硅片加工重点

1、倒角研磨热处理倒角研磨热处理n倒角、研磨、热处理目的和意义倒角、研磨、热处理目的和意义n研磨浆成分，属于什么磨削研磨浆成分，属于什么磨削n研磨浆中磨粒和磨削液的作用研磨浆中磨粒和磨削液的作用n双面研磨的基本组成是：上、下磨盘双面研磨的基本组成是：上、下磨盘+中间中间载体，硅片放于载体中的孔洞。载体，硅片放于载体中的孔洞。n研磨中，硅片的运动：行星式运动研磨中，硅片的运动：行星式运动n浓度和压强对研磨速率的影响浓度和压强对研磨速率的影响n热施主概念，主要来自那种元素热施主概念，主要来自那种元素n新施主，热施主的形成温度，热处理的退新施主，热施主的形成温度，热处理的退火温度火温度n必须消除热施主的

2、原因必须消除热施主的原因n为何退火选取硅片而不是硅棒为何退火选取硅片而不是硅棒n倒角磨片热处理中，应力的形成与消除倒角磨片热处理中，应力的形成与消除n氧沉积的利用氧沉积的利用抛光抛光n硅片的理想状态是什么硅片的理想状态是什么n抛光前化学剪薄的意义（作用）和方法抛光前化学剪薄的意义（作用）和方法nCMP抛光的基本思想，两种作用的内容和抛光的基本思想，两种作用的内容和相互关系相互关系n抛光液的主要成分和作用抛光液的主要成分和作用n通过控制那些参数，逐步提高抛光精度通过控制那些参数，逐步提高抛光精度n单面化学机械抛光分为有蜡和无蜡单面抛单面化学机械抛光分为有蜡和无蜡单面抛光，如何固定硅片光，如何固定

3、硅片n压力，转速，等如何影响抛光的速率压力，转速，等如何影响抛光的速率n抛光过程中较大和较小抛光过程中较大和较小SIO2胶粒的作用胶粒的作用n橘皮和雾形成的原因主要是什么橘皮和雾形成的原因主要是什么硅片清洗硅片清洗n硅片表面有哪两种吸附，各自特点是什么。硅片表面有哪两种吸附，各自特点是什么。n吸附能力和原子面有关，吸附能力和原子面有关，Si什么面吸附能力什么面吸附能力最强最强n典型的湿法物理和化学清洗典型的湿法物理和化学清洗n清洗对象清洗对象主要污染物种类主要污染物种类n切割片、研磨片、抛光片主要清洗方法切割片、研磨片、抛光片主要清洗方法nRCA清洗液的主要成分作用，及主要作用清洗液的主要成分

4、作用，及主要作用nRCA什么清洗液去除颗粒，主要机理什么清洗液去除颗粒，主要机理n清洗过程中，为防止颗粒二次吸附造成深清洗过程中，为防止颗粒二次吸附造成深层次污染，所需加入到试剂是什么层次污染，所需加入到试剂是什么n简述根据污染物含量的不同，如何清洗有简述根据污染物含量的不同，如何清洗有机物机物n如何清洗化学（物理）吸附的杂质如何清洗化学（物理）吸附的杂质n对于不溶物，如何增加其在液体中分散性对于不溶物，如何增加其在液体中分散性n清洗中哪种试剂会增加粗糙度清洗中哪种试剂会增加粗糙度n清洗中，表层清洗中，表层SiO2的作用的作用绪论绪论n硅晶体结构，最密集原子面，最优解理面硅晶体结构，最密集原子

5、面，最优解理面n硅熔点硅熔点n金属硅制备方法，高纯多晶硅制备方法，金属硅制备方法，高纯多晶硅制备方法，单晶硅制备方法，单晶硅制备方法，n单晶的两种生长方法，各自的优点和缺点单晶的两种生长方法，各自的优点和缺点n多晶锭制备方法多晶锭制备方法n硅片的主、副参考面，主要作用硅片的主、副参考面，主要作用n最常见的两种晶向的硅片最常见的两种晶向的硅片滚磨开方滚磨开方n滚磨，开方的目的和意义滚磨，开方的目的和意义n加工对象：电路单晶硅，光伏单晶硅，光加工对象：电路单晶硅，光伏单晶硅，光伏铸锭多晶硅伏铸锭多晶硅n几种对象在此阶段如何加工几种对象在此阶段如何加工n磨削的两种方式磨削的两种方式n滚磨、开方的主要设备滚磨、开方的主要设备定向切割定向切割n切割方法：内圆、外圆、多线切割方法：内圆、外圆、多线n切片的主流设备，切割的原理切片的主流设备，切割的原理n切割砂浆的组成，主要作用，切割砂浆的组成，主要作用，78页页n多线切割的