向度指晶体中某组晶面衍射线的折指晶体中某组晶面衍射线的折合强度与最强衍射线折合强度的比值合强度与最强衍射线折合强度的比值F最强衍射线折合强度某衍射线折合强度F0h k lh k lIII测卡片折合强度实验测得的某衍射线强度除以实验测得的某衍射线强度除以JCPDS卡片所载的卡片所载的该线相对强度该线相对强度0II62 由折合强度的定义可知，若所有衍射线的由折合强度