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文档简介

1、集成电路版图设计复习1. 在P型硅片上设计的nMOS管可以分为n+层、 SiO2层 、多晶硅层和金属层。2. MOS管元件参数中的Cox是栅极单位面积所具有的 电容 。3. SiO2层在MOS器件中作为MOS器件的 绝缘栅介质 。4. 在MOS管版图设计中，W是指源极/漏极沿栅极方向的长度，L是指 栅极的宽度 。5. 集成电路版图设计中的扩散电阻，其中R是由工艺所决定的 单位面积上的电阻 。6. 是PN结的内部电位，是由于 载流子扩散 引起的电位。7. 是共源极放大器输出电压的计算公式，说明输出电压不仅与输入电压有关，还与 宽长比 和工艺有关。8. 在单晶衬底上生长单晶材料的工艺叫做外延，生长

2、有外延层的晶体片叫做 外延片 。是BJT制造中经常使用的技术。9. 版图设计软件一般提供三种基本的检查，DRC（设计规则检查）、ERC（电气规则检查）和LSV（版图与原理图对照检查）。10. 在设计数字电路中二极管时，一般选择 Cj=0.5Cj0 。得分评阅人11. 集成电路设计流程包括系统设计、设计规范、电路设计、 （1） 四个阶段。(1) 版图设计 (2) 几何尺寸 (3) 工艺 (4) LSV12. 不同的生产线提供不同的工艺保证，设计应当遵守工艺要求： （1） 要求、扩散要求、光刻条件要求、封装要求。(1) 几何尺寸 (2) 电路设计 (3) 工艺 (4) LSV13. 通常要形成N型

3、半导体需要在本征半导体中掺入 （1） 、砷等杂质，要形成P型半导体需要在本征半导体中掺入硼等杂质。(1) 磷 (2) 硼 (3)铁 (4)铝14. 版图设计软件一般提供三种基本的检查，DRC、ERC和 （1） 。(1) LSV (2)SOPC (3)ADC (4)LEDIT15. 是PN结的内部电位，是由于 (1) 引起的电位。（密封线内勿答题） 姓名 学号 学院（系） 专业 年级 班（密封线内勿答题） (1)载流子扩散 (2) 载流子复合 (3) 外部电位 (4)反压16. 绘制图示版图的原理图 17. 绘制图示版图的原理图18、 绘制图示版图的原理图 19. 绘制图示版图的原理图得分评阅人20. 绘制图示原理图的版图2

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