模拟电路1---2.1

1、主讲：杨霓清2005-11-132.1 2.1 晶体三极管晶体三极管 2.2 2.2 放大电路基础放大电路基础 2.3 2.3 放大电路的分析方法放大电路的分析方法 2.4 2.4 静态工作点稳定电路静态工作点稳定电路 2.5 2.5 放大电路的三种组态放大电路的三种组态 2.6 2.6 多级放大器的级联多级放大器的级联 2.7 2.7 场效应管及其放大电路场效应管及其放大电路 第二章第二章 半导体放大器件及其半导体放大器件及其基本放大电路基本放大电路 主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 本章重点：本章重点： 1、晶体管的工作原理及电流分配

2、关系； 2、场效应管的工作原理及伏安特性； 3、晶体管的直流模型及工作状态的分析； 4、放大器静态工作点的分析（图解法、 近似估算法）； 5、晶体管、场效应管的交流小信号模型； 6、三种基本组态放大器的性能分析；主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 本章难点：本章难点： 1、晶体管的工作原理分析； 2、场效应管的工作原理分析； 3、图解法分析放大器的静态工作点和动态特性； 3、等效电路法分析放大器的质量指标。主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 思思 考考 题题 1. 1. 半导体中的载流子

3、浓度主要与哪些因半导体中的载流子浓度主要与哪些因素有关？素有关？2. 2. 扩散电流与漂移电流的主要区别是什么？扩散电流与漂移电流的主要区别是什么？ 4. 4. 动态平衡下的动态平衡下的PNPN结中是否有电流流过？结中是否有电流流过？为什么？为什么？ 3. 3. 导体与半导体的差别主要体现在那几导体与半导体的差别主要体现在那几个方面？个方面？5. 5. 为什么为什么PNPN结会有单向导电特性？结会有单向导电特性？主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 8. 在什么条件下，半导体二极管的管压在什么条件下，半导体二极管的管压降近似为常数？降近似为常

4、数？ 9. 根据二极管的伏安特性，给出几种二根据二极管的伏安特性，给出几种二极管的电路分析模型。极管的电路分析模型。 10. 二极管作为开关使用的情况下，应二极管作为开关使用的情况下，应该利用二极管的那个模型？该利用二极管的那个模型？6. PN. PN结有哪些电容效应？结有哪些电容效应？ 7. PN. PN结中存在那些击穿现象？结中存在那些击穿现象？主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 半导体放大器件有两大类型：半导体放大器件有两大类型： 一是双极型晶体三极管，一是双极型晶体三极管， 二是单极型场效应三极管。二是单极型场效应三极管。 晶体三极

5、管是由两种载流子参与导电的半晶体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个导体器件，它由两个 PN PN 结组合而成，是一种结组合而成，是一种CCCSCCCS器件。器件。 场效应型三极管仅由一种载流子参与导场效应型三极管仅由一种载流子参与导电，是一种电，是一种VCCSVCCS器件。器件。主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 2.1 2.1 晶体三极管晶体三极管2.1.1 晶体三极管的工作原理2.1.2 晶体管的伏安特性和主要参数2.1.3 晶体管的直流模型及工作状态的分析主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体

6、放大器件及其基本放大电路 2.1.1 2.1.1 晶体三极管的工作原理晶体三极管的工作原理分类：分类：按结构分： PNP、NPN型按材料分：硅管、锗管按功率大小分： 大功率管、小功率管按频率高低分： 高频管、低频管结构：结构：电路符号：电路符号：NPNPNP主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 实际晶体管外形：实际晶体管外形：主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 晶体管的管内结构特点：晶体管的管内结构特点： 发射区掺杂浓度远大于基区，基区很薄，集电结面积大于发射结面积。晶体管具备放大作用应满

7、足的外部条件是：晶体管具备放大作用应满足的外部条件是： 发射结正偏，集电结反偏。晶体管的工作特点是：晶体管的工作特点是： 正向受控作用-放大作用。主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 一、放大状态下晶体管内部载流子的传输过程一、放大状态下晶体管内部载流子的传输过程1、发射区向基区注入电子，形成发射极电流EENEPIII2、电子在基区边扩散边复 合，形成复合电流3、集电区收集扩散过来的电子，形成集电极电流BNENCNIII图2.1.6 放大状态下内部载流子的传输过程CCNCBOIII主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导

8、体放大器件及其基本放大电路 由以下几部分组成:BI 通过发射结的发射极电流 ，通过集电结的 及复合电流EPICBOIBNIBEPBNCBOIIII即BNENCNIIIBEPENCNCBOECIIIIIII而所以：EBCIII或：EIBICI主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 根据以上的分析知： 二、晶体管的电流分配关系二、晶体管的电流分配关系1、晶体管的三种连接方式（组态） 共发射极 共基极 共集电极 晶体管在发射结正偏、集电结反偏的情况下三个电极的电流并不是彼此独立的，它们反映了非平衡少子在基区扩散与复合的比例关系； 2、晶体管的电流分配

9、关系 主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 这一比例关系主要由基区宽度、掺杂浓度等因素决定；为了衡量它们之间的比例关系，定义了以下两个电流放大系数。 （1 1）共基极直流电流放大系数）共基极直流电流放大系数 的大小反映了扩散到集电区的电流 与发射极注入的电流 的关系，即CNCCBOENEIIIIICNIENICIEI 显然， ，但接近于1，一般在0.98以上。它表示晶体管将 转化为 的能力。1EICNI主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 CECBOEIIII(1)(1)BECECBOEII

10、IIII 反映了晶体管在共基极连接时，输出电流 受输入电流 控制的电流分配关系。 EICI同时EBCIII（2 2）共发射极直流电流放大系数）共发射极直流电流放大系数BICECBOIII由式：CI111CBCBOBCEOIIIII可以得到：主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 1 该式的含义是：基区每复合一个电子，就会有 个电子扩散到集电极去。式中：1(1)1CEOCBOCBOIII 是集电极与发射极之间的反向饱和电流，称为穿透电流。其值一般很小，若忽略其影响，可以得到 CEOICBII(1)EBII由于 甚至更大，所以 。0.981主讲：杨

11、霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 （3 3）交流电流放大系数）交流电流放大系数1CBii(1)EBiiCEii于是原来的电流关系又可以改写为CBII主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 上述电流分配关系说明： 晶体管无论采用哪种连接方式，在发射结正偏、集电结反偏，且 和 保持不变的情况下，输出电流 （或 ）正比于输入电流 （或 ）。 若能够设法控制输入电流，就能够控制输出电流，所以常称晶体管为电流控制器件电流控制器件。CIEIBIEI 实际上 是受发射结上的正向电压 控制的，所以 和 也受发射结

12、上正向电压 的控制，体现了晶体管的正向受控特性。利用这一特性就可以将微弱的电信号加以放大。EIBEUCIBIBEU主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 三、晶体管的放大作用三、晶体管的放大作用 在 作用下，产生 相应会产生 ，而 通过接在集电极上的负载电阻 产生一个变化电压 ，iuEiCiCiLRou且 oCLui R 故CLoLuiEiiiRuRAui RR 其中 为由信号源两端向放大器内部看进去的等效电阻。iR 显然，只要合理选择 ，使 ，即可以使 ，实现放大作用。LR1uA oiuu 主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放

13、大电路半导体放大器件及其基本放大电路 2.1.2 2.1.2 晶体管的伏安特性和主要参数晶体管的伏安特性和主要参数一、晶体管的伏安特性一、晶体管的伏安特性 伏安特性描绘的是晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。 三种组态（共发射极、共基极、共集电极）均可视为二端口，如图示。晶体管输入端口输出端口 以共发射极电路为例讨论以共发射极电路为例讨论伏安特性伏安特性曲线曲线BiCiBEuCEu输入量：输出量：BiBEuCiCEu主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 1 1、输入特性曲线、输入特性曲线()CEBBEuif u常数 它与二极管的特性曲线相似，

14、但二者有着本质的区别。原因是晶体管的发射结和集电结密切相关。 的控制作用的控制作用 当 较小时，集电区收集能力较弱，形成的 小，所以 大。CEuCiBi（1）正向特性：）正向特性：CEu主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 实际上，对于小功率管 后的曲线几乎重迭。 当 较大时，集电区收集能力较强，形成的 大，且几乎不随 的增大而增大，所以 较小。CEuCiBiCEu1CEuCEu增加，由于基区宽度调制效应， 减小，曲线右移，但很小，可以忽略。晶体管为两个并联的PN结。0CEuBi主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体

15、放大器件及其基本放大电路 当 时，且 ，此时(on)BEBEuU1CEu0Bi当 时， 随 按Bi(on)BEBEuUBEuBEu的控制作用的控制作用BETuUBSiI e(on)BEU为导通电压。()(0.60.7)V(0.20.3)VBE onU指数规律增加。主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 （2 2）反向特性）反向特性 时，三极管截止， 为反向饱和电流。 当 继续增加，达到某一值时，发射结会击穿。0BEuBiBEu晶体管击穿时的电压 称为击穿电压。BEu主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本

16、放大电路 二、输出特性曲线二、输出特性曲线()BCCEiif u常数晶体管有三个工作区域: （1）截止区）截止区： 该区域的特征是发射结和集电结都反向偏置。 晶体管截止时，三个电极上的电流均为晶体管截止时，三个电极上的电流均为反向电流，相当于极间开路，这时各极电位反向电流，相当于极间开路，这时各极电位将主要有外电路确定。将主要有外电路确定。0Bi (1)CCEOCBOiII此时0Ci 工程分析时主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 对对 的影响很小的影响很小（2 2）放大区：）放大区： 该区域的特征是发射结正偏，集电结反偏。 CBii即晶体管

17、的电流放大作用。 由于 几乎与 无关，即 在很大范围内变化时， 几乎不变，因此在 一定时，集电极电流 具有恒流特性。 CiCECEuBiCEuCiCi 该区域的 几乎仅仅决定于 ,与 无关。表现出 对的 控制作用， CiBiCEuBiCi 对对 的控制作用的控制作用BiCiCEuCi注意：基区宽度调制效应注意：基区宽度调制效应 主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 当 一定时， 增加 基本不变， 不受 的控制。CEuBiCiCiBi 晶体管饱和时的管压降称为饱和压降，记作 （3）饱和区）饱和区：该区域的特征是发射结和集电结均为正向偏置。 此时

18、，当 一定时， 的值比放大区还小；CiBi 当 或 时，晶体管达到临界饱和状态，对应点的轨迹称为临界饱和线。 CEBEuu0BCuCEBEuu当 时，进入饱和区。()CE satU主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 晶体管饱和后，三个电极间的电压很小，这时晶体管饱和后，三个电极间的电压很小，这时各极电流主要有外电路决定。各极电流主要有外电路决定。 表现为 不同时的曲线重合在一起，说明晶体管进入饱和区，这是由于集电结正偏使集电结收集电子的能力减弱。 Bi当 一定时， 增加 基本不变， 不受 的控制。CEuBiCiCiBi主讲：杨霓清 第二章第

19、二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 3、温度对特性曲线的影响、温度对特性曲线的影响温度每升高1oC， 下降2.5mV。()BE onU温度每升高10oC， 增加一倍。CBOI温度每升高1oC， 。0(0.51)0主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 二、晶体管的主要参数二、晶体管的主要参数1、电流放大系数（1）（2）CBIICEII2、极间反向电流CBOICEOIEBOI3、结电容()eb eCC()cb cCC主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 3、极限参

20、数（1）击穿电压（2）最大允许的集电极电流（3）最大功率损耗()BR CEOU()BR CBOU()BR EBOU()()BR CEOBR CBOUUCMI=CCCCMiiiI通常情况下，到某一值后， 将下降，当到2使倍的正常值时，所对应的电流 仅为。3 与半导体材料、散热条件、环境温度等因素有关。CMP极限参数决定了管子的安全工作区域。见上图。极限参数决定了管子的安全工作区域。见上图。主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 2.1.3 2.1.3 晶体管的直流模型及工作状态的分析晶体管的直流模型及工作状态的分析 晶体管的直流工作特性：饱和、放

21、大、截饱和、放大、截止止是晶体管的三种截然不同的工作状态。 实际应用中，应根据实现的功能不同，通过外电路将晶体管偏置在某一规定的状态。 于是，在晶体管应用电路的分析中，首先应分析其工作状态，然后进行直流电路的分析。主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 一、晶体管的直流模型一、晶体管的直流模型1.静态（直流状态）： 无交流（动态）信号的状态。2.静态（直流）工作点Q： 静态时，各极电压、电流在伏安特性曲线上的交点。3.伏安特性曲线的折线近似 直流工作时，伏安特性曲线近似为几段折线。主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体

22、放大器件及其基本放大电路 当 时，晶体管截止， 、 ，()BEBE onUU0BI4.直流模型（以共射电路为例） 0CI晶体管的B、E和C、E 极间均开路，于是得到的直流模型为 CEEB晶体管截止模型 当外加电压使发射结正偏导通 时，会有()BEBE onUUBI流入基极。若晶体管工作在放大状态，则C、E极间有一受 控制的受控电流源 ；放大状态下的模型为BIBI主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 当外加电压使晶体管工作在饱和状态时， C、E间相当于接了一个恒压源 ，其相应的直流模型为()CECE satUU()BE onUBECBI放大模型

23、()CE satU()CE satU()BE onUEBC饱和模型主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 例题例题2.12.1 电路如图所示，已知100分析电路的工作状态，并求各极电流、电压。270k6VUBBRBRCUCC3k12V()BE onUBIUBBRBRCUCC解：解：放大状态分析 由（a）图知，UBB使晶体管的发射结正偏，UCC使晶体管的集电结反偏，所以晶体管工作在放大状态，其直流等效电路如图（b）所示。（a）（b）BQICQI主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 ()BE on

24、UBIUBBRBRCUCC（b）BQICQI由图知()BBBQBBE onUIRU故得 ()60.720(A)270BBBE onBQBUUIR100202(mA)CQBQII12236(V)CEQCCCQCUUIR 注意：在对晶体管电路进行分析时，应先确定晶体注意：在对晶体管电路进行分析时，应先确定晶体管的工作状态，然后才能选择合适的模型进行分析。管的工作状态，然后才能选择合适的模型进行分析。主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 例例2.2 2.2 判断晶体管的类型和引脚名称判断晶体管的类型和引脚名称主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器

25、件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 当外加偏置使 即发射结反偏时，晶体管工作在截止状态。 二、晶体管工作状态的分析二、晶体管工作状态的分析工作状态确定的依据是：外加偏置使发射结正偏而导通，即()BEBE onUU时， 此时若晶体管集电结反偏，那么晶体管工作在放大状态。放大状态下满足 , 的条件； BQEQUUBQCQUU()BEBE onVV截止状态下满足 , 的条件； BQEQUUBQCQUU 若外加偏置使发射结正偏而导通（ ），且集电结正偏时，晶体管工作在饱和状态。 ()BEBE onUU饱和状态下满足 , 的条件； BQEQUUBQCQUU主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体

26、放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 例例2.32.3：晶体管电路如图示。已知：晶体管电路如图示。已知()0.6VBE onU50当输入电压当输入电压 分别为分别为0V0V、3V3V、5V5V时，判断晶体管的工作时，判断晶体管的工作状态，并求出输出电压状态，并求出输出电压 的值。的值。IUoU 解解：（1） 时，晶体管截止，此时0IU 0BI0CIBICI12VOCCCCUUI R （2） 时，晶体管处于放大或饱和状态，若设其处于放大状态，则3VIU ()30.60.04mA60IBE onBBUUIR主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及

27、其基本放大电路 BICI500.042mA.CBII1224=4VOCCCCUUI R()1224-0.6=3.4V0CBCBOBECCCCBE onUUUUUUI RU所以，集电结反偏，假设成立。此时 （3） 时，晶体管处于放大或饱和状态，若设其处于放大状态，则5VIU ()50.60.07mA60IBE onBBUUIR500.073.6mA.CBII主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 ()123.640.6=3V0CBCEBEOBECCCCBE onUUUUUUI RU所以管子工作在饱和状态。()OCE satUU2k2k200k-1

28、2VBICIEI判断管子的工作状态，并计算 、 、 。例例2.42.4：晶体管电路如图示。已知()0.7VBE onU 50BICIEI解：由图知BBBEEECCI RUI RU所以120.70.037mA(1)20051 2CCBEBBEUUIRR 主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 500.0371.85mACBII ()()( 121.852)( 120.037200)=3.7V0CBCEBECCCCCCBEUUUUI RUI R 由于管子是PNP型，根据上述计算结果知，集电结反偏，所以可以判定管子工作在放大状态。0.037mABI

29、1.85mACI 式中“-”号表示实际电流方向与所设定的参考方向相反。()121.85(2+2)=4.6VCECCCCEUUIRR 主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 例题例题2.52.5 测量三极管三个电极对地电位如图所示，试判断三极管的工作状态。 用数字电压表测得UB =4.5V、UE =3.8V、UC =8V，试判断三极管的工作状态。电路如图所示例题例题2.62.6主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 2.2 2.2 放大电路基础放大电路基础2.2.1 2.2.1 基本放大器的组成原

30、理基本放大器的组成原理 2.2.2 2.2.2 放大电路原理框图及其主要性能指标放大电路原理框图及其主要性能指标 2.2.3 2.2.3 直流通路和交流通路直流通路和交流通路主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 2.2.1 2.2.1 基本放大器的组成原理基本放大器的组成原理放大：放大： 保持信号不失真的前提下，使其由小变大、由弱变强的过程叫做放大。实现放大的电路为放大电路（器）。有三种基本组态的放大电路： 共发射极、共基极、共集电极。下面以共发射极放大器为例介绍放大器的组成原则 输出电压或电流在幅度上得到了放大，输出信号的能量得到了加强。

31、输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，只输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，只是经过三极管的控制作用，使之转换成信号能量，提是经过三极管的控制作用，使之转换成信号能量，提供给负载。供给负载。 主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 偏置电路：保证晶体管工作在放大区。BRCCU耦合电容：BCCC输入信号电压：信号源：SRsuiu 输入电容CB保证信号加到发射结，不影响发射结偏置。输出电容CC保证信号输送到负载，不影响集电结偏置。 :将变化的集电极电流转换为电压输出。 负载CRLR1. 放大器的组成放大器的组成除了起放大作用的晶体管外，CCU

32、BBUCRSRBRCCsuiuBCLRBRSRCRCCUBCiusuCCLR主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 3、设置合理的信号通路。保证信号源和负载对Q点的影响尽量小，信号传输中的损耗较小。2.放大器的组成原则是：放大器的组成原则是： 1、将晶体管偏置在放大状态，且有合适的静态工作点Q。 2、输入信号加在be回路，BETuUESCiI ei 对 起控制作用。BEuCi主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 2.2.2 2.2.2 放大电路原理框图及其主要性能指标放大电路原理框图及其主要性

33、能指标一、放大电路的原理框图一、放大电路的原理框图 放大电路的性能指标可以用该双端口网络的端口特性来描述。 主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 根据放大电路输入、输出信号的不同，图示的框图可以具体描述为四种二端口网络模型： （a）电压放大器 （b）电流放大器 LouoiRuAu0LoisiRiAi主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 （c）互阻放大器 （d）互导放大器 LoroiRuAi0LogsiRuAu主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大

34、电路 1 1 放大倍数放大倍数 二、二、 放大电路的主要性能指标放大电路的主要性能指标 放大倍数又称为增益，定义为放大电路的输出量与输入量的比值。增益的大小反映了放大电路在输入信号控制下，将供电电源的能量转换为信号能量的能力。 根据处理的输入量和所需的输出量不同，有以下四种不同定义的放大倍数： 主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 (b)电流放大倍数 oiiiAi（c）互阻放大倍数 oriuAi为无量纲单位是欧姆（） （d）互导放大倍数 ogiiAu单位是西门子（S） （a）电压放大倍数 ouiuAu为无量纲主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体

35、放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 在工程上在工程上 、 常用分贝为单位，即：常用分贝为单位，即：uAiA()20lgouiuA dBu()20lgoiiiA dBi 功率与电压（或电流）的平方成比例，因而功率增益可表示为()10lgppAdBA主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 2. 输入电阻 iRiRiiiuRiiSSiiRuuRRa. 由于由于Ri越大，越大，ui也就越大，电路的放大能力越强。也就越大，电路的放大能力越强。b. Ri越大，输入电流越大，输入电流ii越小，越小，信号源的负载越小。信号源的负载越小。c.

36、c.低阻电压源：低阻电压源： 高阻电流源：高阻电流源：iRiRiuii内阻内阻 的损耗的损耗sR主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 输出为电压时：输出为电压时：Ro越小，电路带负载能力越强，输越小，电路带负载能力越强，输出电压越稳定。即负载变化时放大器输出给负载的电压出电压越稳定。即负载变化时放大器输出给负载的电压基本不变。基本不变。00SsLoouioRuRi或LouoioLRuA uRR3. 3. 输出电阻输出电阻 ooiuuA uo0R 当当时，时， 输出为电流时：输出为电流时：Ro越大，电路带负载能力越大，电路带负载能力越强，输出电流越稳定。即负载变化时放大器越强，输出电流越稳定。即负载变化时放大器输出给负载的电流基本不变。输出给负载的电流基本不变。由图知：主讲：杨霓清 第二章第二章 半导体放大器件及其基本放大电路半导体放大器件及其基本放大电路 4. 4. 频率响应和通频带频率响应和通频带 考虑到信号频率不同，电路中电抗元件的作用不同，那么放大电路的电压放大倍数将是信号角频率的函数，即()()()( )()AjouuiUjAjAeUj幅频响应曲线 此式说明：此式说明：放大电路的增益Au(f ) 是频率的函数。在低频段和高频段放大倍数都要下降。主讲：杨霓清