第五章放大电路的频率特性(new)

1、05 放大电路的频率特性 在放大电路的通频带中给出了频率特性的概念在放大电路的通频带中给出了频率特性的概念- 幅度频率特性幅度频率特性 相位频率特性相位频率特性 幅频特性是描绘输入信号幅度幅频特性是描绘输入信号幅度固定，输出信号的幅度随频率变化固定，输出信号的幅度随频率变化而变化的规律。即而变化的规律。即 = =Aio/VVf () 相频特性是描绘输出信号与输入相频特性是描绘输出信号与输入信号之间相位差随频率变化而变化信号之间相位差随频率变化而变化的规律。即的规律。即)(iofVVA这些统称放大电路的频率响应。这些统称放大电路的频率响应。幅频特性偏离中频值的现象称为幅度频率失真; 相频特性偏离

2、中频值的现象称为相位频率失真。 放大电路的幅频特性和相频特性，也称为频率响应。因放大电路对不同频率成分信号的增益不同，从而使输出波形产生失真，称为幅度频率失真，简称幅频失真。放大电路对不同频率成分信号的相移不同，从而使输出波形产生失真，称为相位频率失真，简称相频失真。幅频失真和相频失真是线性失真。 产生频率失真的原因是产生频率失真的原因是: :1.1.放大电路中存在电抗性元件，放大电路中存在电抗性元件，例如例如 耦合电容、旁路电容、分布电容、变压耦合电容、旁路电容、分布电容、变压 器、分布电感等器、分布电感等; ; 2.2.三极管的三极管的 ( ( ) )是频率的函数。是频率的函数。 在研究频

3、率特性时，三极管的低频小信号在研究频率特性时，三极管的低频小信号模型不再适用，而要采用高频小信号模型。模型不再适用，而要采用高频小信号模型。这些统称放大电路的频率响应。这些统称放大电路的频率响应。幅频特性偏离中频值的现象称为幅度频率失真; 相频特性偏离中频值的现象称为相位频率失真。5.1 RC电路的频率响应 5.2 双极型三极管的高频小 信号模型 5.3 共发射极接法放大电路 的频率特性 5.4 场效应三极管的高频小 信号模型5.1 RC电路的频率响应 5.1.1 RC低通电路 5.1.2 RC高通电路5.1.1 RC低通电路 RC低通电路如图05. 01所示。 2H)(11ffAv ffRC

4、012H arctg(Hff) 式中011RC。vA的模、上限截止频率和相角分别为0ioj11j11RCVVvA=RC+-io.VV图05.01RC低通电路其电压放大倍数(传递函数)为 由以上公式可做出如图05.02所示的RC低通电路的近似频率特性曲线： 2H)(11ffAv arctg(Hff)图05.02 RC低通电路的频率特性曲线 幅频特性的X轴和Y轴都是采用对数坐标,称为上限截止频率上限截止频率。当 时，幅频特性将以十倍频20dB的斜率下降，或写成-20dB/dec。在 处的误差最大，有3dB。 ffH f =fH fH fH f =fH 当 时，相频特性将滞后45，并具有 -45/d

5、ec的斜率。在0.1 和10 处与实际的相频特性有最大的误差，其值分别为+5.7和5.7。 这种折线化画出的频率特性曲线称为波特图，是分析放大电路频率响应的重要手段。 fH)arctg(90Loff5.1.2 RC高通电路 其电压放大倍数 为：vARCff21L02LL)(1/ffffAvLLLLio/j1/j/j1/jffffVVvA=L11RC。式中 下限截止频率、模和相角分别为 RC高通电路如图05.03所示。图 05.03 RC 高通电路 由此可做出如图05.04所示的RC高通电路的近似频率特性曲线。2LL)(1/ffffAv)arctg(90Loff图05.04 RC高通电路的近似频

6、率特性曲线5.2 双极型三极管的高频小信号模型5.2.1.5.2.1.混合混合型高频小信号模型型高频小信号模型5.2.2 5.2.2 电流放大系数电流放大系数的频响的频响5.2.15.2.1混合混合型高频小信号模型高频小信号模型型 混合型高频小信号模型是通过三极管的物理模型而建立的，三极管的物理结构如图05.05所示。rbe- re归算到基极回路的电阻 -发射结电容，也用C这一符号Cbe-集电结电阻rbc -集电结电容，也用C这一符号 Cbc rbb -基区的体电阻，b是假想的基区内的一个点。图05.05 双极型三极管 物理模型（1）物理模型 - 发射结电阻 re 根据这一物理模型可以画出混合

7、型高频小信号模型，如图05.06所示。图05.06高频混合型小信号模型电路 这一模型中用 代替 ，这是因为本身就与频率有关，而gm与频率无关。推导如下: eb.mVg.b0I（2）用 代替eb.mVg.bIebme beb0bo0VgrVI 由此可见gm是与频率无关的0和rbe的比，因此gm与频率无关。若IE=1mA，gm=1mA/26mV38mS。gm称为跨导，还可写成TEee00eb0m1)1 (VIrrrg 0反映了三极管内部，对流经rbe的电流 的放大作用。 是真正具有电流放大作用的部分，0 即低频时的。而boIboI 在型小信号模型中，因存在Cbc 和rbc,对求解不便，可通过单向化

8、处理加以变换。首先因rbc很大，可以忽略，只剩下Cbc 。可以用输入侧的C和输出侧的C两个电容去分别代替Cbc ，但要求变换前后应保证相关电流不变，如图05.07所示。（3）单向化图05.07高频混合型小信号电路C=(1+K)CC“= Ck/(1+k)5.2.2 电流放大系数的频响 从物理概念可以解释随着频率的增高,将下降。因为 0bcceVII图05.09 的等效电路 V.ce 00.ceV 是指在VCE一定的条件下,在等效电路中可将CE间交流短路，于是可作出图05.09的等效电路。由此可求出共射接法交流短路电流放大系数。可由下式推出)(211)(1cbebeb0cbebebebmCCrff

9、fjCCrjrge bmc be be bmce be bb)(+)/1(VgCjVVgICCjrVI 由此可做出的幅频特性和相频特性曲线，如05.10图所示。 图05.10 三极管的幅频特性和相频特性曲线当=1时对应的频率称为特征频率fT，且有fT0f 当20lg下降3dB时,频率f称为共发射极接法的截止频率 fT0 f可由下式推出ffjCCrjrg1)(10c be be be bm当 f = fT 时, 有1)(1)(1)(2T02c be be be bmTffCCrrgf因fT f ,所以, fT 0 f5.3 共发射极接法放大电路的频率特性5.3.1 全频段小信号模型5.3.2 高

10、频段小信号微变等效电路5.3.3 低频段小信号微变等效电路5.3.1 全频段小信号模型 对于图05.11所示的共发射极接法的基本放大电路，分析其频率响应，需画出放大电路从低频到高频的全频段小信号模型，如图05.12所示。然后分低、中、高三个频段加以研究。图05.11 CE接法基本放大电路图05.12 全频段微变等效电路显然这是一个RC低通环节，其时间常数 H=(Rs /Rb)+rbb /rbeC于是上限截止频率fH=1/2H 。5.3.2 高频段小信号微变等效电路 将全频段小信号模型中的C1、C2和Ce短路，即可获得高频段小信号模型微变等效电路，如图05.13所示。 设放大电路的中频电压放大倍

11、数为AvsM，其频率特性曲线与RC低通电路相似。只不过其幅频特性在Y轴方向上上移了20lg AvsM(dB)。相频特性则在Y轴方向上向下移180，以反映单级放大电路倒相的关系。图05.13 高频段微变等效电路5.3.3 低频段小信号微变等效电路 低频段的微变等效电路如图05.14所示，C1、C2和Ce被保留，C被忽略。显然，该电路有 三个RC电路环节。当信号频率提高时，它们的作用相同，都有利于放大倍数的提高，相当于高通环节，有下限截止频率。 L1=(Rb /rbe)+RSC1 L2=(Rc +RL)C2 L3=Re / (RS+rbe)/1+Ce 式中RS = RS/ Rb 图05.14 低频

12、段微变等效电路 在波特图上可确定fL1、fL2和fL3，分别做出三条曲线，然后相加。 如果 L在数值上较小的一个与其它两个相差较大，有45倍之多，可将最大的fL作为下限截止频率，然后做波特图。 当Rb较大，并且Re1/Ce时。为简单起见，将Ce归算到基极回路后与C1串联，设Ce =Ce /1+。同时在输出回路用戴文宁定理变换，得到简化的微变等效电路，如图05.15所示。所以输入回路的低频时间常数为 L1=(C1 /Ce)( Rb +rbe)图05.15 简化后的低频段等效电路 图05.14 低频段微变等效电路 在此简化条件下，低频段的电压放大倍数的复数形式为L2L2L1L1sMsLLC2LC2beSe1beSe1beSLSOsL/1/1/)(1)()( /(1)( /(fjffjffjffjfAARRCjRRCjrRCCjrRCCjrRRVVAvvv总电压放大倍数的复数形式为beSLsMHL2L2L1L1sMs/11/1/1/rRRAfjffjffjffjffjfAAvvv 设fL1fL2，可以画出单级基本放大电路的波特图，如图05.16所示。图05.16 单级基本放大电路的波特图几点结论：1.放大电路的耦合电容是引起低频响应的主要原因，下限截止频率主要由低频时间常数中较小的一个决定；2.三