三极管单结晶体管电解电容器双向晶闸管的管脚判断原理

1、Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。三极管，单结晶体管，电解电容器，双向晶闸管的管脚判断，原理三极管，单结晶体管，电解电容器，双向晶闸管的管脚判断，原理 三极管： (1).判断三极管基极 由于基极与发射极，基极与集电极之间分别是两个PN结，它们之间反向电阻都很大。正向电阻都很小， 步骤：b极判别：先将任一表笔接到某一个认定的管脚上，如果测量得的阻值若一大一小，则可知它不是基极。都很大（或很小），再对换表笔，重复上述测量时，阻值恰与上述相反，都很小（或很大）。则可断定所认定的管脚为基极。若不符合上述结

2、果，应另换一个认定管脚重新测量。直至符合。 （2）PNP、NPN判别： 测量时注意极性（管脚和表笔），当黑表笔接在基极，红表笔接在其它两极时，测得的电阻值都较小，则可判定该三极管为NPN型，反之，当红表笔接在基极，黑表笔接到其它两极时，测得的电阻值较小由可判定该三极管的PNP型。 （3）判断集电极和发射极： 基本原理：把三极管接成基本单管放大电路，利用测量管子的电流放大系数的大小来判断集电极和发射极。 （4）好坏： 如果三极管两个PN结正向电阻与反向电阻都很大（开路）或都很小（短路）则说明三极管已经损坏。 NPN型:

3、0;将黑表笔接于一个待测的管脚，红表笔接另一个管脚，基极悬空，然后将黑表笔所接管脚与基极用手捏住（注意不能使其相碰，这时在黑表笔与基极间串入人体电阻），表针会有一个偏转角（1）。接着，更换黑红表笔，重复上述过程。记录偏转角变化，对于偏转角大者，则其黑表笔所接管脚便为集电极，红表笔所接管脚为发射极。 PNP型： 与NPN型三极管判断c、e极原理一样，不同的是行后两次都用手捏住，经表笔与基极，观察表针偏转情况。指针偏转角的大小一次红表笔所接管脚为集电极，黑表笔所接管脚为发射极。 可控硅管脚、好坏、触发能力判别： 晶闸管有三个电极，即阳极、阴极和控制极。用万用

4、表测量极间电阻的方法可以判断其好坏，触发能力及管脚。(1)好坏判别： R×100档，测量晶闸管阳极与阴极间正反向电阻值，正常晶闸管正反向电阻值都应在几百千欧以上，若只有几欧或几十欧姆，则说明晶闸管已短路损坏。  R×10档或R×1位置。控制极与阴极间的正向电阻应很小（几十欧姆），反向电阻应很大（几十至几百千欧），但有时由于控制极PN结特性并不太理想，反向不完全呈阻断状态，故有时测得的反向电阻不是太大（几K或几十K）这并不能说明控制极特性不好。测试时，如果控制极与阴极间的正反向电阻都很小（接近零）或极大，说明晶闸管已损坏。 (

5、2)管脚判别：对于晶闸管，只有控制极与阴极之间是一个PN结，具有正向导通，反向阻断特性。利用这个特性，将用万用表转换开关置于R×1K档，任意测量两个管脚的正反向电阻，当有两个管脚之间的电阻很小时，黑表笔所接管脚便为控制极，红表笔所接管脚为阴阳极，剩下的一个管脚便是阳极。(3)触发能力：将万用表量程拨至R×1档，将黑表笔接阳极，红表笔接阴极，记下表针位置。然后用一导线或通过开关，将晶闸管阳极与控制极短路一下（这相当于给控制极加上控制电压）晶闸管导通，表针读数为几-几十欧。 再把导线断开，若读数不变，说明晶闸管良好。本法仅适用于小容量晶闸管，对于中容量和大容量晶闸管可

6、在万用表R×1档上，再串联一两节能1.5V电池测试。 单结晶体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图。       判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。        单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。

7、       应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E-B1间的正向电阻值较小。不过准确地判断哪极是B1，哪极是B2在实际使用中并不特别重要。即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。（单结晶体管是在一块高电阻率的N型硅半导体基片上引出两个欧姆接触的电极作为两个基极b1和b2，b1和b2之间的电阻就是硅片本身的电阻，正反向电阻相同约为3-10K） b1、b

8、2极：测量发射极与某一基极间的正向电阻，阻值较大的为b1，阻值较小的为b2。思考题：如何用万用表辨别单结晶体管和普通晶体三极管（NPN）？ 单结晶体管不但外形与普通三极管相似，而且与NPN三极管测量时也有相似之处，单晶体管（双基二极管）的发射极e对两个基极b1b2均呈现PN结的正向特性。正小反大，与普通NPN型晶体管特性一样，利用单晶管的b1与b2之间没有PN结的特性，可以与普通NPN管相区别。b1与b2间正反向电阻都一样约为3-10K，而NPN型晶体管的集电极与发射极之间是一个正向PN结和一个反向PN结串联，用万用表测量时正反向阻值都很大。二.电解电容器的检测1.因为电解电容的容量

9、较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，147F间的电容，可用R×1k挡测量，大于47F的电容可用R×100挡测量。2.将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百k以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿

10、损坏，不能再使用。3.对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。二极管、二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反1、稳压二极管的稳压原理：

11、稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。七、晶体三极管晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。 1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中

12、的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、 9013、9012等型号。双向可控硅普通晶闸管(VS)实质上属于直流控制器件。要控制交流负载，必须将两只晶闸管反极性并联，让每只SCR控制一个半波，为此需两套独立的触发电路，使用不够方便。双向晶闸管是在普通晶闸管的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的晶闸管，而且仅需一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。双向晶闸管工作原理:双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联

13、的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。主电极的构造是对称的（都从N层引出）它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极把与控制极相近的叫做第一电极A1，另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止的采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。下面讲一下可控硅的工作原理：1、可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它

14、有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。  2、 工作原理       可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示         当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG

15、2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=1ib1=12ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。      由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。由于可控硅只有导通和关断

16、两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1 可控硅的基本伏安特性见图2  图2 可控硅基本伏安特性（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向  （2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，

17、也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压  图4 阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下

18、降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态-通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，见图2中的BC段2、 触发导通  双向晶闸管是由N-P-N-P-N五层半导体材料制成的，对外也引出三个电极，其结构如图所示。双向晶闸管相当于两个单向晶闸管的反向并联，但只有一个控制极。双向晶闸管与单向晶闸管一样，也具有触发控制特性。不过，它的触发控制特性与单向晶闸管有很大的不同，这就是无论在阳极和阴极间接人何种极性的电压，只要在它的控制极上加上一个触发脉冲，也不管这个脉冲是什么极性的,都可以便双向晶闸管导通。&#

19、160; 由于双向晶闸管在阳、阴极间接任何极性的工作电压都可以实现触发控制，因此双向晶闸管的主电极也就没有阳极、阴极之分，通常把这两个主电极称为T1电极和T2电极，将接在P型半导体材料上的主电极称为T1电极，将接在N型半导体材料上的电极称为T2电极。由于双向晶闸管的两个主电极没有正负之分，所以它的参数中也就没有正向峰值电压与反同峰值电压之分，而只用一个最大峰值电压，双向晶闸管的其他参数则和单向晶闸管相同。双向晶闸管的伏安特性曲线具有对称性，如图所示。双向晶闸管的结构及电路双向品闸管的伏安特性曲线由于双向晶闸管正、反特性具有对称性，所以它可在任何一个方向导通，是一种理想的交流开关器件。

20、双向晶闸管的符号,原理,特点及用途双向晶闸管是一种在主特性的第一和第三象限内具有基本相同转换性能的三端晶闸管。它实质上是两个逆阻晶闸管的反并联。双向晶闸管的特点是正、反向输出特性近乎理想的匹配，并且仅利用一个门极即可实现正、反向开通的控制。在交流电路中，用双向晶闸管代替一组反并联的逆阻晶闸管，简化了线路，减小了装置的体积和重量，节省了投资。因而它是交流功率控制电路中较理想的器件。双向晶闸管有3个引出电极，分别用阳极(A)、阴极(K)、门极(G)表示。它的符号和伏安特性分别如图1、图2所示。工作时，器件的阳极和阴极间加正(负)压，若门极无电压，只要阳极电压低于转折电压，器件就不会导通，处于阻断状

21、态；若门极加一定的正（负）压，则双向晶闸管在阳极和阴极间电压小于转折电压时被门极触发导通。双向晶闸管的稳态特性与由相应的两个逆阻晶闸管组成的反并联电路的稳态特性相比，只有很小的区别。但在动态特性上则不完全一样，这是因为两只反并联晶闸管集成在同一硅片上，在电流换流时，由于载流子的横向扩散，可能导致反向触发。一般在两晶闸管间掺入深能级杂质或用电子辐照以形成隔离区，减少载流子的横向扩散。双向晶闸管的换流能力用换向电压临界上升率和换向电流临界下降率来表示。前者指器件电流改变方向之前所允许的阳极最大电流下降速率；后者指器件电流改变方向之后，器件阳极电压升高速率。不满足这些条件时，器件换向后就失控了。双向晶闸管是为了实现交流功率控制而开发的。它的发展方向是高压，大电流。大功率双