ETi-SB40AE-BL亮度提升及测试电流变更说明_第1页
ETi-SB40AE-BL亮度提升及测试电流变更说明_第2页
ETi-SB40AE-BL亮度提升及测试电流变更说明_第3页
ETi-SB40AE-BL亮度提升及测试电流变更说明_第4页
ETi-SB40AE-BL亮度提升及测试电流变更说明_第5页
已阅读5页，还剩6页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、大连德豪光电科技有限公司 芯片研发部2016/3/18ETi-SB40AE-BL亮度提升及测试电流变更说明ETi-SB40AE-BL变更为ETi-SB40JA-BL 变更内容：1.ETi-SB40AE-BL为倒装高压4015 9V产品。目前此款产品由于测试工序产能问题需要降低测试电流，bin表也会做相应修改。由于只是更改测试电流，芯片性能没有任何降低（芯片的超驱性能依然良好）。2. 同时变更的有芯片工艺优化（亮度提升），亮度预计比之前提升4%左右。3. 芯片设计中增加防顶针设计，预期能够减少固晶过程中顶针对芯片的损伤。110mA 测试电流 80mA0.2V 电压分bin0.3V变 更影 响Bi

2、n表会相应变更，亮度主bin有变化（实际芯片性能没变，具体见后页的变更前后数据对照表） VF3 电压分bin间隔加大至0.3VETi-SB40AE-BL 产品代码ETi-SB40JA-BL客户下单时需要变更为新的产品代码 变更原因与内容芯片外观变化变 更影 响预期能够减少固晶过程中顶针对芯片的损伤防顶针设计变更bin表前后数据对应关系MINMAX325350350375375400400425425450MINMAX240260260280280300300320320340 测试各项参数对照：测试参数变化Forward Voltage(Vf)80mA比110mA电压降低0.15VRadiom

3、etric Power亮度对应关系如右表WDWD无变化Reverse CurrentIR 无变化VF1VF1 无变化VZVZ 无变化 由于工艺优化，亮度预计较之前提升一个bin（亮度主bin为黄色部分）110mA测试亮度80mA测试亮度规格书变更 Typical 光电参数： Bin 表：Test Purpose SNK4015 Device Qualification Report ModelSNK4015 Rated Current110mAPackage ETI-MCPCB Test Item ItemDuration Burn-in Current Environmental ParameterVF Shift90mALOP %90mAVF Shift0.001mAIR(uA)10VSpec Limit=70%=0.6V 500hrs: LOP shift20%VF4 shift 0.6V VF1 shift 0.6V and IR500hrs: LOP shift20%VF4 shift 0.6V VF1 shift 0.6V and IR500hrs: LOP shift20%VF4 shift 0.6V VF1 shift 0.6V and IR500hrs

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 备课教案

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论