第二章逻辑门电路Z3新

1、第第二章二章 逻辑门电路逻辑门电路学会逻辑电路逻辑功能分析学会逻辑电路逻辑功能分析基本要求基本要求了解半导体器件的开关特性了解半导体器件的开关特性掌握基本逻辑门（与、或、与非、或非、掌握基本逻辑门（与、或、与非、或非、异或门）、三态门、异或门）、三态门、OCOC门的逻辑功能门的逻辑功能2-2二极管二极管和和三极管三极管的开关特性的开关特性2-3 基本逻辑门电路基本逻辑门电路2-4 三极管三极管三极管逻辑门电路三极管逻辑门电路（TTL）2-5 MOS逻辑门电路逻辑门电路小结小结2-1 概述概述第第二章二章 逻辑门电路逻辑门电路2-1 2-1 概述概述一、逻辑门电路：一、逻辑门电路：构成数字逻辑电

2、路的基本元件。构成数字逻辑电路的基本元件。 实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。门电路是用以实现逻辑关系的电子电路，门电路是用以实现逻辑关系的电子电路，与我们所讲过的基本逻辑关系相对应，门电与我们所讲过的基本逻辑关系相对应，门电路主要有：路主要有：与门与门、或门或门、与非门与非门、或非门或非门、异或门异或门等。等。在数字电路中，一般用高电平代表在数字电路中，一般用高电平代表1、低点平代表低点平代表0，即所谓的，即所谓的正逻辑系统正逻辑系统。二、逻辑门电路的分类：二、逻辑门电路的分类：二极管门电路二极管门电路三极管门电路三极管门电路TTLTTL门电

3、路门电路MOSMOS门电路门电路PMOSPMOS门门CMOSCMOS门门逻辑门逻辑门 电路电路分立分立集成集成NMOSNMOS门门TTL- TTL- 三极管三极管- -三极管三极管HTL HTL 高阈值高阈值ECL ECL 射极耦合射极耦合I I2 2L L 集成注入集成注入一、开关器件的工作状态一、开关器件的工作状态 ViVoKVccR100VVcc只要能判断高只要能判断高低电平即可低电平即可K开开-Vo=1, 输出高电平输出高电平K合合-Vo=0, 输出低电平输出低电平可用三极可用三极管代替管代替2-2二极管和三极管的开关特性二极管和三极管的开关特性(1)(1)截止条件及特点：截止条件及特

4、点：VFVth，ID=IDSS0 等效电阻很大，两端相当于开路，等效电阻很大，两端相当于开路，相当于开关断开。相当于开关断开。Si管管:Vth=0.50.6V Ge管管:Vth=0.20.3V (2)(2)导通条件及特点导通条件及特点: VFVth， VDVD+ 导通电阻导通电阻很小，两端相当于短路，很小，两端相当于短路，相当于开关闭合。相当于开关闭合。二、二极管的开关作用二、二极管的开关作用 所谓开关特性，是指器件从开通到关断，或从关所谓开关特性，是指器件从开通到关断，或从关断到开通的断到开通的。（即动态特性）（即动态特性）理想的开关特性是：状态的转换在瞬间完成。理想的开关特性是：状态的转换

5、在瞬间完成。二、二极管的开关特性二、二极管的开关特性 当脉冲信号的频率很高时，开关状态的变化速当脉冲信号的频率很高时，开关状态的变化速度很快，每秒可达百万次，这就要求器件的开关转度很快，每秒可达百万次，这就要求器件的开关转换速度要在微秒甚至纳秒内完成。换速度要在微秒甚至纳秒内完成。DRLivI+-tiIFOtiIF-IRO0.1IRtstt反向电流反向电流 IR=VR/RL存储时间存储时间 ts渡越时间渡越时间 tt反向恢复时间反向恢复时间 tre=ts+tt理想电流波形理想电流波形(1)(1)二极管从正向导通到反向截止的过程二极管从正向导通到反向截止的过程tvIVF-VROt1 二极管从截止

6、转为正向导通所需的时间称为二极管从截止转为正向导通所需的时间称为开通时间开通时间。即即:二极管的二极管的开关速度开关速度主要由主要由反向恢复反向恢复时间决定。时间决定。tre一般为一般为nS级级 与反向恢复时间相比很短，因为在正向偏置时，与反向恢复时间相比很短，因为在正向偏置时，势垒区迅速变窄，呈现低阻，正向电流几乎立即达到势垒区迅速变窄，呈现低阻，正向电流几乎立即达到VF/RL，对开关速度的影响很小，一般忽略不计，对开关速度的影响很小，一般忽略不计。返回返回(3)(3)二极管的开通时间二极管的开通时间截止状态截止状态cbe饱和状态饱和状态Vb=0.7v, Vc=0.3vebc 在数字电路中，

7、在数字电路中， BJT一般工作在开关状态，即一般工作在开关状态，即只有只有截止和饱和两种状态，分别相当于开关断开和闭合。截止和饱和两种状态，分别相当于开关断开和闭合。二、二、BJT的动态开关特性的动态开关特性tOvI+VB2-VB1tOiCICS0.1ICS0.9ICStrtdtstf 由于开通时间和关闭时间的存由于开通时间和关闭时间的存在在,使使BJT的开关速度受到限制。的开关速度受到限制。延迟时间延迟时间 td上升时间上升时间 tr存储时间存储时间 ts下降时间下降时间 tf开通时间开通时间ton关闭时间关闭时间toffBJT的的截止截止与与饱和饱和两种状态两种状态的相互转换，也需要一定时

8、的相互转换，也需要一定时间，即间，即BJT内部内部电荷的电荷的“建建立立”与与“消散消散” 所需的时所需的时间间。所以集电极电流和输出。所以集电极电流和输出电压的变化总是滞后于输入电压的变化总是滞后于输入电压的变化，导致上升沿和电压的变化，导致上升沿和下降沿变得缓慢。下降沿变得缓慢。返回返回VCCv vIi iCRbRcbecvoR1R2AF+uccuAtuFt+ucc0.3V三极管的开关特性：三极管的开关特性：二极管二极管“与与”门电门电路路非门电路非门电路BJTBJT反相器反相器二极管二极管“或或”门电路门电路门电路是用以实现逻辑关系的电子电路。与基本门电路是用以实现逻辑关系的电子电路。与

9、基本逻辑关系相对应的基本逻辑门电路有：逻辑关系相对应的基本逻辑门电路有：与门、或门、与门、或门、非门非门及及与非门、或非门、与或非门、异或门与非门、或非门、与或非门、异或门等。等。一、二级管一、二级管“与与”门门ABC&L=ABC 符号符号 +Vcc(5V) R3k W W LD1D2 D3 A B C ABCR+VCC (5V)L3V3V3V均导通均导通=3V+0.7V=3.7V限流电阻限流电阻规定规定3V为高电平，为高电平，0V为低电平，为低电平，D正向导正向导通压降为通压降为0.7V。1.1.输入均为高电平输入均为高电平优先导通并优先导通并箝位在箝位在0.7V受反压截止受反压截止

10、VCC (5V)ABCRL0V3V3V=0.7V 当输入均为高电平时，输出为高电平，否则当输入均为高电平时，输出为高电平，否则输出为低电平。输出为低电平。“有有0出出0，全，全1出出1” “与门与门”2.2.输入有低电平输入有低电平0V0V0V均截止均截止1.1.输入均为低电平输入均为低电平LABC=0VR二、或门电路二、或门电路输入均为低电平，输出就为低电平。输入均为低电平，输出就为低电平。3V0V0V导通导通=3-0.7=2.3V截止截止压降压降0.7VABCLR2.输入有高电平输入有高电平只要有一个输入为高电只要有一个输入为高电平，输出就为高电平。平，输出就为高电平。“有有1出出1，全，

11、全0出出0” “或或”门。门。ABC1L=A+B+C 符号符号优点：优点：结构简单，易于实现。结构简单，易于实现。缺点：缺点：有电压偏移。有电压偏移。 与门与门引起电压升高，引起电压升高，或门或门引起电压下降。引起电压下降。所以二极管逻辑门电路只用于集成电路的内部逻辑。所以二极管逻辑门电路只用于集成电路的内部逻辑。ABCRVCC (5V)L0V5V5V优先导通并优先导通并箝位在箝位在0.7V受反压截止受反压截止=0.7V例：与门电路例：与门电路三、三、二极管门电路的优缺点二极管门电路的优缺点截止截止放大放大饱和饱和V1V2vOOvI逻辑逻辑0逻辑逻辑1电压传输特性电压传输特性输出与输入反相输出

12、与输入反相非门非门RbViLVccRcTVo四、非门电路四、非门电路-BJT-BJT反向器反向器1AL= A_ 符号符号1、体积大、工作不可靠。、体积大、工作不可靠。2、需要不同电源。、需要不同电源。3、各种门的输入、输出电平不匹配。、各种门的输入、输出电平不匹配。TTLTTL反相器反相器TTLTTL与非门与非门TTLTTL与非门的外特性及主要参数与非门的外特性及主要参数其它类型的其它类型的TTLTTL门电路门电路返回返回集集成成逻逻辑辑门门双极型集成逻辑门双极型集成逻辑门MOS集成逻辑门集成逻辑门按器件类型分按器件类型分PMOSNMOSCMOS按集成度分按集成度分SSI（100以下以下个等效

13、门）个等效门）MSI（10103 3个等效门）个等效门）LSI （10104 4个等效门）个等效门）VLSI（10104 4个以上等效门）个以上等效门）TTL、ECLI2L、HTL内容概述内容概述一、一、TTL反相器反相器1.TTL1.TTL反相器的产生反相器的产生: :若考虑基本反相器负载电容若考虑基本反相器负载电容C CL L的影响，在反相器输出电的影响，在反相器输出电压压 O O由低向高过渡时，电路由低向高过渡时，电路由由V VCCCC通过通过RcRc对对C CL L充电。充电。 vccRcTCL 反之，当反之，当 O O由高向低过渡时，由高向低过渡时，C CL L又将通过又将通过BJT

14、BJT放电。放电。C CL L的充、放电过程均需经历一定的时间，必然会增加输出电的充、放电过程均需经历一定的时间，必然会增加输出电压压 O O波形的上升时间和下降时间，导致基本的波形的上升时间和下降时间，导致基本的BJTBJT反相器的反相器的开关速度不高。故需寻求更为实用的开关速度不高。故需寻求更为实用的TTLTTL电路结构。电路结构。 2.TTL2.TTL反相器的基本电路反相器的基本电路 Rb1 4k W Rc2 1.6k W Rc4 130 W T4 D T2 T1 + vI T3 + vO 负载 Re2 1K W VCC(5V) 输入级输入级 中间级中间级 输出级输出级 3.TTL3.T

15、TL反相器的工作原理反相器的工作原理 （1 1）当输入为低电平）当输入为低电平（ I I = 0.2 V = 0.2 V） Rb1 4kW Rc2 1.6kW Rc4 130W T4 D T2 T1 + vI T3 + vO 负负 载载 Re2 1KW VCC(5V) VB1 0.9V 0.2V OVCCVBE4VD 50.70.7 =3.6V I低电平低电平(0.2V)T1深饱和深饱和T2截止截止T3截止截止T4放大放大 O高电平高电平（3.6V）3.TTL3.TTL反相器的工作原理反相器的工作原理 （2 2）当输入为高电平（）当输入为高电平（ I I = 3.6V= 3.6V） I全为高电

16、全为高电平平(3.6V)T1倒置放大倒置放大T2饱和饱和T3饱和饱和T4截止截止 O低电平低电平0.2V） Rb1 4kW Rc2 1.6kW Rc4 130W T4 D T2 T1 + vI T3 + vO 负载 Re2 1KW VCC(5V) VB1 3.6V 4.3V 2.1V 1.4V 0.2V Rb1 4kW Rc2 1.6kW Rc4 130W T4 D T2 T1 + vI T3 + vO 负载 Re2 1KW VCC(5V) VB1 4.4.采用输入级以提高工作速度采用输入级以提高工作速度 （1 1）当）当TTLTTL反相器反相器 I I由由3.6V3.6V变变0.2V0.2V

17、的瞬间的瞬间 0.9V1.4V T T1 1管的变化先于管的变化先于T T2 2、 T T3 3管的变化；管的变化；T T1 1管管JeJe正偏、正偏、JcJc反偏，反偏， T T1 1工作在工作在放大状态。放大状态。T T1 1管射极电流管射极电流 1 1 i iB1B1很快地从很快地从T T2 2的基区抽走多余的的基区抽走多余的存储电荷存储电荷, ,从而加速了状态转换。从而加速了状态转换。 +5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABCTTLTTL与非门的内部结构与非门的内部结构CBAF 二、二、TTLTTL与非门与非门Tee eeb b cc +5VFR4R2R13k

18、T2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC1.1.任一输入为低电平任一输入为低电平（0.3V0.3V）时）时“0”1V不足以让不足以让T2、T5导通导通三个三个PN结结导通需导通需2.1V二、二、TTLTTL与非门工作原理与非门工作原理+5VFR4R2R13kR5T3T4T1b1c1ABC1.1.任一输入为低电平（任一输入为低电平（0.3V0.3V）时）时“0”1Vuouo=5-uR2-ube3-ube4 3.4V高电平！高电平！+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC2.2.输入全为高电平（输入全为高电平（3.4V3.4V）时）时“1”全导通全导通电位被嵌电位被嵌在

19、在2.1V全反偏全反偏 1V截止截止2.2.输入全为高电平（输入全为高电平（3.4V3.4V）时）时+5VFR2R13kT2R3T1T5b1c1ABC全反偏全反偏“1”饱和饱和uF=0.3VABCF 此电路此电路一、电压传输特性一、电压传输特性2.3.2 TTL与非门的特性和技术参数与非门的特性和技术参数测试电路测试电路&+5Vuiu0u0(V)ui(V)123UOH(3.4V)UOL(0.3V)传输特性曲线传输特性曲线u0(V)ui(V)123UOH“1”UOL(0.3V)阈值阈值UT=1.4V理想的传输特性理想的传输特性输出高电平输出高电平输出低点平输出低点平1、输出高电平、输出高

20、电平UOH、输出低电平、输出低电平UOL UOH 2.4V UOL 0.4V 便认为合格。便认为合格。 典型值典型值UOH=3.4V UOL 0.3V 。 2、阈值电压、阈值电压UTuiUT时，认为时，认为ui是高电平。是高电平。UT=1.4V3、开门电平和关门电平、开门电平和关门电平开门电平开门电平UON是指输出电平是指输出电平UOL = 0.3V时允时允许输入高电平的最小值。只有当许输入高电平的最小值。只有当ui UON时时输出才为低电平。典型值为输出才为低电平。典型值为1.4V。关门电平关门电平UOFF是指在保证输出为额定高电平是指在保证输出为额定高电平UOH的的90%时允许输入的低电平

21、的最大值。时允许输入的低电平的最大值。只有当只有当uiUOFF时输出才为高电平。时输出才为高电平。TTL与非门的额定高电平为与非门的额定高电平为UON = 3V，额定，额定低电平低电平UOL = 0.3V。101&4.扇入系数扇入系数Ni和扇出系数和扇出系数NO 扇入数扇入数: : 取决于门的输入端取决于门的输入端 的个数的个数 扇出数扇出数: : 带同类门的个数。带同类门的个数。 灌电流负载：输出低电平时。灌电流负载：输出低电平时。当负载门的个数增加时，总当负载门的个数增加时，总的灌电流的灌电流I IILIL将增加将增加, ,引起输引起输出低电压出低电压V VOLOL的升高。的升高。

22、 （负载门）（驱动门）ILOLOLIIN负载门负载门驱动门驱动门0 VCC(5V) Rb1 4kW T1 IIL T4 T3 Rc4 130W D IILIOL带拉电流负载：门输出高电平时带拉电流负载：门输出高电平时当负载门的个数增多时，必当负载门的个数增多时，必将引起输出高电压的降低。将引起输出高电压的降低。 （负载门）（驱动门）IHOHOHIIN1&01负载门负载门驱动门驱动门1 VCC(5V) Rb1 4kW T1 IIL T4 T3 Rc4 130W D IIHIOH例例 查得基本的查得基本的TTL与非门与非门7410的参数如下：的参数如下： IOL16mA，IIL1.6mA，

23、IOH0.4mA，IIH0.04mA.试试计算其带同类门时的扇出数。计算其带同类门时的扇出数。解：解： (1)低电平输出时的扇出数低电平输出时的扇出数OL16mA101.6mAN (2)高电平输出时的扇出数高电平输出时的扇出数OH0.4mA100.04mAN若若N NOLOLNNOHOH，则取较小的作为电路的扇出数。，则取较小的作为电路的扇出数。例题：扇出数计算举例例题：扇出数计算举例5. 传输延迟时间传输延迟时间 表征门电路开关速度的参数表征门电路开关速度的参数 电路在输入脉冲波形的作用下，其输出波形相对于电路在输入脉冲波形的作用下，其输出波形相对于输入波形延迟了多长的时间。输入波形延迟了多

24、长的时间。 输入输入 同相同相 输出输出 反相反相 输出输出 50% tPLH 50% 90% 10% tr tPLH 90% 50% 10% tf 50% tPLH tPLH 90% 50% 10% tf 90% 50% 10% tr VOL VOH VOL VOH 0V VCC 平均传输延迟时间平均传输延迟时间 tPdtPLH 为门电路输出由低电平转换到高电平所经历的时间为门电路输出由低电平转换到高电平所经历的时间; tPHL为由高电平转换到低电平所经历的时间。为由高电平转换到低电平所经历的时间。(tPLHtPHL)/2线与线与: :将门电路的将门电路的输出端并联输出端并联，以，以实现与逻

25、辑实现与逻辑功能功能的方法。的方法。TTLTTL与非门能实现与非门能实现“线与线与”吗吗? ?输出输出电阻电阻多发射多发射极极三极管三极管Av vOVCC(+5V)T1T2T4T3D负载负载Rb1Rc2Rc4Re2BCRO问题问题四、其它类型四、其它类型TTLTTL门电路门电路 VCC(5V) Rc4 130W W Rc2 1.6kW W Rb2 1.6kW W T4 T2 T3 T1 A B Re2 1kW W D VC C(5 V ) Rc4 1 3 0 W W Rc2 1 .6 k W W Rb 2 1 .6 k W W T4 T2 T3 T1 A B Re2 1 k W W D vOH

26、vOLXAv vOVCC(+5V)T1T2T4T3D负载负载Rb1Rc2Rc4Re2BCRO集电极开路集电极开路TTL“TTL“与非与非”门（门（OCOC门）门）+5VFRc2R13kT2R3T1T3b1c1ABCRLUCC以外接上拉电阻以外接上拉电阻RL代替原代替原TTL与非门中的与非门中的T4。1. 结构结构 TTL 电路电路 TTL 电路电路 D C B A T3 T3 VCC RP L A B C D&)()(CDABL2、OC门可以实现门可以实现“线与线与”功能功能UCCF1F2F3FF=F1F2F3RL输出级输出级UCCRLT3T3T3F=F1F2F3?UCCRLF1F2F

27、3F任一导通任一导通F=0UCCRLF1F2F3F全部截止全部截止F=1F=F1F2F3?所以：所以：F=F1F2F3!集电极开路门的缺点：集电极开路门的缺点：l 由于由于OC门输出不是推拉式门输出不是推拉式(Totem)结构，电路的上结构，电路的上升延迟很大，这是因为：升延迟很大，这是因为： T3退出饱和状态很慢；退出饱和状态很慢； 对输出负载电容的充电电流只能通过外接的对输出负载电容的充电电流只能通过外接的RL来提供。因此，输出波形的上升沿时间很大。来提供。因此，输出波形的上升沿时间很大。 Rc的选择受到一定的限制的选择受到一定的限制三态指输出除了有高、三态指输出除了有高、低电平状态以外，

28、还有低电平状态以外，还有一个一个高阻态。高阻态。在普通在普通TTL门电路上加一门电路上加一个个三态钳位电路，三态钳位电路，并将一并将一个输入端作为个输入端作为使能端使能端CS。1.1.电路组成电路组成三态逻辑门（三态逻辑门（TSL） R1 R2 R4 VCC T4L T3 R3T1与非门A B CS T5 T6 T7 R5 R66 VCC D3.6V1.4V0.7V=AB当当CS= 1CS= 1时时 R1 R2 R4 VCC T4L T3 R3T1与非门与非门A B CS T5 T6 T7 R5 R66 VCC D当当CS=0CS=0时时0.2V0.2V0.9V低电平低电平0.9V开路开路CS

29、数据输入端数据输入端输出端输出端LAB10010111011100高阻高阻三态与非门真值表三态与非门真值表 &ABFE符号符号输出高阻输出高阻功能表功能表高电平起作用高电平起作用1E 0E ABF &ABFE符号符号输出高阻输出高阻0E 1E ABF 功能表功能表低电平起作用低电平起作用另一种形式的三态与非门：另一种形式的三态与非门：多路数据传输多路数据传输 多个部件以多个部件以TSL门作为输出，并以线与的方式连门作为输出，并以线与的方式连接，构成接，构成总线形式总线形式的电路。的电路。方法：方法：分时控制各个门的分时控制各个门的CSCS端，端，使相应的使相应的TSLTSL门的

30、门的CS =1CS =1，其它，其它TSLTSL门的门的CS =0CS =0。要求：要求：同一时刻，只允许一个部同一时刻，只允许一个部件的数据进入总线，其它应与总件的数据进入总线，其它应与总线断路。线断路。&ABCS&ABCS&ABCS总线总线&ABCS4.4.三态门的应用：三态门的应用：E=0，门门1导通，门导通，门2禁止，禁止，数据从数据从ABE=1E=1，门门2 2导通，门导通，门1 1禁止，禁止，数据从数据从B BA A两个三态门组成的电路，两个三态门组成的电路，门门1为为低低电平使能电平使能门门2为为高高电平使能电平使能&三态门可以用来实现数据

31、的三态门可以用来实现数据的双向传输双向传输：NMOSNMOS反相器反相器CMOSCMOS门电路门电路CMOSCMOS电路电路返回返回MOS集成电路包括：集成电路包括：CMOSCMOS电路电路NMOSNMOS管管PMOSPMOS电路电路NMOSNMOS电路电路PMOSPMOS管管互补电路互补电路PMOS与与NMOS电路的原电路的原理相同，电源极性相反。理相同，电源极性相反。NMOS管PMOS管MOS管的符号管的符号MOS集成电路特点：集成电路特点：制造工艺简单、成品率较高、功耗制造工艺简单、成品率较高、功耗低、速度快、组成的逻辑电路比较低、速度快、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，

32、简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路特别适合于大规模集成电路。 概述概述PMOSNMOS衬底与漏源间的衬底与漏源间的PNPN结始终处于反结始终处于反偏偏，NMOSNMOS管的衬底总是接到电路管的衬底总是接到电路的的最低电位最低电位，PMOSPMOS管的衬底总是管的衬底总是接到电路的接到电路的最高电位最高电位柵极相连柵极相连做输入端做输入端漏极相连漏极相连做输出端做输出端电源电压电源电压V VDDDDV VT1T1+|V+|VT2T2| |，V VDDDD适用范围较大可在适用范围较大可在3 318V18V， V VT1T1-NMOS-NMOS的开启电压的开启电压V VT2T2-

33、PMOS-PMOS的开启电压的开启电压工作原理：工作原理：输入为低电平输入为低电平V VIL IL = 0V= 0V时时V VGS1GS1V VT1T1T T1 1管截止；管截止；|V|VGS2GS2| | V VT2 T2 电路中电流近似为零（忽略电路中电流近似为零（忽略T T1 1的的截止漏电流）截止漏电流）,V,VDDDD主要降落在主要降落在T T1 1上，输出为高电平上，输出为高电平V VOHOHVVDDDDT T2 2导通导通输入为高电平输入为高电平V VIHIH = V = VDDDD时，时，T T1 1通通T T2 2截止，截止，V VDDDD主要降在主要降在T T2 2上，上，

34、输出为低电平输出为低电平V VOLOL0V0V。实现逻辑实现逻辑“非非”功能功能AF 一、一、CMOSCMOS电路电路1.CMOS反相器反相器VDDCDAB1/2VDD1/2VDDVDDOvOvIVGS(th)PVGS(th)PAB段，段，T2导通，导通，T1截止。截止。v vO=VOHVDDCD段，段，T1导通，导通，T2截止。截止。v vO=VOL0如果如果T1,T2参数相同，参数相同，v vI为为1/2VDD时，两管内阻相等，时，两管内阻相等，则则CMOS反相器反相器阈值电压阈值电压1/2VDDCMOS反相器的电压传输特反相器的电压传输特性接近于理想的反相器：性接近于理想的反相器：. 静

35、态电流静态电流0，功耗小，功耗小;.推拉式输出级：带负载能推拉式输出级：带负载能力强，转换速度快。力强，转换速度快。UCCST2DT1AFCMOS反相器的电压传输特性反相器的电压传输特性1.与非门与非门二输入二输入“与非与非”门电路结构如图门电路结构如图每 个 输 入 端 与 一每 个 输 入 端 与 一 个个 NMOS管和一个管和一个PMOS管的栅极相连管的栅极相连当当A A和和B B为高电平时为高电平时: :1两 个 并 联 的两 个 并 联 的PMOSPMOS管管T T3 3、T T4 4两个串联的两个串联的NMOS TNMOS T1 1、T T2 2通通通通止止止止0101通通止止通通1止止当当A A和和B B有一个或一个有一个或一个以上为低电平时以上为低电平时: :电路输出高电平电路输出