第8章半导体存储器hppt课件

1、内容提要内容提要半导体存储器的分类与主要技术指标半导体存储器的分类与主要技术指标只读存储器只读存储器ROM的结构和工作原理的结构和工作原理随机存取存储器随机存取存储器RAM的结构和工作原理的结构和工作原理存储器容量的扩展方法存储器容量的扩展方法数字电子技术基础实用教程数字电子技术基础实用教程随机存取存储器随机存取存储器 Rand Access Memory(RAM)静态随机存取存储器静态随机存取存储器 Static RAM(SRAM)动态随机存取存储器动态随机存取存储器 Dynamic RAM(DRAM)只读存储器只读存储器 Read-Only Memory(ROM)可编程只读存储器可编程只读

2、存储器 Programmable Read-Only Memory (PROM) 紫外线可擦除只读存储器紫外线可擦除只读存储器 Erasable PROM (EPROM)电可擦除只读存储器电可擦除只读存储器 Electrically EPROM (E2 PROM)快闪存储器快闪存储器 Flash Memory 双双 语语 对对 照照 数字信息在运算或处理过程中，需要进行大量的数字信息在运算或处理过程中，需要进行大量的数据存储，由此应有专门的存储器。数据存储，由此应有专门的存储器。 存储器一般是由许多触发器或其它记忆元件构成存储器一般是由许多触发器或其它记忆元件构成的用以存储一系列二进制数码的器

3、件。的用以存储一系列二进制数码的器件。 存储器的种类很多，其中，半导体存储器是大规存储器的种类很多，其中，半导体存储器是大规模集成电路，有品种多、容量大、速度快、耗电省、模集成电路，有品种多、容量大、速度快、耗电省、体积小、操作方便、维护容易等优点，在数字设备中体积小、操作方便、维护容易等优点，在数字设备中得到广泛应用。得到广泛应用。8.1半导体存储器概述半导体存储器概述 8.1.1半导体存储器的分类：半导体存储器的分类：1按工艺的不同，分为双极型和单极型按工艺的不同，分为双极型和单极型 2按读、写能力的不同，分为按读、写能力的不同，分为RAM和和ROM。8.1.2存储器的技术指标存储器的技术

4、指标1.存储容量存储容量存储器存放数据的多少，即存储单元的总数。存储器存放数据的多少，即存储单元的总数。 存储单元通常以存储单元通常以“字为单位排列成矩阵形式，一字为单位排列成矩阵形式，一个字有若干位数据，每位数据各自存放在一个存储个字有若干位数据，每位数据各自存放在一个存储单元中。单元中。 字：地址线的译码字：地址线的译码位：数据线位：数据线存储容量表示方法：字位，如存储容量表示方法：字位，如存储容量表示方法：字位，如存储容量表示方法：字位，如某个存储器有某个存储器有12根地址线，根地址线，8根数据线，则根数据线，则12根地址线可以译出根地址线可以译出212 =22210= 4K个字线，个字

5、线，8根数据线为根数据线为8根位线，其存储容量为根位线，其存储容量为4K8=32KB。 2.存取时间存取时间 访问一次存储器对指定单元写入或读出所需访问一次存储器对指定单元写入或读出所需要的时间，一般为十几纳秒至几百纳秒。最大存要的时间，一般为十几纳秒至几百纳秒。最大存取时间越小，存储器芯片的工作速度也就越快。取时间越小，存储器芯片的工作速度也就越快。1.特点：特点：只读存储器，在元件正常工作的情况下，其中的代码只读存储器，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存其存储的内容固定不变。因此，只与数据将永久保存其存储的内容固定不变。因此，只能读出，不能随时写入。能读出，不能随时写入。R

6、ead Only Memory8.2 只读存储器只读存储器( ROM )ROM的用途：的用途： 一般应用于一般应用于PC系统的程序码、主机板上的系统的程序码、主机板上的 BIOS (基基本输入本输入/输出系统输出系统Basic Input/Output System)等。等。 PROM：一次性可编程只读存储器：一次性可编程只读存储器Programmble ROM使用前，用户一次性写入数据，不得改写。使用前，用户一次性写入数据，不得改写。ROM的种类：的种类：MROM：掩模只读存储器：掩模只读存储器 （Masked ROM制造时固制造时固化数据，工作中只读，得不改写。化数据，工作中只读，得不改写

7、。EPROM：紫外线可擦除可编程只读存储器：紫外线可擦除可编程只读存储器Erasable PROM数据写入后，可用紫外线照数据写入后，可用紫外线照射擦除射擦除 。擦除后可重写。擦除后可重写。E2PROM：电可擦除可编程只读存储器：电可擦除可编程只读存储器Electrically Erasable PROM数据写入后，可施加电信号将数据数据写入后，可施加电信号将数据擦除，并写入新数据擦除，并写入新数据 ，可反复擦写上百次，适用于开，可反复擦写上百次，适用于开发阶段或小批量产品的生产。可在线读写。发阶段或小批量产品的生产。可在线读写。FLASH E2PROM：闪烁存储器。具有：闪烁存储器。具有E2

8、PROM的擦的擦写特点，擦除速度快得多，擦写次数达上千次。写特点，擦除速度快得多，擦写次数达上千次。 ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器主要由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部分组成。三部分组成。2.基本结构及作用基本结构及作用（1地址译码器地址译码器将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中寻址，以便能把其中的数据个控制信号从存储矩阵中寻址，以便能把其中的数据送到输出缓冲器中读取。送到输出缓冲器中读取。 （2存储矩阵存储矩阵由许多存储单元排列而成。每个单元能存放由许多存储单元排列而成。每个单元能存放1位二值代码位二值

9、代码0或或1）。每一个或每一组存储单）。每一个或每一组存储单元有一个对应的地址代码。存储单元可由二极管、元有一个对应的地址代码。存储单元可由二极管、双极型三极管或双极型三极管或MOS管构成。管构成。（3输出缓冲器输出缓冲器由三态门组成，用于提高存储器的带负载能由三态门组成，用于提高存储器的带负载能力，并实现对输出状态的三态控制，以便与系统力，并实现对输出状态的三态控制，以便与系统的总线联接。的总线联接。3.典型芯片典型芯片2716 Al0A0：11条地址线，条地址线，2K=2048个字存储单元；个字存储单元； D7D0： 双向数据信号输入输出引脚；双向数据信号输入输出引脚； ：片选信号：片选信

10、号 ：数据输出允许控制信号引脚：数据输出允许控制信号引脚 Vcc：+5v电源，用于在线的读操作；电源，用于在线的读操作； VPP：+25v电源，用于在专用装置上进行写操作；电源，用于在专用装置上进行写操作； GND：地。：地。CEOE24个引脚：个引脚：2716型型EPROM工作方式工作方式 4.操作时序操作时序8.2.2掩模只读存储器掩模只读存储器由由二二极极管管构构成成的的ROM电电路：路：位线位线字线字线W3=A1A0 11 . .W0=0001AA000101111011010001011101地地 址址A1 A0D3 D2 D1 D0内内 容容输入输入A1A0 A1A0 ，译码输出对

11、应，译码输出对应字线为字线为1 1，读出该单元的四，读出该单元的四位输出数字量位输出数字量D3D2D1D0D3D2D1D0。当当A1A0=01，对应，对应字线字线W1=1。W1线线上上D3、D1、D0三根线与三根线与W1间接有二极管，三间接有二极管，三个二极管会导通，个二极管会导通，使使D3、 D1、 D0 全为全为1，而，而D2为为0。假设。假设 ， 可在数据输出端得可在数据输出端得到到D3D2D1D0=10110EN000101111011010001011101地地 址址A1 A0D3 D2 D1 D0内内 容容若把若把W0W0 W3 W3 当作变量，当作变量，则则ROMROM的每一个输

12、出可以的每一个输出可以看作是看作是W0W0 W3 W3相相 “ “或或”如：如：0101310232133WWDWWDWWWDWWD运用运用 MOS 管管的的ROM 矩阵：矩阵：字线和位线间字线和位线间有有 MOS 管的管的单元存储单元存储 “0”，无无 MOS 管的管的单元存储单元存储 “1”。000101111101110100111010地地 址址A1 A0D3 D2 D1 D0内内 容容 一次可编程序的一次可编程序的 ROM ，在出厂时全部存储，在出厂时全部存储 “1”，用户可根据需要将某些单元改写为用户可根据需要将某些单元改写为 “0”,然而只能改然而只能改写一次，称其为写一次，称其

13、为 PROM。 若将熔丝烧断，该单若将熔丝烧断，该单元则变成元则变成“0”。显然，。显然，一旦烧断后不能再恢复。一旦烧断后不能再恢复。8.2.3可编程只读存储器可编程只读存储器PROM PROM 中的内容只能写一次，有时仍嫌不方便，中的内容只能写一次，有时仍嫌不方便，于是又发展了一种可以改写多次的于是又发展了一种可以改写多次的 ROM，简称，简称 EPROM。它所存储的信息可以用紫外线或。它所存储的信息可以用紫外线或 X 射线射线照射擦去，然后又可以重新编制信息。照射擦去，然后又可以重新编制信息。8.2.4可擦除的可编程只读存储器可擦除的可编程只读存储器 EPROM8.2.5 电信号擦除可编程

14、只读存储器电信号擦除可编程只读存储器8.2.6快闪存储器快闪存储器（a构造 （b符号图8.2.9 快闪存储器中的叠栅MOS管图9.1.13 快闪存储器的存储单元图9.1.8 Flotox管的结构和符号图9.1.9 PROM的存储单元8.2.7 ROM的应用的应用1. 用于存储固定的专用程序用于存储固定的专用程序2. 利用利用ROM可实现查表或码制变换等功能可实现查表或码制变换等功能 查表功能查表功能 查某个角度的三角函数查某个角度的三角函数 把变量值角度作为地址码，其对应的把变量值角度作为地址码，其对应的函数值作为存放在该地址内的数据，这称为函数值作为存放在该地址内的数据，这称为 “造表造表”

15、。使用时，根据输入的地址。使用时，根据输入的地址(角度角度)，就可在输出端得到所需的函数值，这就称为就可在输出端得到所需的函数值，这就称为“查表查表”。 码制变换码制变换 把欲变换的编码作为地址，把把欲变换的编码作为地址，把最终的目的编码作为相应存储单元中的内容即最终的目的编码作为相应存储单元中的内容即可。可。3.用用ROM实现逻辑函数实现逻辑函数译译码码器器ABCW7W0W6W5W4W3W2W1F1F2F3CBACABF1A2A1A0CBACBAABCF2BCACABF3【例【例8.2.1】试用设计】试用设计个八段字符显示的译个八段字符显示的译码器，其真值表由表码器，其真值表由表8.2.3所

16、列。所列。 读写存储器又称随机存储器。读写存储器又称随机存储器。 读写存储器的特点是：在工作过程中，既读写存储器的特点是：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器，简称存储器，简称 RAM 。Random Access Memory. RAM 按功能可分为按功能可分为 静态、动态两类；静态、动态两类； RAM 按所用器件又可分为双极型和按所用器件又可分为双极型和 MOS型两种。型两种。8.3 随机存储器随机存储器( RAM )RAM的用途是：的用途是： 电脑开机

17、时，操作系统和应用程序的所有正在运行电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。 根据组成元件的不同，根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种内存又分为以下十八种 02.SRAMStatic RAM，静态随机存取存储器），静态随机存取存储器）

18、 静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。更稳定，往往用来做高速缓存。 01.DRAMDynamic RAM，动态随机存取存储器），动态随机存取存储器） 一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM

19、将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为24ms。因。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。 04.FPM DRAMFast Page Mode DRAM，快速页切，快速页切换模式动态随机存取存储器）换模式动态随机存取存储器） 改良版的改良版的

20、DRAM，大多数为，大多数为72Pin或或30Pin的模块。的模块。在在96年以前，在年以前，在486时代和时代和PENTIUM时代的初期，时代的初期， FPM DRAM被大量使用。被大量使用。 03.VRAMVideo RAM，视频内存），视频内存） 它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡口，另一个是串行式的数据输出

21、口。多用于高级显卡中的高档内存。中的高档内存。 05.EDO DRAMExtended Data Out DRAM，延伸数，延伸数据输出动态随机存取存储器）据输出动态随机存取存储器） 这是继这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像的模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每那样在存取每一一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以址必须等待

22、这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快模式快15%左右。它一般应用于中档以下的左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的主板标准内存，后期的486系统开始支持系统开始支持EDO DRAM，到，到96年后期，年后期，EDO DRAM开始执行。开始执行。 06.BEDO DRAMBurst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器） 这是改良型的这是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，是由美光

23、公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDO DRAM快。但支持快。但支持BEDO DRAM内存的主板可谓少之内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持如又少，只有极少几款提供支持如VIA APOLLO VP2），因此很快就被），因此很快就被DRAM取代了。取代了。

24、08.WRAMWindow RAM，窗口随机存取存储器），窗口随机存取存储器） 韩国韩国Samsung公司开发的内存模式，是公司开发的内存模式，是VRAM内存的内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入入/输出控制器，并采用输出控制器，并采用EDO的资料存取模式的资料存取模式,因此速因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能度相对较快，另外还提供了区块搬移功能BitBlt），），可应用于专业绘图工作上。可应用于专业绘图工作上。 07.MDRAMMulti-Bank DRAM，多插槽动态随机存，多插槽动态随机存取存储器）取存储器） MoS

25、ys公司提出的一种内存规格，其内部公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库分成数个类别不同的小储存库 (BANK)，也即由数个属，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。高速缓存中。 10.SDRAMSynchronous DRAM，同步动态随机存，同步动态随机存取存储器）取存储器） 这是一种与这是一种与CPU实现外频实现外频Clock同步的内同步的内存模式，一

26、般都采用存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为的内存模组，工作电压为3.3V。 所谓所谓clock同步是指内存能够与同步是指内存能够与CPU同步存取同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。因此可提升计算机的性能和效率。 09.RDRAMRambus DRAM，高频动态随机存取存，高频动态随机存取存储器）储器） Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到度一般可以达到500530MB/s，是，是DRAM的的10倍以上。倍以上。但使用该内存

27、后内存控制器需要作相当大的改变，因但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。戏机的视频内存中。 12.SB SRAMSynchronous Burst SRAM，同步爆发，同步爆发式静态随机存取存储器）式静态随机存取存储器） 一般的一般的SRAM是非同步的，是非同步的，为了适应为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是变得与系统同步，这就是SB SRAM产生的原因。产生的原因。 11.SGRAMSynchronous G

28、raphics RAM，同步绘图，同步绘图随机存取存储器）随机存取存储器） SDRAM的改良版，它以区块的改良版，它以区块Block，即每即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能BitBlt），效率明显高于），效率明显高于SDRAM。 14.DDR SDRAMDouble Data Rate二倍速率同步动二倍速率同步动态随机存取存储器）态随机存取存储器） 作为作为SDRAM的

29、换代产品，它具的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；有一倍的提高；其二，采用了其二，采用了DLLDelay Locked Loop：延时锁定回：延时锁定回路提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的路提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。主流模式。 13.PB SRAMPipeline Burst SRAM，管线爆发式静，管线爆发式静态随机存取存储器）态随机存取存储器） CPU外频速度的迅猛提升对与其外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式取代同

30、步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。 16.CDRAMCACHED DRAM，同步缓存动态随机，同步缓存动态随机存取存储器）存取存储器） 这是三菱电气公司首先研制的专利技术，这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在它是在DRAM芯片的外部插针和内部芯片的外部插针和内部DRAM之间插入之间插入一个一个SRAM作为二级作为二级CACHE使用。当前，几乎所有使用。当前，几乎所有的的CPU都装有一级都装有一级CACHE来提高效率，随着来提高效率，随着CPU时时钟频率的成倍提高，钟频率的

31、成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而生的影响将会越来越大，而CACHE DRAM所提供的所提供的二级二级CACHE正好用以补充正好用以补充CPU一级一级CACHE之不足，之不足，因此能极大地提高因此能极大地提高CPU效率。效率。 15.SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机，同步链环动态随机存取存储器）存取存储器） 这是一种扩展型这是一种扩展型SDRAM结构内存，在结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，投入实用的难度不小。路，不过由

32、于技术显示，投入实用的难度不小。 18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM) 是下一代的主是下一代的主流内存标准之一，由流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。 17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器二代同步双倍速率动态随机存取存储器) DDRII 是是DDR原有的原有的S

33、LDRAM联盟于联盟于2019年解散后将既有的研年解散后将既有的研发成果与发成果与DDR整合之后的未来新标准。整合之后的未来新标准。DDRII的详细的详细规格目前尚未确定。规格目前尚未确定。 图图8.3.1 SRAM的结构框图的结构框图一、一、 基本存储单元基本存储单元WiDD符号符号VCCWiDDI/OR / W123T2T3T4T5T6QQT1字线字线数数据据线线数数据据线线介绍基本存储单元的工作原理介绍基本存储单元的工作原理:VCCWiDDI/OR / W123T2T3T4T5T6QQT1字线字线数数据据线线数数据据线线VCCT2T1T3T4 由增强型由增强型 NMOS管管T1、 T2、

34、T3和和T4 构成一个基本构成一个基本 R-S触发器，它触发器，它是存储信息的是存储信息的基本单元。而基本单元。而T5和和T6是门控是门控管，由字线管，由字线Wi控制其导通或控制其导通或截止：截止：Wi1则导通，否则则导通，否则截止。截止。 门控管门控管T5和和T6导导通时，通时，“读读”、“写写操作由读写控制端操作由读写控制端R/W控制：控制：VCCWiDDI/OR / W123T2T3T4T5T6QQT1VCCT2T1T3T4数数据据线线数数据据线线字字线线123123R/W=0时，时，1、3门门打开，数据由打开，数据由I/O端送入存储器，完端送入存储器，完成写操作；反之，成写操作；反之，

35、R/W=1时，时，1、3门门关闭，关闭，2门打开，门打开，数据由数据由I/O线读出。线读出。D1W3W2W1W0地地址址译译码码器器读写读写 及及 输入输入/ /输出控制输出控制I / O1I / O0CSR / WA0A1D1D0D0存存储储矩矩阵阵二、二、 存储器的整体结构存储器的整体结构 RAM的电路符号：的电路符号：An-1A0R/WCSD0Dm-12nmRAM组件及其连接组件及其连接 常用常用RAM组件的类型很多，以下介绍组件的类型很多，以下介绍两种：两种：RAM2114和和RAM6116。 RAM2114共有共有10根地址线，根地址线，4根数据线。根数据线。故其容量为：故其容量为：

36、1024字字4位又称为位又称为1K 4）RAM6116的容量为：的容量为：2048字字8位位 （又称为（又称为2K 8） RAM2114、2116的管脚图的管脚图123456789181716151413121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CSGNDVCCD3D2D1D0R / WRAM 2114 管脚图管脚图2345678910232221201918171615A0A1D0A3A4A5A6A9A10CSGNDVCCD3D2D1D4RAM 6116 管脚图管脚图A2A711112141324A8D5D6D7RDWR8.4 存储器容量的扩展存储器容量的扩展三种方式三种方式:位扩

37、展、字扩展和字位同时扩展。位扩展、字扩展和字位同时扩展。位扩展：存储器的字数不变，每个字的位位扩展：存储器的字数不变，每个字的位数需要增加。数需要增加。RAM的地址线条数为的地址线条数为n，则该，则该RAM就有就有2n个字，位扩展地址线不用再增加。把若个字，位扩展地址线不用再增加。把若干片位数相同的干片位数相同的RAM芯片地址线共用，芯片地址线共用，片选端片选端 共用，每个共用，每个RAM片的片的I/O端并行端并行输出，即实现了位扩展。输出，即实现了位扩展。CE1D7A9A0R/W CSD1D3 D2D0A9A0R/W CSD1D3 D2D0. . . . .D6 D5 D4D1D3 D2D0

38、.CSR/WA0A91K4 (2)1K4 (1)将将10244RAM 扩展到扩展到10248RAM例例字扩展字扩展2在在RAM的数据位数满足要求而字数达不到要求时，需的数据位数满足要求而字数达不到要求时，需字扩展。字数要增加，地址线就要做相应增加。字扩展。字数要增加，地址线就要做相应增加。方法：各片方法：各片RAM对应的数据线联接在一起；低位地对应的数据线联接在一起；低位地址线也并联接起来，而高位的地址线，需要扩展，址线也并联接起来，而高位的地址线，需要扩展，通常经过译码器译码，然后将其输出按高低位接至通常经过译码器译码，然后将其输出按高低位接至各片的选片控制端。各片的选片控制端。片一片存储容量总存储容量44144KKN4片的片的10条条I/O线共用，扩展两位高位地址线线共用，扩