几种CRM电路的比较

1、 图1： 原理图Lp：初级绕组电感量；Lk：初级绕组漏感量；Rp：初级电阻；Cp：谐振电容； 图3：准谐振反激式变压器的开关管漏极电压电流波形。ToffVdsVinTfTonIpkIskVrTr* 如果外壳是胶的，各种外壳的要求不完全相同。inpkppkonVLIT（1a）OppkoffnVLIT（2a） ）（tfCOSeVtVptrr2)(LpCrfp21（3a）（4a）)2()(tfCOSeVVtVdsptrinpk（5a）1)2cos(tfp（6a）LpCrftp21（7a）这个t便是我们需要的TP。pkpkspike/CLIVCpLTkr（8a）（9a）proffonTTTTTpksp

2、inIfLP221poffonsTTTTf11（10a）（11a）（12a）offontTTf1（13a）tpinfLPpkI2（14a）)11(1rinpkptVVILf（15a）2222)(*2)11(21inrrinpinrininptVVVPLVVVPLf（16a）pptptpttsfTfffffff；由此时，当00C21212p（17a） 下面我们下面我们再再看看看看Vds电压。电压。 反激架构顾名思义反激架构顾名思义它是它是离不开反激，那么反射电压离不开反激，那么反射电压必然是反激架构中的核心了。必然是反激架构中的核心了。在传统的反激式变换在传统的反激式变换器中，它的取值与开关管的

3、漏极击穿电压器中，它的取值与开关管的漏极击穿电压VDSSVDSS、最、最大输入直流电压大输入直流电压VinmaxVinmax等参数有关。在准谐振模式等参数有关。在准谐振模式下也是如此，稍有不同的是，在准谐振模式下，为下也是如此，稍有不同的是，在准谐振模式下，为了在尽可能大的范围内实现零电压导通，了在尽可能大的范围内实现零电压导通，VrVr总是希总是希望取得大一些。因此通常会选用耐压高的望取得大一些。因此通常会选用耐压高的MOSFETMOSFET。当使用单片集成当使用单片集成ICIC时时, ,因其耐压已经固定因其耐压已经固定, ,故故VrVr的选的选择需要根据其耐压而定择需要根据其耐压而定. .

4、在效率和成本的权衡后在效率和成本的权衡后, ,通通常将常将VrVr设在设在9 90-10-12 20V.0V.考虑到变压器漏感考虑到变压器漏感LlkLlk与与CrCr振振荡的尖峰荡的尖峰VspikeVspike的的影响影响, ,同时同时为保证有足够的耐压为保证有足够的耐压裕量裕量, ,使其最大正常工作电压不超过使其最大正常工作电压不超过75-85%75-85%( (最多最多9090% %) )的额定电压的额定电压, ,一般将一般将VrVr设在设在9 90-10-12 20V0V左右左右. .spikerinpkVVVtVds)(（18a）1 1、最小开关频率、最小开关频率f fSminSmin

5、的确定的确定由于准谐振反激变换器的频率是变化的,在设计时应以最小开关频率来确定其他参数.最小开关频率发生在最低输入电压和满载的情况下.它的确定须从两方面考虑，一方面为了采用较小尺寸的变压器，必须提高fs；另一方面为了降低开关损耗以及减少EMI噪声，fs应取得小些。折衷考虑，同时为了防止音频可闻噪声的出现,通常取fs的范围是25KHz-40KHz 。)1 (minmaxfsinrrTfVVVD（19a）insinpPfDVL2)(2max（20a）fLDVIminpkmax（21a）3maxDIIpkrms（22a）dtdiLVONinpkinpkTtILtVsin2sininpkppkpONV

6、ILT在一定条件下在一定条件下Ton是固定的是固定的（1b）（2b）（3b）rppkpoffVtILTsin（4b）tVVVLPtVVILVtILVILTTTrinpkinpkpinrinpkppkprppkpinpkppkpoffonsin11.2sin11sin2（3b）（4b）（5b）rppkpoffVtILTsintVVVLPtVVILVtILVILTTTrinpkinpkpinrinpkppkprppkpinpkppkpoffonsin11.2sin11sin2offonTTF122sin11.2tVVLPVFrinpkpininpk（7b）（6b）TTDon（8b）tVVDrinp

7、ksin11（9b）tVVtItDIIrinpkppkppkinsin12sinsin21（10b）spikerinpkdVVtVVsin（11b）tdtDIVtdtDItVIVPppkinpkppkinpkrinin200sin2sin21.sin1)(*)(输入功率输入功率inpkinppkDVPI4（13b）（12b）sininpkppkoninpkpfPDVITVL42（14b）maxBAILNeppkpp（14b）dtdiLVONinpkinpkTtILtVsin2sininpkppkpONVILT在一定条件下在一定条件下Ton是固定的是固定的tVVtILTinpkoppkpoffs

8、insin.tVVtVVLPtVVtVILtVVtILVILTTTinpkoinpkinpkpininpkoinpkppkpinpkoppkpinpkppkpoffonsinsin1.2sinsin1sinsin2oinpkpininpkoinpkopininpkoffonVtVLPVVtVVLPVTTFsin1.2sin.21222211.2rinpkpininpksVVLPVf22sin11.2tVVLPVfrinpkpininpksoinpkpininpksVtVLPVfsin1.22由于寄生电容和二极管的存在，QR Flyback和Single Flyback的反射电压设置有约束，应避免旁路损耗和开通