模拟电子技术基础第3章场效应管

1、3.1 3.1 场效应晶体管场效应晶体管3.2 3.2 场效应管放大电路场效应管放大电路1作业作业n3-4n 3-7（第（第3问，当问，当RS2取最大值时计算取最大值时计算AU）n 3-8n 3-10n 3-112本章的重点与难点本章的重点与难点重点重点:1. 掌握掌握场效应管的外特性及主要参数；场效应管的外特性及主要参数； 2. 掌握场效应管放大电路静态工作点与动态参掌握场效应管放大电路静态工作点与动态参数（数（Au、Ri、Ro）的分析方法。）的分析方法。难点难点:通过外部电压对导电沟道的控制作用来说明结通过外部电压对导电沟道的控制作用来说明结型场效应管及绝缘栅型场效应管的工作原理。型场效应

2、管及绝缘栅型场效应管的工作原理。3场效应管输入回路内阻很高场效应管输入回路内阻很高(1071012 )，热稳定性，热稳定性好，噪声低，比晶体管耗电小，应用广泛。好，噪声低，比晶体管耗电小，应用广泛。仅靠多数载流子导电，又称仅靠多数载流子导电，又称单极型单极型晶体管。晶体管。场效应管场效应管（FET）：是利用输入回路的电场效应是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。来控制输出回路电流的一种半导体器件。3.1 3.1 场效应晶体管场效应晶体管4场效应管的分类场效应管的分类5NJFETPNPIGFETNP沟道结型场效应管（）沟道沟道按结构分为增强型沟道绝缘栅场效应管（）沟道耗尽型

3、沟道3.1.1 结型场效应管结型场效应管 N沟道结型场效应管是沟道结型场效应管是在同一块在同一块N型半导体上型半导体上制作两个高掺杂的制作两个高掺杂的P区，区，将它们连接在一起引出将它们连接在一起引出电极电极栅极栅极g。N型半导体型半导体分别引出分别引出漏极漏极d、源极源极s。1. N沟道结型场效应管的结构沟道结型场效应管的结构sgP+N导电沟道导电沟道源极源极s栅极栅极g漏极漏极d6结型场效应管的符号结型场效应管的符号N沟道符号沟道符号dsgdsgP沟道符号沟道符号7(1) g、s间和间和d、s间均短路的情况间均短路的情况导电沟道具有一定的导电沟道具有一定的宽度并且等宽宽度并且等宽2. 工作

4、原理电压控制作用工作原理电压控制作用(以以N沟道为例加以说明沟道为例加以说明)8(2) g、s间加负电压和间加负电压和d、s间短路间短路 UGS0，UDS=0| UGS |增加到某一数值增加到某一数值,耗尽耗尽区区相接相接,沟道消失沟道消失,沟沟道电阻趋于无穷大，沟道电阻趋于无穷大，沟道夹断道夹断此时此时GS的值的值为为夹断电压夹断电压UGS（off） | UGS |增大，耗尽增大，耗尽区区增增宽，沟道变窄，宽，沟道变窄，沟道沟道电电阻增大。阻增大。等宽变化等宽变化N沟道沟道JFETUGS(off)0随着随着UDS 的增加，的增加， ID近似近似线线性性增加增加,d-s间间呈电阻特性呈电阻特性

5、。 10UGD = UGS - UDS = - UDS当当UDS 增加到增加到|UGS（off）| 。漏极附漏极附近的耗尽区相接，称为近的耗尽区相接，称为预夹断预夹断。UDSdsgAID随着随着UDS 增加，增加，ID增大。增大。沟道在漏极处越来越窄。沟道在漏极处越来越窄。此时，此时，UGD= UGS（off）UDS 再增加，夹断区长度增加（再增加，夹断区长度增加（AA）。）。A预夹断时，导电沟道内仍有电预夹断时，导电沟道内仍有电流流ID ，且，且UDS增大时增大时ID几乎不变。几乎不变。11g、s间的负电压使导电沟间的负电压使导电沟道变窄（等宽）道变窄（等宽）；d、s间间的正电压使沟道不等宽

6、的正电压使沟道不等宽。 UGS 增加，导电沟道变窄，增加，导电沟道变窄，沟道电阻增大，相同沟道电阻增大，相同UDS产产生的生的ID减小。减小。dsgUDSUGSID(4) g、s间加负向电压，间加负向电压，d、s间加正向电压间加正向电压 UGS0（综合（综合（2 2）（）（3 3）两种情况）两种情况）12称场效应管为称场效应管为电压控制元件。电压控制元件。由于由于UDS的增加几乎全的增加几乎全部落在夹断区，漏极电部落在夹断区，漏极电流流ID基本保持不变。基本保持不变。ID几乎仅仅决定于几乎仅仅决定于UGS，表现出恒流特性。表现出恒流特性。 AdsgUDSUGSID13预预夹断情况夹断情况 下，

7、下，对应对应U UGSGS0 0时的时的I ID D最大，最大，称为称为“饱和漏极电流饱和漏极电流I IDSSDSS”2. 工作原理电压控制作用工作原理电压控制作用正常工作时（放大）：正常工作时（放大）：在栅在栅-源之间加源之间加负向电压负向电压，(保证耗尽层承受反向电压保证耗尽层承受反向电压) 漏漏-源之间加源之间加正向电压正向电压，(以形成流入漏极的电流）以形成流入漏极的电流）这样既保证了栅源之间的电阻这样既保证了栅源之间的电阻很高，又实现了很高，又实现了ugs对沟道电流对沟道电流iD的控制。的控制。d耗尽层耗尽层sgP+N导电沟道导电沟道结构示意图结构示意图2. 工作原理电压控制作用工作

8、原理电压控制作用143. 结型场效应管的特性结型场效应管的特性ID = f (UDS )UGS = 常数常数（1）输出特性曲线）输出特性曲线因场效应管栅极电流几乎为因场效应管栅极电流几乎为零，不讨论输入特性。零，不讨论输入特性。输出特性和转移特性输出特性和转移特性从图中可以看出，管子的工作状态分为四个区域：从图中可以看出，管子的工作状态分为四个区域：可变电阻区，恒流区，夹断区及击穿区。可变电阻区，恒流区，夹断区及击穿区。UGS 015UDS较小、曲线靠近纵轴的部分较小、曲线靠近纵轴的部分。也就是预夹断轨迹左边区域。也就是预夹断轨迹左边区域。 1) 可变电阻区可变电阻区 条件条件：|UGS |

9、|UGS（off） | |UGD | |UGS（off） |预夹断轨迹预夹断轨迹：连接连接各曲线上各曲线上UGD= UGS（off）的点的点特点：可通过改变特点：可通过改变UGS大大小来改变漏源间电阻值。小来改变漏源间电阻值。16dsgUDSiDUDS较大、较大、 ID基本不随基本不随UDS的增的增加而增加的部分加而增加的部分。预夹断轨迹右边区域。预夹断轨迹右边区域。2) 恒流区（饱和区，放大区）恒流区（饱和区，放大区）条件：条件：|UGS | | UGS（off） |特点：特点： ID只受只受UGS 控制控制17dsgUDSUGSID 导电沟道全部夹断。导电沟道全部夹断。3) 夹断区（截止区

10、）夹断区（截止区）条件条件：|UGS | | UGS（off） | 特点：特点： ID 018194)4)击穿区：击穿区：U UDSDS增加到一定程度，电流急剧增大增加到一定程度，电流急剧增大( (雪崩）。雪崩）。 不允许管子工作在击穿区。不允许管子工作在击穿区。sgP+N导电沟道导电沟道转移特性曲线与输出特性曲线有严格的对应关系转移特性曲线与输出特性曲线有严格的对应关系（2）转移特性）转移特性ID = f (UGS )UDS = 常数常数反映反映UGS对对ID的控制作用的控制作用UDS=8VIDSS饱和漏极电流饱和漏极电流UGS=0时产生预夹时产生预夹断时的漏极电流断时的漏极电流放大区的转移

11、特性曲线几乎重合。可变电阻区时，不放大区的转移特性曲线几乎重合。可变电阻区时，不同的同的UDS ，转移特性曲线有很大差别。，转移特性曲线有很大差别。20恒流区恒流区ID近似表达式为：近似表达式为：2GSDDSSGS(off)=I(1-)UIU30123 UGS / VUGS(off)ID /mA4IDSS12N沟道沟道结型场效应管，栅源之间加结型场效应管，栅源之间加反向反向电压。电压。P沟沟道道结型场效应管，栅源之间加结型场效应管，栅源之间加正向正向电压。电压。211.4.2 绝缘栅型场效应管（绝缘栅型场效应管（MOS管管) ) 结型场效应管输入电阻可达结型场效应管输入电阻可达107 ，但有些

12、情况还，但有些情况还不足够大；另外温度升高时，不足够大；另外温度升高时，PN结反向电流增大，结反向电流增大，输入电阻减小。输入电阻减小。 绝缘栅型场效应管采用绝缘栅型场效应管采用sio2绝缘层隔离，栅极为金绝缘层隔离，栅极为金属铝，又称为属铝，又称为MOS管，管，MOS管栅极与沟道之间处管栅极与沟道之间处于绝缘状态，输入电阻大，并且易于集成于绝缘状态，输入电阻大，并且易于集成。 2223MOS管分类管分类 NMOSNMOSPMOSPMOS增强型沟道管（）耗尽型MOS管增强型沟道管（）耗尽型栅栅-源电压源电压UGS为零时，无导电沟道的管子称为为零时，无导电沟道的管子称为增强型增强型栅栅-源电压源

13、电压UGS为零时，已建立了导电沟道的管子称为为零时，已建立了导电沟道的管子称为耗尽型耗尽型1、N沟道增强型沟道增强型MOS管管 （1）结构）结构 通常通常衬底和源极连接在一起衬底和源极连接在一起使用。使用。 栅栅-源电压改变时，源电压改变时，将改变衬底靠近绝缘层处感将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。极电流的大小。P型硅衬底型硅衬底源极源极s 栅极栅极g漏极漏极d 衬底引线衬底引线BN+N+SiO2dBsgN沟道符号沟道符号dBsgP沟道符号沟道符号24SiO2P型硅衬底型硅衬底耗尽层耗尽层衬底引线衬底引线BN+N+sgdUDSID = 0D与

14、与S之间是两个之间是两个PN结反向串联，结反向串联，无论无论D与与S之间加之间加什么极性的电压，什么极性的电压，漏极电流均接近于漏极电流均接近于零。零。（2） 工作原理工作原理1) 1) UGS =025 由于绝缘层由于绝缘层SiO2的存在，栅极的存在，栅极电流为零。电流为零。 栅源电压产生向下的电场强度，栅源电压产生向下的电场强度，基底靠近栅极形成基底靠近栅极形成N型型薄层，薄层，称为反型层。称为反型层。 这个反型层就构成了漏源之间这个反型层就构成了漏源之间的导电沟道。的导电沟道。PN+N+sgd反型层反型层2）UGS 0 ，UDS =026UGS到达到达UGS（th)后，后，UGS越大，反

15、型层越宽，导电沟越大，反型层越宽，导电沟道电阻越小，相同的道电阻越小，相同的UDS产生的电流产生的电流ID大，从而实大，从而实现了现了压控电流作用压控电流作用。 产生反型层（导电沟道）时产生反型层（导电沟道）时对应的栅对应的栅-源电压称为源电压称为 开启电压开启电压UGS(th) PN+N+sgd反型层反型层27 UDS作用产生漏极电流作用产生漏极电流ID 。沟。沟道各点对栅极电压不再相等，道各点对栅极电压不再相等，导电沟道导电沟道宽度不再相等宽度不再相等，沿源，沿源-漏方向逐渐变窄。漏方向逐渐变窄。3）UGS UGS(th） ，UDS 0P衬底衬底B BN+N+sgdUGD=UGS-UDS

16、UGS(th） ，UDS 0P衬底衬底BN+N+sgd2930恒流区恒流区击穿区击穿区可变电阻区可变电阻区夹断区夹断区输出特性输出特性转移特性转移特性（3） 特性曲线特性曲线2GSDD0GS(th)=(-1)UIIU恒流区恒流区ID和和UGS的近似关系：的近似关系：ID0是是UGS = 2UGS(th)时的时的ID。UDS =10V0123246UGS / VUGs(th)ID /mA31制造时，在绝缘层中掺入大量的制造时，在绝缘层中掺入大量的正离子，即使正离子，即使UGS =0，在正离子，在正离子的作用下，源的作用下，源-漏之间也存在导电漏之间也存在导电沟道。只要加正向沟道。只要加正向UDS

17、 ，就会产，就会产生流入漏极的电流生流入漏极的电流ID。UGS0,并且当并且当UGS小于某一值时，小于某一值时，导电沟道消失，此时的导电沟道消失，此时的UGS称为称为夹断电压夹断电压UGS(off) 。结构示意图结构示意图P源极源极s漏极漏极d 栅极栅极gBN+N+正离子正离子反型层反型层SiO22、N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSMOS管管322GSDDSSGS(off)=I(1-)UIUdN沟道符号沟道符号BsgP沟道符号沟道符号dBsgMOSMOS管符号管符号dBsgN沟道符号沟道符号dBsgP沟道符号沟道符号耗尽型耗尽型MOSMOS管符号管符号增强型增强型MOSMOS管符号管符号33432

18、104812UGS =1V2V3V输出特性输出特性转移特性转移特性N N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSMOS管的特性曲线管的特性曲线 1230V1012123 UGS / V2. 特性曲线特性曲线 ID UGSUGs(off) UDS / VUDS =10VID /mAID /mA34场效场效应管应管的符的符号及号及特性特性76页页结型结型N沟道沟道结型结型P沟道沟道NMOS增强型增强型NMOS耗尽型耗尽型PMOS增强型增强型PMOS耗尽型耗尽型（+）（+）（+）（+）（-）（-）（-）（-）3536判断判断N沟道结型场沟道结型场效应效应管的工作状态管的工作状态UGS（off） 0(1) UGSU

19、GS（off） ， UGDUGS（off） ， UGDUGS（off） ：可变电阻区可变电阻区37判断判断MOS管的工作状态管的工作状态N沟道增强型沟道增强型：UGS（th） 0(1) UGSUGS（th） ， UGDUGS（th） ， UGDUGS（th） ：可变电阻区可变电阻区38P沟道增强型沟道增强型：UGS（th） UGS（th） ：夹断区夹断区(2) UGSUGS（th） ：恒流区恒流区(3) UGSUGS（th） ， UGDUGS（th） ：可变电阻区可变电阻区 测得某放大电路中三个测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及它们的管的三个电极的电位及它们的开启电压如表所示。试分

20、析各管的工作状态（夹断区、恒开启电压如表所示。试分析各管的工作状态（夹断区、恒流区、可变电阻区）。流区、可变电阻区）。管号管号U UGS(th)GS(th)/V/VUs/VUs/VU UG G/V/VU UD D/V/V工作状态工作状态T14-513T2-43310T3-4605恒流区恒流区夹断区夹断区可变电阻区可变电阻区增强型增强型NMOSPMOS391、直流参数、直流参数 （1）开启电压开启电压UGS(th) UDS为固定值能产生漏极电流为固定值能产生漏极电流ID所需的栅所需的栅-源电源电压压UGS的最小值。的最小值。 增强型增强型MOS管的参数管的参数。 （NMOS管为正，管为正，PMO

21、S管为负）管为负）40 （ 2）夹断电压夹断电压 UGS(off) UDS为固定值使漏极电流近似等于零时所需的栅为固定值使漏极电流近似等于零时所需的栅-源电压。源电压。 结型场效应管和耗尽型结型场效应管和耗尽型MOS管管的参数。的参数。 （NMOS管为负，管为负，PMOS管为正）。管为正）。41 （4）直流输入电阻直流输入电阻RGS（DC）栅栅- -源电压与栅极电流的比值，其值很高源电压与栅极电流的比值，其值很高, , 一般为一般为107-1010左右。左右。 （3）饱和漏极电流）饱和漏极电流IDSS对于对于耗尽型耗尽型MOS管，在管，在UGS =0情况下产生情况下产生 预夹断预夹断时的漏极电

22、流。时的漏极电流。422、交流参数、交流参数 gm是衡量栅是衡量栅-源电压对漏极电流控制能力的一个重源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数，要参数，gm一般都较小，所以场效应管放大电路的一般都较小，所以场效应管放大电路的增益较低增益较低。 （1）低频跨导）低频跨导 gm管子工作在恒流区并且管子工作在恒流区并且 UDS为常数时，漏极电流的微为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的栅变量与引起这个变化的栅-源电压的微变量之比称为低源电压的微变量之比称为低频跨导，即频跨导，即DmDSGSig|Uu常量43（2）交流输出电阻）交流输出电阻rdsrds反映了反映了uDS对对iD的影响，是输出特性曲线上

23、的影响，是输出特性曲线上Q点处切点处切线斜率的倒数线斜率的倒数 rds在在恒流区很大。恒流区很大。常数GSUDDSdsiur443、参数参数（1）最大漏极电流）最大漏极电流IDM()最大漏源电压最大漏源电压U DS(BR)(3)最大栅源电压最大栅源电压U GS(BR)(4)最大耗散功率最大耗散功率P DM453.1.4 3.1.4 场效应管与双极型晶体管的比较场效应管与双极型晶体管的比较场效应管的栅极场效应管的栅极g g、源极、源极s s、漏极、漏极d d分别对应于晶体管分别对应于晶体管的基极的基极b b、发射极、发射极e e、集电极、集电极c c1 1）FETFET是电压控制元件，输入阻抗很

24、高；是电压控制元件，输入阻抗很高；BJT BJT 是电流控制元件，输入阻抗较小；是电流控制元件，输入阻抗较小；2 2）FETFET（单极型）多子参与导电，温度稳定性好，抗（单极型）多子参与导电，温度稳定性好，抗辐射能力强，辐射能力强， FETFET噪声系数小；噪声系数小；BJTBJT为多子和少子同时参与导电，温度特性能差；为多子和少子同时参与导电，温度特性能差；463 3）FETFET漏极与源极可以互换使用；漏极与源极可以互换使用；BJTBJT的发射极与集的发射极与集电极一般不能互换使用；电极一般不能互换使用； FETFET比比BJTBJT的种类多，组成的种类多，组成电路更灵活；电路更灵活；4

25、 4）FETFET工艺简单，功耗小，占用芯片面积小，电源范工艺简单，功耗小，占用芯片面积小，电源范围宽，更多用于大规模和超大规模集成电路。围宽，更多用于大规模和超大规模集成电路。）管的栅极绝缘，外界感应电荷不易泄放。）管的栅极绝缘，外界感应电荷不易泄放。存储及使用时要注意。存储及使用时要注意。47例例 电路及管子的输出特性如图所示。试分析电路及管子的输出特性如图所示。试分析uI为为0、8V和和10V三种情况下三种情况下uO分别为几伏。分别为几伏。+VDD(+15V)RD5kuo +-uI +- -2105101510V8V6V uDS / ViD /mA4V48 首先需要分析该管子是什么类型的

26、场效应管。首先需要分析该管子是什么类型的场效应管。N沟道增强型沟道增强型MOS管管2105101510V8V6V uDS / ViD /mA4V开启电压开启电压UGS(th)=4V49例例 电路及管子的输出特性如图所示。试分析电路及管子的输出特性如图所示。试分析uI为为0、8V和和10V三种情况下三种情况下uO分别为几伏。分别为几伏。+VDD(+15V)RD5kuo +-uI +- -2105101510V8V6V uDS / ViD /mA4VVVuuiuuDDDSODIGS15, 00) 1 (，因而时，管子处于夹断状态当50预夹断轨迹，预夹断轨迹，UGD=UGS(th)4V6VVVRiV

27、uumAiVuuDDDDDSODIGS10)5115(,18)2(的时，管子工作在恒流区当+VDD(+15V)RD5kuo +-uI +- -2105101510V8V6V uDS / ViD /mA4V输入电压为输入电压为8V514VVVVRRRukiuRVuuDDDdsdsODDSdsIGS6 . 51535331013/103区，等效电阻为，管子工作在可变电阻（3）当）当UGS(th)=10V时，若认为时，若认为 T工作在恒流区，工作在恒流区，则则iD为为2.2mA, uo=4V，而，而uGS=10V时的预夹断电时的预夹断电压为压为uDS=6V说明管子工作在可变电阻区。说明管子工作在可变

28、电阻区。+VDD(+15V)RD5kuo +-uI +- - uDS / V2105101510V8V6ViD /mA4V3526V场效应管组成的放大电路与双极型晶体管一样，场效应管组成的放大电路与双极型晶体管一样，必须建立必须建立合适的静态工作点。合适的静态工作点。. . 场效应管放大电路场效应管放大电路. . .1. 1. 自给偏压电路自给偏压电路此电路只适用于此电路只适用于耗尽型器件耗尽型器件不适用于增强型器件不适用于增强型器件53静态工作点分析静态工作点分析GSQGQSQDQsGSQ2DQDSSGS(off)U=U-U=-IRUI=I(1-)UDSQDDDQDS()UVIRR栅极电流为

29、栅极电流为0，则，则UGQ=0解方程求出IDQ和UGSQ54解出两个解，UGSQ一定要保证管子工作在恒流区。、分压式偏置电路、分压式偏置电路静态工作点分析静态工作点分析直流通路直流通路55GSQGQSQG2DDDQSG1G2UUURVIRRRIDQ UGSQ2GSDD0GS(th)(1)UiIUDSQDDDQDS()UVIRR栅极电流为栅极电流为0增强型增强型MOSMOS管的电流方程管的电流方程静态工作点分析静态工作点分析56静态分析小结静态分析小结n利用场效应管栅极电流为利用场效应管栅极电流为0，得到栅源电压，得到栅源电压与漏极电流之间关系式。与漏极电流之间关系式。n列出场效应管在恒流区的电

30、流方程。列出场效应管在恒流区的电流方程。 联立上述两方程，求解联立上述两方程，求解UGSQ和和IDQ，并推算，并推算UDSQ。n注意解算后应使得管子工作在注意解算后应使得管子工作在恒流区恒流区。57G1G2GSDDDGSoffDSS: R=2M,R=47k,R =10M,R =2k,R =30k,V=18V,U=-1VI=0.5mA（）例 图示电路中，场效应管的，求静态工作点QGSQDQ2DQGSQ0.420.5(1)UIIUDQ1DQ20.31,1.59ImA ImAGSQ2DQDSSGS(off)(1)UIIUGSQ1GSQ2GS(off)0.22 ,2.78 (,)UV UVU 舍去DS

31、QDDDQSD()8.1UVIRRV58G2GSQGQSQDDDQSG1G2RUUUVIRRR例例3-1 自给偏压电路中自给偏压电路中,已知场效应管的输出特性已知场效应管的输出特性, 用图解法确定用图解法确定Q点点GSDDDR =10M,R =2K,R =18k,V=20V(1) (1) 根据直流负载线与各输根据直流负载线与各输出曲线的交点出曲线的交点a a、b b、c c、d d、e e所对应的所对应的i iD D和和u uGSGS的值作的值作转移转移特性特性59Q59GSDSui R (2) (2) 根据输入回路根据输入回路方程作方程作源极负载线源极负载线OLOL例例3-1 自给偏压电路中

32、自给偏压电路中,已知场效应管的输出特性已知场效应管的输出特性, 用图解法确定用图解法确定Q点点GSDDDR =10M,R =2K,R =18k,V=20VDSDDSDD()uiRRV(3) (3) 根据输出回路方程作根据输出回路方程作直流负载线直流负载线MNMN6060QQ613.2.2 用微变等效电路法分析场效应管放大用微变等效电路法分析场效应管放大电路的动态参数电路的动态参数 场效应管的交流低频小信号模型场效应管的交流低频小信号模型),(DSGSDuufi1DSGSDDmGSDSdsUUiiguur令，DSUDSDGSUGSDDuuiuuiiGSDSddd求全微分求全微分dsdsgsmdU

33、rUgI1则低频小信号模型低频小信号模型dsdsgsmdUrUgI1MOSMOS管简化交流等效模型管简化交流等效模型sdg. . .U Ugsgsg gm mU Ugsgs62rdssdg. . .U Ugsgsg gm mU Ugsgs增强型增强型MOSMOS：2GSDD0GS(th)(1)UiIUgm的计算的计算mD0 DQGS(th)2gI IU63耗尽型耗尽型MOSMOS及结型及结型FETFET2GSDDSSGS(off)(1)uiIUDSSDQGS(off)2mgIIU64应用微变等效电路分析法分析应用微变等效电路分析法分析场效应管放大电路场效应管放大电路（）（）共源放大电路共源放大

34、电路 1) 1)静态分析：静态分析： 自给偏置电路自给偏置电路65微变等效电路微变等效电路 电压增益电压增益LDLLmgsLgsmgsLdiOuRRRRgURUgURIUUA/2 2）动态分析：）动态分析：66GiRR 输入电阻输入电阻 输出电阻输出电阻DoRR 67例例3-3图示电路图示电路, 计算计算、和和，已知，已知12300,100,2,2,10,1,GGGSDmRkRkRMRkRkgmS解：解：由于由于gm值已给，因此值已给，因此不需要进行静态分析。不需要进行静态分析。68mgsDOmDumSigsmgsSg U RUg RA3.31 g RUUg U R 动态分析：动态分析：1）电压增益）电压增益69kRRDo10共源电路的电压增益比共射电路小，输入电阻大共源电路的电压增益比共射电路小，输入电阻大输入与输出电阻输入与输出电阻12/2.075iGGGRRRRM70（）共漏放大电路（）共漏放大电路静态分析静态分析71SLLLmLm