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1、第一章第一章第二章第二章-pn-pn结结第二章第二章- -第二章第二章- -公式公式: )exp(kTEENcnFC)exp(kTEENpVFV导带底附近，非简并半导体，电子密度：导带底附近，非简并半导体，电子密度：价带顶附近，非简价带顶附近，非简并半导体，并半导体，空穴密度：空穴密度：热平衡条件（质量作用定律）热平衡条件（质量作用定律）: )2/exp(kTENNngVCi 本征载流子浓度：本征载流子浓度： 2innp 突变突变PnPn结耗尽区电中性条件：结耗尽区电中性条件：pAnDxNxN)(2121pnmmbixxEWEV 内建电势：内建电势：结两侧空穴密度和电子密度，结两侧空穴密度和电

2、子密度，( (加偏压之后也要知道）加偏压之后也要知道） 耗尽区宽度与内建势的关系：耗尽区宽度与内建势的关系：)exp(00kTqVppbipn)exp(00kTqVnnbinpBbisqNVW 2 )1e (JJJJT/qVsPn k肖克莱方程，理想二极管定律肖克莱方程，理想二极管定律 CEBIII0001静态共发射极电流增益静态共发射极电流增益: TTM0CBOCEOII0双极晶体管各电流之间的关系双极晶体管各电流之间的关系静态共基极电流增益静态共基极电流增益: : 两个饱和电流之间的关系两个饱和电流之间的关系: iABsnNqkTinvln22)( 强反型开始强反型开始 DsDLC )(平带平带半导体平带电容：半导体平带电容： sAnMQWqNQQ siVV isisiiCQdQdEV dCiiAsmqNinvW)(2 MISMIS结构的电中性条件：结构的电中性条件： 总电压：总电压： 绝缘层上的压降：绝缘层上的压降： 半导体最大耗尽区宽度：半导体最大耗尽区宽度： 在不同情况下的开启电压（阈值电压）在不同情况下的开启电压（阈值电压）: :VT (强反型

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